具有倒棱角的微电子管芯的制作方法
【专利摘要】本申请公开了具有倒棱角的微电子管芯。一种微电子管芯，其可以形成为具有倒棱角，用于当这种微电子管芯被组成进入微电子封装中时能够减少可能导致分层和/或破裂缺陷的应力。在一个实施例中，微电子管芯可以包括在微电子管芯的至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的至少一个倒棱侧边。在另一个实施例中，微电子管芯可以包括在微电子管芯的至少两个相邻的侧边之间延伸的基本弧形或者弓形的至少一个倒棱侧边。
【专利说明】
具有倒棱角的微电子管芯
技术领域
[0001]本说明书的实施例通常涉及微电子装置制造领域，更特别地，涉及使用具有至少一个倒棱角的微电子管芯来减少分层缺陷。
【背景技术】
[0002]微电子工业持续地努力生产比以往更快和更小的微电子封装，用于在各种电子产品中的使用，包括但不限于便携式产品，例如便携式计算机、数字照相机、电子平板、蜂窝电话等等。这些电子产品中的一些，例如电子平板和蜂窝电话，具有相对较短的寿命，即大约三年。因此，对于使用在这些电子产品中的微电子封装的可靠性需求降低了。然而，使用具有大约5-7年的预计寿命的高性能的微电子封装电子产品仍然需要良好的可靠性性能。
[0003]在这些高性能的微电子封装中的可靠性相关的缺陷主要是由于层间电介质分层和填角(fillet)破裂。在这些微电子封装的制造中为了减少它们的尺寸，低k和超低k层间电介质材料的使用使得这样的缺陷恶化了。因此，需要开发减少这样的可靠性缺陷的封装设计。
[0004]附图简述
[0005]在说明书的结论部分中，本公开的主题被特别地指出和清楚地声明。在结合附图考虑以下的描述和所附的权利要求时，本公开的前述和其它特征将变得更加充分地显而易见。应该理解到，附图只描述根据本公开的几种实施例，并且因此不考虑对其范围的限制。本公开将通过附图以额外的特征和细节被描述，这样本公开的优势能够被更容易地确定，其中:
[0006]图1是现有技术中已知的附接至微电子衬底上的微电子管芯的侧横截面图。
[0007]图2是现有技术中已知的沿着图1的线2-2的顶平面图。
[0008]图3是现有技术中已知的图1的插图3的侧横截面图。
[0009]图4是现有技术中已知的图2的插图4的顶平面图。
[0010]图5是根据本说明书的一个实施例的包括附接至微电子衬底上的具有倒棱角的微电子管芯的微电子封装的顶平面图。
[0011 ]图6是根据本说明书的一个实施例的图5的插图6的顶平面图。
[0012]图7是根据本说明书的另一个实施例的包括附接至微电子衬底上的具有倒棱角的微电子管芯的微电子封装的顶平面图。
[0013]图8是根据本说明书的另一个实施例的图7的插图8的顶平面图。
[0014]图9是根据本说明书的又一个实施例的包括附接至微电子衬底上的具有倒棱角的微电子管芯的微电子封装的顶平面图。
[0015]图10是根据本说明书的又一个实施例的图9的插图10的顶平面图。
[0016]图11是根据本说明书的再又一个实施例的在其背表面上具有掩模图形的微电子管芯的顶平面图。
[0017]图12-14分别是根据本说明书的一个实施例的具有倒棱角的微电子管芯的顶视图、横截面图和倾斜图，该倒棱角从微电子管芯的有源表面延伸，没有全部地去除微电子管芯角。
[0018]图15-17分别是根据本说明书的另一个实施例的具有倒棱角的微电子管芯的顶视图、横截面图和倾斜图，该倒棱角从微电子管芯的有源表面延伸，没有全部地去除微电子管芯角。
[0019]图18是根据本发明的一个实施例的制造微电子封装的工艺流程图。
[0020]图19示出了根据本说明书的一个实施例的计算装置。
【具体实施方式】
[0021]在以下详细的描述中，参照可以通过示例的方式构成显示可以被实践的要求保护的主题中特定的实施例的附图。这些实施例以充分地细节被描述，以使本领域技术人员能够实践该主题。应该理解到，各种实施例尽管是不同的，但是并不必然地相互排斥。例如，与一个实施例相关的此处描述的一个特定的特征、结果或者特性，可以在其他实施例中被实现，而不背离所要求保护的主题的精神和范围。这个说明书内的“一个实施例”或“一实施例”的引用代表结合该实施例所描述的特定特征、结构、或特性被包括在本说明书的至少一个实施例中。因此，短语“一个实施例”或“一实施例”的使用并不一定指代同一实施例。另夕卜，应该理解到，在每一个公开的实施例内的个体元件的位置或者排列可以被修改而不背离所要求保护的主题的精神和范围。因此，下述详细的描述不视为限制意思，且主题的范围仅由所附权利要求来定义，由与所题名所附权利要求等同的所有范围来适当地解释。在附图中，类似地数字在几幅图中指代相同或者相似的元件或者功能。此处描述的那个元件并不一定与另一个是等比例的，个体元件可以被扩大或缩小来更容易地理解本说明书的上下文中的元件。
[0022]此处使用的术语“在…上方”、“至”、“之间”与“在…上”可以指代一层关于其他层的相对位置。一层“在另一层上方”或者“在另一层上”可以是直接与另一层相接触或者具有一层或多层介入层。一层“在各层之间”可以是直接与各层接触或者具有一层或多层介入层。
[0023]本说明书的实施例包括具有用于减少可能导致分层和/或破裂失效的应力的倒棱角的微电子管芯和由这种微电子管芯形成的微电子封装。在一个实施例中，微电子管芯可以包括至少一个在微电子管芯的至少两个相邻的侧边之间延伸的平面倒棱。在另一个实施例中，微电子管芯可以包括至少一个在微电子管芯的至少两个相邻的侧边之间延伸的弧形倒棱。
[0024]在微电子装置的生产中，微电子管芯通常被安装至衬底上，其在微电子管芯和外部组件之间提供电学通信路径。如图1所示，微电子封装100可以由在微电子衬底130上通过多个互连件120附接至少一个微电子管芯100而形成，该微电子管芯100例如为微处理器、芯片组、图形器件、无线器件、存储器件、专用集成电路等，该微电子衬底130例如为插入器、主板等。互连件120可以在微电子管芯110的有源表面112上的焊垫122和微电子衬底130的第一表面132上的镜像焊垫124之间以通常称作倒装芯片的构造或者受控塌陷管芯连接(“C4”)的构造延伸。微电子管芯焊垫122可以与微电子管芯110内的集成电路(未示出)电学通信。微电子衬底焊垫124可以与微电子衬底130内的导电路径138(由点线示出)电学通信。导电路径138可以在微电子衬底130上的微电子管芯110和/或额外的外部组件(未不出)之间提供电学通信路径。
[0025]电绝缘可流动材料，例如底部填充材料140，可以设置于微电子管芯110和微电子衬底130之间，其基本包封互连件120。底部填充材料140可以用于减少可能从微电子管芯110和微电子衬底130之间的热膨胀失配产生的机械应力问题。底部填充材料140可以是环氧材料，包括但不限于环氧树脂、苯甲酸酯、硅树脂、硅氧烷和酚醛基树脂，其具有足够低的粘性，能够当由底部填充材料分配器(未示出)沿着微电子管芯110的至少一侧(例如图示的侦Ij边1162和1164，其在微电子管芯的有源表面112和微电子管芯110的相对背表面114之间延伸)引入时，在微电子管芯110和微电子衬底130之间通过毛细作用吸入。底部填充材料140延伸经过微电子管芯侧边116ι、1162、1163和1164(见图4)的部分被称为底部填充材料填角142。底部填充材料140不应该是这种使底部填充材料填角142延伸得太远离微电子管芯侧边116!、1162、1163和1164的低粘性，因为其可能会延伸至“禁止入内区域”(未示出)，在“禁止入内区域”底部填充材料140的存在是有害的。底部填充材料140可以随后被固化(硬化)。
[0026]微电子衬底130可以包括任何合适的介电材料，包括但不限于液晶聚合物、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、FR4、聚酰亚胺材料等。导电路径138可以由任何合适的导电材料形成，包括但不限于铜、银、金、镍和其合金。应该理解到，微电子衬底130可以由任何数量的介电层形成，可以包括硬核心(未示出)且可以包括形成于其上的有源和/或无源微电子装置(未示出)。还应该理解，阻焊层(未示出)可以被用在微电子衬底第一表面132上，这对本领域技术人员来说也会理解。用来形成微电子衬底130的工艺是本领域技术人员已知的，为了简洁和简短的考虑，此处不再描述或图解。
[0027]互连件120可以由任何合适的材料制成，包括但不限于焊料和导电填充环氧物。焊料材料可以包括任何合适的材料，包括但不限于铅/锡合金(例如63%的锡/37%的铅焊料)或者无铅焊料(例如纯锡)或者高锡含量合金(例如90%或者更多锡)，例如锡/铋合金、锡/银共熔的合金、锡/银/铜三重的合金、锡/铜共熔的合金以及类似的合金。当微电子管芯110使用由焊料制成的互连件120附接至微电子衬底130时，通过热量、压力和/或声能中的任何一个使焊料回流，来将焊料固定在微电子管芯焊垫122和微电子衬底焊垫124之间。另外，如本领域技术人员能理解的，微电子管芯110可以是附接至微电子衬底130的铜柱基的倒装芯片组件。
[0028]图2示出了沿着图1的线2-2的顶平面图。如图所示，微电子管芯110可具有四个侧边，以元件116^116^1163和1164示出。其中，每个侧边可以近似直角与相邻的侧边交叉，来形成角160。术语“相邻的侧边”被定义为意指微电子管芯中与另一个侧边呈基本90度角(直角)的侧边。
[0029]如图3所示(图1的区域3的特写)，微电子管芯110可以包括堆积层150，堆积层150包括具有多个导电迹线(以元件154jP1542示出)和导电通孔(以元件156^1562和1563示出)的多个介电层(以元件152^1522和1523示出)，导电迹线和导电通孔用于电学连接微电子管芯焊垫122与微电子管芯110内的集成电路(未示出)。导电迹线154jP1542以及导电通孔156^1562和1563可以由任何合适的导电材料形成，包括但不限于铜、铝、银、金等以及其合金。介电层152ι、1522和1523可以是任何合适的介电材料，包括但不限于层间电介质(例如二氧化硅和氮化硅)以及低k和超低k电电介质(介电常数少于大约3.6)，包括但不限于碳掺杂的电电介质、氟掺杂的电电介质、多孔的电电介质、有机的聚合电电介质、硅基的聚合电电介质等。
[0030]本领域技术人员应该理解到，微电子封装100中的大多数应力发生在微电子管芯110的角160处的相对尖锐的角度处。在角160处的这些应力(也称作“积聚点”)可以导致微电子管芯侧边116ι、1162、1163和1164从相邻于微电子管芯角160的底部填充材料填角142处分开或者分层。这个分层通常显示为图3中的阴影区域以及图4中的相对位置，它们都以元件162标示。另外，应力也会造成破裂164在底部填充材料填角142的里面发展，如图4所示。应该理解到，分层162和/或破裂164可以导致微电子封装100的失效。
[0031]在本说明书的实施例中，可以通过在微电子管芯的相邻的侧边之间形成倒棱角来减少应力。如图5-10中所不，可以通过去除相邻的微电子管芯侧边116ι/1162、1162/1163、1163/1164和1164/116X之间的微电子管芯110的一部分来形成倒棱角170，并且如先前讨论地，微电子管芯110可以附接至微电子衬底130上，来形成微电子封装180。如图5和6中所示，倒棱角170可以形成为每个相邻的微电子管芯侧边1161/1162、1162/1163、1163/1164和1164/Iie1之间的基本平坦的倒棱侧边172。这导致了八个角，而不是图1-4中所示的微电子管芯110的四个角160。这八个角将应力分散至额外的积聚点，因此减少了分层和破裂的可能性。当然，倒棱角170并不限于每个相邻的微电子管芯侧边1161/1162、1162/1163、1163/1164和1164/1 Ie1之间的单个倒棱侧边，也可以包括多个基本平坦的倒棱侧边，如图7和8中所示的倒棱侧边174jP1742，其将应力分散至更高数量的积聚点。
[0032]在一个进一步的实施例中，如图9和10中所示，倒棱角170可以形成为每个相邻的微电子管芯侧边116ι/1162、1162/1163、1163/1164和1164/116ι之间的基本弧形的或者弓形的倒棱侧边176。这种弓形的倒棱侧边176可以减少特定的高积聚点。应该注意到，图10中的点线描绘于第一微电子管芯侧边I Ie1、弓形的倒棱侧边176和第二微电子管芯侧边Iie2之间。
[0033]在本说明书的一个实施例中，例如图5-10中所示的倒棱角17 O可以在切单颗(singulat1n)的过程中形成，其中多个单个微电子管芯110被从微电子晶圆(未示出)上切害J下，如本领域技术人员所理解的那样。在一个实施例中，可以使用激光(例如紫外激光、超快激光等)来切单颗并且在每个微电子管芯110上形成倒棱角170。在另一个实施例中，倒棱角170可以形成于切单颗工艺之后，例如通过机械研磨或者通过掩模工艺。掩模工艺包括等离子体刻蚀或者准分子激光工艺，其中掩模190(阴影区域)可以形成于微电子管芯背表面114上的合适的图形内，如图11中所示那样，先于倒棱角170的形成(见图5-10)。应该注意至IJ，图11中所示的掩模版190将导致图5和6中所示的倒棱角170形状。
[0034]应该理解到，倒棱角不需要完全去除角。如图12-17所示，只有微电子管芯110的一部分可以被从微电子管芯有源表面(例如最高应力的区域)去除，这样倒棱角170可以包括倒棱侧边(图12-14的元件182和图15-17的元件184)，其从两个相邻的微电子管芯侧边(如微电子管芯侧边116ι和1162所不)之间的微电子管芯有源表面112延伸至微电子管芯角160。如图12(顶视图)、图13(图12的区域A中的横截面图)和图14(图12的区域A中的倾斜图)所示，倒棱角182可以是基本平坦的。如图15(顶视图)、图16(图15的区域B中的横截面图)和图17(图15的区域B中的倾斜图)所示，倒棱角184可以是基本弓形的。
[0035]尽管图1-17示出了单个微电子管芯110，但是应该理解到，多个微电子管芯也可以附接至微电子衬底130上。
[0036]图18是根据本发明的一个实施例的制造微电子封装的工艺流程图200。如方框202中所述的，可以形成在微电子晶圆上具有有源表面和相对背表面的微电子管芯。如方框204中所述的，可以从微电子晶圆上切割下微电子管芯，来形成在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸的至少两个相邻的侧边。如方框206中所述的，可去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的一部分，来形成包括至少一个倒棱侧边的倒棱角。如方框208中所述的，可以通过从微电子管芯有源表面延伸至微电子衬底的第一表面的多个互连件将微电子管芯附接至微电子衬底上。如方框210中所述的，可以在微电子管芯和微电子衬底之间设置底部填充材料。
[0037]图19示出了根据本说明书的一个实施例的计算装置300。计算装置300包括主板302。该主板可以包括若干微电子组件，包括但不限于处理器304、至少一个通信管芯306A和306B、易失性存储器308(例如DRAM)、非易失性存储器310(例如R0M)、快闪存储器312、图形处理器或者CPU 314、数字信号处理器(未示出)、加密处理器(未示出)、芯片组316、天线、显示器(触摸屏显示器)、触摸屏控制器、电池、音频编解码器(未示出)、视频编解码器(未示出)、功率放大器(AMP)、全球定位系统(GPS)器件、指南针、加速计(未示出)、陀螺仪(未示出)、扬声器(未示出)、照相机和大容量器件(未示出)(例如硬盘驱动器、光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)等)。任何微电子组件可以是物理地和电学地耦合至主板302。在一些实施例中，至少一个微电子组件可以是处理器304的一部分。
[0038]通信芯片使无线通信成为可能，用于与计算装置之间来回传输数据。术语“无线”及其衍生物可以用于描述电路、器件、系统、方法、技术、通信信道等，其可以通过调制的电磁辐射的使用穿过非固态的介质来通信数据。该术语并不意味着相关的器件不包含任何电线，尽管在一些实施例中它们可能不会。通信芯片可以实现任何数量的无线标准或者协议，包括但不限于W1-Fi(IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE 802.16家族)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙及其衍生物以及任何其他被指定为3G、4G、5G及以上的无线协议。计算装置可包括多个通信芯片。例如，第一通信芯片可以致力于更短范围的无线通信，例如W1-Fi和蓝牙，第二通信芯片可以致力于更长范围的无线通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO和其他。
[0039]术语“处理器”可以指代从寄存器和/或存储器处理电子数据来将那个电子数据转换为可以储存在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何器件或者器件的部分。
[0040]计算装置300中的任何微电子组件可以包括具有如上所述的倒棱角的微电子管芯。
[0041]在各种实施例中，计算装置可以是膝上计算机、上网本、笔记本、超级笔记本、智能手机、平板计算机、个人数字助理(PDA)、超便携移动个人计算机、移动电话、桌上计算机、月艮务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器或者数字视频录像机。在进一步的实施例中，计算装置可以是处理数据的任何其他电子装置。
[0042]应该理解到，本说明书的主题并不一定限于图1-19中示出的特定应用。如本领域技术人员理解的，该主题可以应用至其他微电子装置和装置应用。
[0043]下述的例子属于进一步的实施例，其中例子I是包括具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯的微电子装置，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸;其中微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0044]在例子2中，例子I的主题能够可选地包括在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0045]在例子3中，例子I的主题能够可选地包括在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0046]在例子4中，例子I至3中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边的倒棱侧边。
[0047]在例子5中，例子I至3中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边的倒棱侧边。
[0048]在例子6中，例子I至3中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边的倒棱侧边。
[0049]在例子7中，例子I至3中任一个的主题能够可选地包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至该微电子衬底。
[0050]在例子8中，例子7的主题能够可选地包括通过在微电子管芯有源表面和微电子衬底的第一表面之间延伸的多个互连件而被电学地附接至微电子衬底的微电子管芯。
[0051]在例子9中，例子7的主题能够可选地包括设置于微电子管芯和微电子衬底之间的底部填充材料。
[0052]下述的例子属于进一步的实施例，其中例子10是制造微电子装置的方法，包括形成具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；以及去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的一部分，来形成包括至少一个在至少两个相邻的侧边之间延伸的倒棱侧边的倒棱角。
[0053]在例子11中，例子10的主题能够可选地包括至少一个在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸的倒棱侧边。
[0054]在例子12中，例子10的主题能够可选地包括至少一个在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸的倒棱侧边。
[0055]在例子13中，例子10至12中任一个的主题能够可选地包括去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角，包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的倒棱侧边。
[0056]在例子14中，例子10至12中任一个的主题能够可选地包括去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角，包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的倒棱侧边。
[0057]在例子15中，例子10至12中任一个的主题能够可选地包括去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角，包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。
[0058]在例子16中，例子10至12中任一个的主题能够可选地包括形成微电子衬底并且将微电子管芯电学地附接至该微电子衬底上。
[0059]在例子17中，例子16的主题能够可选地包括将微电子管芯附接至微电子衬底，包括:通过多个在微电子管芯有源表面和微电子衬底的第一表面之间延伸的互连件将微电子管芯电学地附接至微电子衬底。
[ΟΟ?Ο] 在例子18中，例子16的主题能够可选地包括在微电子管芯和微电子衬底之间设置底部填充材料。
[0061]在例子19中，例子10的主题能够可选地包括形成微电子管芯，包括:在微电子晶圆上形成微电子管芯，并且从微电子晶圆上切割下微电子管芯来形成至少两个相邻的侧边；以及其中在从微电子晶圆上切割下微电子管芯的期间去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角。
[0062]在例子20中，例子10的主题能够可选地包括形成微电子管芯，包括:在微电子晶圆上形成微电子管芯，并且从微电子晶圆上切割下微电子管芯来形成至少两个相邻的侧边；以及其中在从微电子晶圆上切割下微电子管芯之后去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角。
[0063]下述例子属于进一步的实施例，其中例子21是电子系统，其包括主板和附接至该主板的微电子封装，其中该微电子封装包括:具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；其中微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0064]在例子22中，例子21的主题能够可选地包括在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0065]在例子23中，例子21的主题能够可选地包括在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸的至少一个倒棱侧边。
[0066]在例子24中，例子21至23中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边的倒棱侧边。
[0067]在例子25中，例子21至23中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边的倒棱侧边。
[0068]在例子26中，例子21至23中任一个的主题能够可选地包括至少一个包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边的倒棱侧边。
[0069]在例子27中，例子21至23中任一个的主题能够可选地包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至该微电子衬底上。
[00"70] 在例子28中，例子27的主题能够可选地包括微电子管芯通过在微电子管芯有源表面和微电子衬底的第一表面之间延伸的多个互连件而被电学地附接至微电子衬底。
[0071]在例子29中，例子27的主题能够可选地包括设置于微电子管芯和微电子衬底之间的底部填充材料。
[0072]因此，已详细描述的本说明书的实施例，应该理解到，由所附的权利要求所定义的本说明书并不限于上述说明书中所述的特定的细节，因为其许多明显的变化在不背离其精神和范围的条件下是可能的。
【主权项】
1.一种微电子装置，包括: 具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸； 其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。4.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。5.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。6.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。7.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子装置，其特征在于，进一步包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。8.根据权利要求7所述的微电子装置，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。9.一种制造微电子装置的方法，包括: 形成具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸；以及 去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的一部分，以形成包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边的倒棱角。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的倒棱侧边。13.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的倒棱侧边。14.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成倒棱角包括:去除在至少两个相邻的侧边之间的微电子管芯的部分来形成在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。15.根据权利要求9-11中任一项所述的方法，其特征在于，进一步包括形成微电子衬底并且将微电子管芯电学地附接至微电子衬底上。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括在微电子管芯和微电子衬底之间设置底部填充材料。17.—种电子系统，包括: 主板；以及 微电子封装，附接至主板，其中微电子封装包括: 具有有源表面、相对的背表面和至少两个相邻的侧边的微电子管芯，其中每个相邻的侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸； 其中，微电子管芯包括倒棱角，该倒棱角包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的至少一个倒棱侧边。18.根据权利要求17所述的电子系统，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯背表面之间延伸。19.根据权利要求17所述的电子系统，其特征在于，至少一个倒棱侧边在微电子管芯有源表面和微电子管芯的角之间延伸。20.根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的基本平坦的侧边。21.根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的多个基本平坦的侧边。22.根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子管芯的至少一个倒棱侧边包括在至少两个相邻的侧边之间延伸的弓形的侧边。23.根据权利要求17-19中任一项所述的电子系统，其特征在于，微电子封装进一步包括微电子衬底，其中微电子管芯被电学地附接至微电子衬底。24.根据权利要求23所述的电子系统，其特征在于，在微电子管芯和微电子衬底之间设置有底部填充材料。
【文档编号】B81B7/02GK105858589SQ201610011757
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年1月8日
【发明人】M·杜贝, E·阿马冈, R·C·迪埃斯, L·D·斯考戈伦德
【申请人】英特尔公司