本发明关于一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法，尤其是关于一种用在制造精细图案用的印刷配线基板时的附载体铜箔、积层体、印刷配线板、及印刷配线板的制造方法。
背景技术：
：印刷配线板这半世纪来取得了重大发展，如今几乎所有电子机器中均有使用。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，安装零件的高密度构装化及讯号的高频化不断发展，对于印刷配线板要求导体图案的微细化(细间距化)及高频对应等，尤其是将IC芯片安装在印刷配线板上的情形，要求L(线)/S(间隔)＝20μm/20μm以下的细间距化。印刷配线板首先以覆铜积层体的形态来加以制造，该覆铜积层体是将铜箔与以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而成。贴合使用下述方法：将绝缘基板与铜箔叠合进行加热加压而形成的方法(层叠法)，或是将绝缘基板材料的前驱物即清漆涂布在铜箔具有被覆层的面，进行加热、硬化的方法(涂膜法)。随着细间距化，使用在覆铜积层体的铜箔的厚度亦成为9μm，甚至在5μm以下等，箔厚正逐渐变薄。然而，若箔厚在9μm以下，则以前述层叠法或涂膜法形成覆铜积层体时的处理性会极度恶化。因此，出现了附载体铜箔，该附载体铜箔利用具有厚度的金属箔作为载体，透过剥离层将极薄铜层形成在该金属箔而成。附载体铜箔的一般使用方法，如专利文献1等的揭示，将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板进行热压接后，透过剥离层将载体剥离。在制作使用附载体铜箔的印刷配线板时，附载体铜箔的典型使用方法，首先，将附载体铜箔积层在绝缘基板后，自极薄铜层将载体剥离。接着，在经剥除载体露出的极薄铜层上，设置以光硬化性树脂形成的镀敷阻剂。接着，对镀敷阻剂的既定区域进行曝光，由此使该区域硬化。然后，将非曝光区域的未硬化的镀敷阻剂去除后，在该抗蚀剂去除区域设置电镀层。接着，通过将硬化的镀敷阻剂去除，而得到形成有电路的绝缘基板，使用此绝缘基板制作印刷配线板。专利文献1：日本特开2006－022406号公报技术实现要素：于此种印刷配线板的制造方法，形成在绝缘基板上的电路，对应于经通过曝光而硬化的镀敷阻剂的形状。因此，经硬化的镀敷阻剂的形状若不良，则电路的形状亦会不良，而难以形成细间距电路。又，使用所谓嵌入法制作印刷配线板，对各层间的电路位置所要求的精度非常高，必须正确地将电路形成为想要的形状及位置，其中该嵌入法是在附载体铜箔的极薄铜层的表面形成电路镀敷，以覆盖该形成的电路镀敷的方式(以掩埋电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂，积层树脂层，在树脂层的既定位置进行开孔，露出电路镀敷，形成盲孔，在积层体的多个层间使电路及配线导通。然而，若在极薄铜层表面设置镀敷阻剂，对镀敷阻剂的既定区域进行曝光，则由于通常镀敷阻剂具有透光性，故光会透射过镀敷阻剂而在极薄铜层表面反射。此时的反射光，通常具有在垂直于极薄铜层表面的方向反射的正反射光与未垂直反射而漫射的漫反射光。其中，漫反射光也会进入镀敷阻剂待硬化的区域以外的区域，位在待硬化的区域以外的镀敷阻剂也会硬化。因此，以往难以精度佳地对镀敷阻剂待硬化的区域进行加工，具有难以精度佳地形成对应的电路形状的问题。因此，本发明的课题在于提供一种极薄铜层表面的电路形成性良好的附载体铜箔。为了达成上述目的，本发明人经反复潜心研究后，结果发现控制附载体铜箔的极薄铜层表面的光吸收性，对于提升极薄铜层表面的电路形成性极具效果。本发明是基于上述见解而完成的，在一方面，是一种附载体铜箔，依序具有载体、中间层、极薄铜层，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在85％以上。本发明的附载体铜箔在一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在87％以上。本发明的附载体铜箔在另一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在90％以上。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在91％以上。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在92％以上。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在93％以上。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在95％以上。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，依据JISB0601－1994以雷射显微镜测量该极薄铜层的表面时，该表面的粗糙度Rz的平均值在1.7μm以下。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该载体以电解铜箔或压延铜箔形成。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层及该载体的至少一者的表面或两者的表面，具有粗化处理层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任1种以上的合金构成的层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该粗化处理层的表面，具备树脂层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层，铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层及该载体的至少一者的表面或两者的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层上，具备树脂层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，在该极薄铜层上具备树脂层。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该树脂层为接合用树脂。本发明的附载体铜箔在再另一实施方案中，该树脂层为半硬化状态的树脂。本发明在再另一方面，是一种使用本发明的附载体铜箔制造的积层体。本发明的积层体在一实施方案中，具备一对该附载体铜箔，将该一对附载体铜箔彼此积层而构成，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成。本发明的积层体在另一实施方案中，具备一对该附载体铜箔，构成为在该一对附载体铜箔之间具有树脂或预浸体，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成。本发明的积层体在再另一实施方案中，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘整体被树脂或预浸体覆盖而成。本发明在另一方面，是一种使用本发明的附载体铜箔制造的印刷配线板。本发明在再另一方面，涉及一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，经过剥除该附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，形成电路的步骤。本发明在再另一方面，是一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：将电路形成在本发明的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；以掩埋该电路的方式，将树脂层形成在该附载体金属箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；将电路形成在该树脂层上的步骤；在将电路形成在该树脂层上后，将该载体或该极薄铜层剥离的步骤；及在将该载体或该极薄铜层剥离后，将该极薄铜层或该载体去除，由此使形成在该极薄铜层侧表面或该载体侧表面被该树脂层掩埋的电路露出的步骤。本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方案中，将电路形成在该树脂层上的步骤是下述步骤：将另外的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在该树脂层上，使用贴合在该树脂层的附载体铜箔形成该电路。本发明的印刷配线板的制造方法在另一实施方案中，贴合在该树脂层上的另外的附载体铜箔为本发明的附载体铜箔。本发明的印刷配线板的制造方法在再另一实施方案中，将电路形成在该树脂层上的步骤，借助半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法进行。本发明的印刷配线板的制造方法在再另一实施方案中，进一步包含下述步骤：在将载体剥离前，将基板形成在附载体铜箔的载体侧表面。根据本发明，可提供一种极薄铜层表面的电路形成性良好的附载体铜箔。附图说明图1A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法具体例至电路镀敷、抗蚀剂去除为止的步骤的配线板剖面示意图。图2D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法具体例从积层树脂及第2层附载体铜箔至雷射开孔为止的步骤的配线板剖面示意图。图3G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法具体例从形成填孔至剥离第1层载体为止的步骤的配线板剖面示意图。图4J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法具体例从快速蚀刻至形成凸块、铜柱为止的步骤的配线板剖面示意图。图5是显示实施例的样品片测量部位的示意图。图6是本发明一实施方案的积层体10的平面示意图。图7是本发明一实施方案的积层体10的剖面示意图。图8是本发明另一实施方案的积层体20的剖面示意图。图9是本发明再另一实施方案的积层体30的剖面示意图。图10是本发明再另一实施方案的积层体40的剖面示意图。图11是本发明再另一实施方案的积层体50的剖面示意图。符号说明10,20,30,40,50积层体11,21,31,41,51附载体铜箔12,22,32,42,52载体13,23,33,43,53中间层14,24,34,44,54极薄铜层15,25,35,45,55树脂16,26,36,46,56预浸体17,27,47开口部18,28,38,48,58板状树脂19,29,39,49,59板状预浸体具体实施方式＜附载体铜箔＞本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层、极薄铜层。附载体铜箔本身的使用方法，为本领域技术人员熟知，例如可将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板，在热压接后，将载体剥除，将接合在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成想要的导体图案，最后制造积层体(覆铜积层体等)或印刷配线板等。＜载体＞可使用于本发明的载体，典型为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCD膜的形态提供。可使用于本发明的载体，典型上以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔利用硫酸铜镀浴将铜电解析出在钛或不锈钢的滚筒上来加以制造，压延铜箔则是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理来制造。铜箔的材料，除了精铜(JISH3100合金号码C1100)及无氧铜(JISH3100合金号码C1020或JISH3510合金号码C1011)等的高纯度铜外，例如亦可使用掺Sn铜；掺Ag铜；添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金此类的铜合金。另，本说明书中单独使用用语“铜箔”时，亦包含铜合金箔。可使用于本发明的载体的厚度，并无特别限制，只要适当调节成可作为载体的适合厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，若过厚则由于生产成本会提高，故通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型上为12～300μm，更典型地为12～150μm，更典型为12～70μm，更典型为18～35μm。＜中间层＞在载体的单面或双面上设置中间层。也可在铜箔载体与中间层之间设置其他层。本发明中所使用的中间层只要为下述构成，则并无特别限定：在将附载体铜箔积层在绝缘基板的步骤前，极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在积层在绝缘基板的步骤后，极薄铜层可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层亦可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、此等的合金、此等的水合物、此等的氧化物、有机物组成的群中的一种或二种以上。又，中间层亦可为多个层。又，例如，中间层可经由下述方式构成：自载体侧形成由选自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种元素构成的单一金属层，或形成由选自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素构成的合金层，在其上形成由选自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中一种或二种以上的元素的水合物或氧化物或有机物构成的层。又，例如，中间层可自载体侧以下述的层构成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中任一种元素构成的单一金属层或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中一种以上的元素构成的合金层，及位在其上的由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中任一种元素构成的单一金属层或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中一种以上的元素构成的合金层。又，其他层亦可使用可作为中间层使用的层构成。在仅在单面设置中间层的情形时，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。另，在以铬酸处理或铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情形时，铬或锌等附着的金属的一部分有时会变成水合物或氧化物。又，例如，中间层可在载体上依序积层镍、镍－磷合金或镍－钴合金、及铬而构成。由于镍与铜的接合力高于铬与铜的接合力，因此在剥离极薄铜层时，会在极薄铜层与铬的界面剥离。又，对中间层的镍，期待防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层的镍的附着量优选为100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2，中间层的铬的附着量优选为5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在仅在单面设置中间层的情形时，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。＜打底镀敷＞在中间层上设置极薄铜层。于在中间层上设置极薄铜层前，为了减少极薄铜层的针孔，亦可进行利用铜－磷合金的打底镀敷。打底镀敷可列举焦磷酸铜镀敷液等。＜极薄铜层＞在中间层上设置极薄铜层。另，亦可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、磺胺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀来形成，由于可在一般的电解铜箔使用，以高电流密度形成铜箔，故优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常较载体薄，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为1.5～5μm，更典型为2～5μm。另，极薄铜层亦可设置在载体的两面。又，其他层亦可使用可作为中间层使用的构成的层。可使用本发明的附载体铜箔来制作积层体(覆铜积层体等)。作为该积层体，例如，可为“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体”依序积层的构成，或亦可为“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”依序积层的构成。前述树脂或预浸体可为后述的树脂层，或亦可含有使用于后述的树脂层的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另，附载体铜箔亦可在俯视时小于树脂或预浸体。本发明的积层体，具备一对本发明的附载体铜箔，将一对附载体铜箔彼此积层而构成，亦可在俯视附载体铜箔时，附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成。又，此时，积层体亦可构成为以可彼此分离的方式使一对附载体铜箔接触。又，亦可为俯视附载体铜箔时，附载体铜箔的积层部分的外缘整体被树脂或预浸体覆盖而成的。经由形成此种构成，在俯视附载体铜箔时，附载体铜箔的积层部分被树脂或预浸体覆盖，而可防止其他构件从此部分的侧方向亦即相对于积层方向的横方向接触，结果可减少处理中的附载体铜箔彼此的剥离。又，经由以树脂或预浸体覆盖成不使附载体铜箔的积层部分的外缘露出，而可防止如前述的化学液处理步骤中化学液渗入此界面，可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。又，本发明的积层体具备一对本发明的附载体铜箔，构成为在一对附载体铜箔之间具有树脂或预浸体，亦可为俯视附载体铜箔时附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成的。作为该方案的一例，用图来说明附载体铜箔的端部(亦即，俯视附载体铜箔时的前述附载体铜箔的积层部分的外缘部分)被树脂或预浸体覆盖的积层体具体构成。如图6(积层体10的平面示意图)及图7(积层体10的剖面示意图)所示，积层体10具备一对本发明的附载体铜箔11，构成为在一对附载体铜箔11(载体12、中间层13、极薄铜层14)之间具有树脂(板状树脂18)或预浸体(板状预浸体19)，在俯视附载体铜箔11时，附载体铜箔11朝树脂或预浸体的积层部分的外缘至少一部分被树脂15或预浸体16覆盖而构成。又，作为另一实施方案，在俯视附载体铜箔11时附载体铜箔11朝树脂(板状树脂18)或预浸体(板状预浸体19)的积层部分的外缘整体被树脂15或预浸体16覆盖而构成。借助形成此种构成，在俯视附载体铜箔11时，附载体铜箔11朝树脂(板状树脂18)或预浸体(板状预浸体19)的积层部分被树脂15或预浸体16覆盖，而可防止其他构件从此部分的侧方向亦即相对于积层方向的横方向接触，结果可减少处理中的附载体铜箔11彼此的剥离。又，经由以树脂15或预浸体16覆盖成不使附载体铜箔11朝树脂(板状树脂18)或预浸体(板状预浸体19)的积层部分的外缘露出，而可防止如前述的化学液处理步骤中化学液渗入此界面，可防止附载体铜箔11的腐蚀或侵蚀。又，亦可在俯视附载体铜箔11时，树脂15或预浸体16以具有开口部17的方式覆盖附载体铜箔11朝树脂(板状树脂18)或预浸体(板状预浸体19)的积层部分的外缘，而在该开口部17露出附载体铜箔11。该开口部17可通过下述方法等形成：通常的光刻法技术；积层遮罩带或遮罩片等之后，仅蚀刻去除开口部17的技术；经由加压，将两片附载体铜箔11接触而得的积层物压接或热压接在树脂15或预浸体16。该开口部17，在俯视时，可在较附载体铜箔11的端部(外缘)更内侧形成，或者亦可到达附载体铜箔11的端部或两片附载体铜箔11的积层部分的外缘至少一部分。又，图7所示的积层体10，虽是将附载体铜箔11积层为各极薄铜层14位在内侧，但并不限定于此，亦可如图8所示的积层体20般，积层为各极薄铜层24位在外侧而构成，或亦可将其中一片附载体铜箔积层为极薄铜层位在内侧，而将另一片附载体铜箔积层为极薄铜层位在外侧。本发明的积层体，亦可如图7～图9所示，在一个积层体10、20、30中含有两个以上使一对附载体铜箔11、21、31相互接触而成的积层物，并一体形成设置在该一对附载体铜箔11、21、31之间的板状树脂18、28、38或板状预浸体19、29、39与树脂15、25、35或预浸体16、26、36。亦即，亦可在相同时机将板状树脂18、28、38或板状预浸体19、29、39与树脂15、25、35或预浸体16、26、36加热硬化等而一体形成。又，本发明的积层体，亦可如图10、图11所示，板状树脂48、58或板状预浸体49、59与树脂45、55或预浸体46、56以各别构件的形态形成。亦即，亦可在积层体40、50中，以不同时机形成被附载体铜箔41、51夹持的板状树脂48、58或板状预浸体49、59与形成为从侧面覆盖积层面的树脂45、55或预浸体46、56，而不像图7～图9般板状树脂与覆盖积层面的树脂成一体。另，在图10、图11中，板状树脂48、58或板状预浸体49、59与树脂45、55或预浸体46、56可为不同种类，或亦可为相同种类。例如，可使用板状预浸体49、59与环氧树脂等的树脂45、55来构成。另，板状树脂18、28、38、48、58或板状预浸体19、29、39、49、59及树脂15、25、35、45、55或预浸体16、26、36、46、56亦可为后述的树脂层，亦可含有后述的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另，图10、图11所示的积层体40、50，例如亦可通过下述方式制作：在板状树脂48、58或板状预浸体49、59的两面，分别积层附载体铜箔41、51，视需要，遮盖表面的附载体铜箔41、51，对积层面从侧面涂布如后述的树脂并使之加热硬化。又，图6～11所示的积层体10、20、30、40、50，各别亦可形成为以B－B线切割而切出的积层体。另，切割位置的B－B线，在图6、图7、图8、图10设置在覆盖积层体外缘部的树脂15、25、45；预浸体16、26、46上，但并不限定于此。亦即，亦可将切割位置的B－B线设置在开口部17、27、47上。＜粗化处理＞在极薄铜层的表面，例如亦可为了使与绝缘基板的密合性良好等，而通过施以粗化处理，来设置粗化处理层。又，亦可通过施以载体的表面粗化处理，来设置粗化处理层。若借助此种构成，则在进行将本发明的附载体铜箔从载体侧积层在树脂基板的处理时，载体与树脂基板的密合性会获得提升，在印刷配线板的制造步骤中，载体与树脂基板不易剥离。粗化处理，例如可通过以铜或铜合金形成粗化粒子来进行。粗化处理亦可为微细者。粗化处理层亦可为由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任1种以上的合金构成的层等。又，亦可进行下述的粗化处理：在以铜或铜合金形成粗化粒子后，进一步以镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子。然后，亦可以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，并且对其表面施以铬酸处理、硅烷偶合处理等处理。或者亦可不进行粗化处理，而以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，并且对其表面施以铬酸处理、硅烷偶合处理等处理。亦即，可在粗化处理层的表面，形成选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层，或者亦可在极薄铜层及载体的至少一者的表面或两者的表面，形成选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。另，上述的耐热层、防锈层、铬酸处理层、硅烷偶合处理层各自亦可由多个层形成(例如2层以上、3层以上等)。另，此等的表面处理对于极薄铜层的表面粗糙度几乎不会造成影响。粗化处理，例如可经由以铜或铜合金形成粗化粒子来进行。从形成细间距的观点，粗化处理层优选以微细粒子构成。形成粗化粒子时的电镀条件，若提高电流密度，降低镀液中的铜浓度，或增大库仑量，则会有粒子微细化的倾向。本发明的附载体铜箔的极薄铜层的粗化处理方法，具体而言，可通过以下的(1)～(4)中任一种来进行。(1)提高粗化处理时的电流密度。由此，由于极薄铜层表面的凹凸会变微细，表面的凹凸增加，故光会容易被吸收。(2)增大粗化处理时的库仑量。由此，由于极薄铜层表面的凹凸、粒子的叠积变多，故光会容易被吸收。(3)增长粗化处理时的粗化处理时间。由此，由于极薄铜层表面的凹凸、粒子的叠积变多，故光会容易被吸收。(4)将如粗化处理粒子变小的添加元素(例如Ni、Co、W、As等)添加在处理液。由此，由于极薄铜层表面的凹凸会变微细，表面的凹凸增加，故光会容易被吸收。以下更具体地说明上述本发明的附载体铜箔的极薄铜层的粗化处理方法。·粗化处理为铜合金粗化镀敷(在镀浴进行的粗化镀敷，该镀浴的镀液中的铜浓度为与其他元素浓度相同程度的值，或为其他元素浓度的数十分之1倍至数十倍(较佳为数倍至数十倍)。)的情形：(A)没有基底的粗化处理的情形(满足以下的(a)、(b)中任一者以上即可)(a)在该铜合金粗化镀敷的镀敷条件下，将电流密度控制为40～60A/dm2。又，将粗化处理时间控制为1～10秒，将库仑量控制为45～300As/dm2。(b)在该铜合金粗化镀敷的镀敷条件中，将库仑量控制为200～300As/dm2。又，将粗化处理时间控制为1～10秒，将电流密度控制为30～45As/dm2。(B)具有基底的粗化处理的情形时(满足以下的(c)～(e)中任两者以上即可)(c)在该铜合金粗化镀敷的镀敷条件下，将电流密度控制为52～65A/dm2。(d)在该铜合金粗化镀敷的镀敷条件下，将粗化处理时间控制为6～16秒。(e)在该铜合金粗化镀敷的镀敷条件下，将库仑量控制为60～80As/dm2。·粗化处理为铜粗化镀敷(在镀浴进行的粗化镀敷，该镀浴的镀液中的铜浓度较其他元素浓度高100倍以上。)的情形：进行铜粗化镀敷1、随后的铜粗化镀敷2的至少二段的粗化处理。此时，以满足下述(f)、(g)中的任一者的方式进行粗化处理。(f)将第一段的粗化处理的库仑量控制为600As/dm2以上。(g)将第二段的粗化处理的电流密度控制为0.5～13A/dm2，将库仑量控制为0.05～1000As/dm2。又，此时，优选使粗化处理时间为0.1～20秒。(表面粗糙度Rz)在依JISB0601－1994以雷射显微镜测量前述极薄铜层的表面时，使前述表面的粗糙度Rz(十点平均粗糙度)在1.7μm以下，经由此可良好地抑制形成在该表面的电路发生迁移，在形成细间距的观点，极为有利。Rz的平均值优选在1.6μm以下，更优选在1.5μm以下，更优选在1.4μm以下，更优选在1.3μm以下，更优选在1.2μm以下，更优选在1.0μm以下，更优选在0.8μm以下。但是，Rz的平均值若变得过小，则与树脂的密合力会降低，故优选在0.01μm以上，更优选在0.1μm以上，进而更优选在0.3μm以上，最优选在0.5μm以上。另，在本发明中，极薄铜层的表面粗糙度(Rz)指在极薄铜层经表面处理的情形，该经表面处理之侧的表面的粗糙度。另，在印刷配线板或覆铜积层体等在极薄铜层表面接合有树脂等绝缘基板的情形，可经由将绝缘基板融化去除，对铜电路或铜箔表面测量前述的表面粗糙度(Rz)。(光的吸收率)本发明的附载体铜箔，极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率被控制在85％以上。附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板，将载体剥除后，将电路形成在露出的极薄铜层表面。此时，首先在极薄铜层表面(在本发明中，当极薄铜层的表面被实施过粗化处理等表面处理的情形时，“极薄铜层表面”指极薄铜层经表面处理后的表面)设置镀敷阻剂，对镀敷阻剂的既定区域进行曝光，但通常由于镀敷阻剂为透光性，故光会透射过镀敷阻剂而在极薄铜层表面反射。此时的反射光，通常具有在垂直于极薄铜层表面的方向反射的正反射光与未垂直反射而漫射的漫反射光。其中，漫反射光亦会进入镀敷阻剂待硬化的区域以外的区域，而有位在待硬化的区域以外的镀敷阻剂亦会硬化的忧虑。相对于此，本发明由于极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率被控制在85％以上，因此当曝光时，在极薄铜层表面会吸收透射过镀敷阻剂的光，经由此可抑制极薄铜层表面的光的反射。因此，可抑制不必要的镀敷阻剂的硬化，可精度佳地对镀敷阻剂待硬化的区域进行加工，经由此可精度佳地形成所对应的电路形状。极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率，优选在87％以上，更优选在90％以上，进而更优选在91％以上，进而更优选在92％以上，进而更优选在93％以上，进而更优选在95％以上。极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率上限为100％，典型在99.9％以下，典型在99.5％以下、99.3％以下。＜印刷配线板及积层体＞可通过将附载体铜箔从极薄铜层侧贴附在绝缘树脂板进行热压接，将载体剥除，来制作积层体(覆铜积层体等)。又，然后，可通过对极薄铜层部分进行蚀刻，来形成印刷配线板的铜电路。此处所使用的绝缘树脂板，若具有可应用在印刷配线板的特性，则无特别限制，例如，作为刚性PWB用，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，作为FPC用，则可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜等。以此方式制作的印刷配线板、积层体，可安装在要求安装零件高密度构装的各种电子零件。另，在本发明中，“印刷配线板”亦包含装有零件的印刷配线板及印刷电路板，以及印刷基板。又，可连接2片以上的本发明的印刷配线板，来制造连接有2片以上的印刷配线板的印刷配线板，又，可连接至少1片本发明的印刷配线板与另一片非相当于本发明的印刷配线板或本发明的印刷配线板的印刷配线板，亦可使用此种印刷配线板来制造电子机器。另，在本发明中，“铜电路”亦包含铜配线。又，附载体铜箔亦可在极薄铜层上具备粗化处理层，在前述粗化处理层上，亦可具备1层以上选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层、及硅烷偶合处理层组成的群中的层。又，亦可在前述极薄铜层上具备粗化处理层，并在前述粗化处理层上具备耐热层、防锈层，亦可在前述耐热层、防锈层上具备铬酸处理层，亦可在前述铬酸处理层上具备硅烷偶合处理层。又，前述附载体铜箔亦可在前述极薄铜层上，或前述粗化处理层上，或前述耐热层、防锈层，或铬酸处理层，或硅烷偶合处理层之上具备树脂层。前述树脂层亦可为接合剂，亦可为接合用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括即使以手指接触其表面亦无黏着感，可使该绝缘树脂层重叠加以保管，并且若受到加热处理，则会产生硬化反应的状态。又，前述树脂层亦可含有热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，前述树脂层亦可含有热塑性树脂。前述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，前述树脂层例如亦可使用国际公开号WO2008/004399、国际公开号WO2008/053878、国际公开号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本特许第3184485号、国际公开号WO97/02728、日本特许第3676375号、日本特开2000－43188号、日本特许第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本特许第3992225号、日本特开2003－249739号、日本特许第4136509号、日本特开2004－82687号、日本特许第4025177号、日本特开2004－349654号、日本特许第4286060号、日本特开2005－262506号、日本特许第4570070号、日本特开2005－53218号、日本特许第3949676号、日本特许第4178415号、国际公开号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本特许第5024930号、国际公开号WO2006/028207、日本特许第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开号WO2006/134868、日本特许第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开号WO2007/105635、日本特许第5180815号、国际公开号WO2008/114858、国际公开号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开号WO2009/001850、国际公开号WO2009/145179、国际公开号WO2011/068157、日本特开2013－19056号记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置来形成。又，前述树脂层，其种类并无特别限制，作为较佳者，例如可列举包含选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯基缩醛树脂、胺酯树脂、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈－丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2－双(4－氰酸酯苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2－双(4－环氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚－氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯基丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中一种以上的树脂。又，上述环氧树脂在分子内具有2个以上的环氧基者，只要为可用在电子材料用途者，则可无特别问题地使用。又，上述环氧树脂较佳为使用分子内具有2个以上环氧丙基的化合物而进行环氧化的环氧树脂。又，可将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、环氧丙胺型环氧树脂、异氰尿酸三环氧丙酯、N,N－二环氧丙基苯胺等环氧丙胺化合物、四氢邻苯二甲酸二环氧丙酯等环氧丙酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中一种或两种以上混合而使用，或可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。作为上述含磷环氧树脂，可使用公知的含有磷的环氧树脂。又，上述含磷环氧树脂优选为例如以源自分子内具备2个以上的环氧基的9,10－二氢－9－氧杂－10－磷杂菲－10－氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。(在树脂层含有介电体(介电体填料)的情形时)前述树脂层亦可含有介电体(介电体填料)。于在上述任一种树脂层或树脂组成物含有介电体(介电体填料)的情形时，可用在形成电容器层的用途，而增大电容器电路的电容。该介电体(介电体填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr－Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的介电体粉。介电体(介电体填料)亦可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性，优选为粒径为0.01μm～3.0μm，优选为0.02μm～2.0μm的范围者。另，在利用扫描型电子显微镜(SEM)对介电体拍摄照片，在该照片上的介电体的粒子之上划出直线的情形时，将横穿介电体粒子的直线的长度最长部分的介电体粒子的长度设为该介电体粒子的直径。并且，将测定视野中介电体的粒子直径的平均值设为介电体的粒径。将上述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基赛珞苏、N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基乙酰胺、N,N－二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，例如通过辊式涂布法等将其涂布在前述附载体铜箔的极薄铜层侧的表面，继而，视需要进行加热干燥去除溶剂而形成为B阶段状态。干燥例如使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。可使用溶剂溶解上述树脂层的组成物，而制成树脂固形物成分3wt％～70wt％，优选为3wt％～60wt％，优选为10wt％～40wt％，更优选为25wt％～40wt％的树脂液。再者，就环境的观点而言，在现阶段最优选为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂来进行溶解。再者，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。又，上述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL－P－13949G进行测量时的树脂溢流量位在5％～35％的范围的半硬化树脂膜。在本申请说明书中，所谓树脂溢流量，是依据MIL标准中的MIL－P－13949G，自附有将树脂厚度设为55μm的树脂的表面处理铜箔取样4片10cm见方的试样，在使该4片试样重叠的状态(积层体)下，在加压温度171℃、加压压力14kgf/cm2、加压时间10分钟的条件下进行贴合，根据测定此时的树脂流出重量的结果并根据数1而算出的值。[数1]具备前述树脂层的表面处理铜箔(附有树脂的表面处理铜箔)以下述方面使用，即，使其树脂层与基材重叠后将整体热压合而使该树脂层热硬化，继而在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情形时，将载体剥离而使极薄铜层露出(当然露出部分为该极薄铜层的中间层侧的表面)，自与表面处理铜箔经粗化处理的侧为相反侧的表面形成特定的配线图案。若使用该附有树脂的表面处理铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时预浸材料的使用片数。并且，即使将树脂层的厚度设为如可确保层间绝缘的厚度，或完全未使用预浸材料，亦可制造覆铜积层体。又，此时，亦可将绝缘树脂底涂在基材表面而进一步改善表面的平滑性。另，在未使用预浸材料的情形时，具有下述优点：可节约预浸材料的材料成本，且亦简化积层步骤，因此在经济方面有利，并且，由于没有预浸材料的厚度，故所制造的多层印刷配线基板的厚度会变薄，而可制造1层的厚度在100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。此树脂层的厚度优选在0.1～500μm，更优选在0.1～300μm，更优选在0.1～200μm，更优选在0.1～120μm。若树脂层的厚度小于0.1μm，则接合力会下降，在不隔着预浸材料而将该附有树脂的附载体铜箔积层在具备有内层材料的基材时，有时会难以确保内层材料与电路之间的层间绝缘。另一方面，若使树脂层的厚度大于120μm，则有时会难以通过1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，而花费额外的材料费与工时，因此在经济上变得不利。另，在将具有树脂层的附载体铜箔用在制造极薄的多层印刷配线板的情形时，为了减小多层印刷配线板的厚度，优选将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm，更优选设为0.5μm～5μm，更优选设为1μm～5μm。又，当树脂层含有介电体的情形时，树脂层的厚度优选为0.1～50μm，优选为0.5μm～25μm，更优选为1.0μm～15μm。又，与前述硬化树脂层、半硬化树脂层的总树脂层厚度优选为0.1μm～120μm，优选为5μm～120μm，优选为10μm～120μm，更优选为10μm～60μm。又，硬化树脂层的厚度优选为2μm～30μm，优选为3μm～30μm，更优选为5～20μm。又，半硬化树脂层的厚度优选为3μm～55μm，优选为7μm～55μm，更理想为15～115μm。其原因在于：若总树脂层厚度超过120μm，则有时会难以制造厚度薄的多层印刷配线板，若未达5μm，则虽然容易形成厚度薄的多层印刷配线板，但内层的电路间的绝缘层即树脂层会过薄，有时会产生使内层的电路间的绝缘性不稳定的倾向。又，若硬化树脂层厚度未达2μm，则有时必须要考虑铜箔粗化面的表面粗度。相反地若硬化树脂层厚度超过20μm，则由经硬化的树脂层达成的效果有时会没有获得特别地提升，且总绝缘层厚会变厚。另，在使前述树脂层的厚度为0.1μm～5μm的情形时，为了提升树脂层与附载体铜箔的密合性，优选在极薄铜层上设置耐热层及/或防锈层及/或铬酸处理层及/或硅烷偶合处理层后，在该耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合处理层上形成树脂层。另，前述树脂层的厚度，指在任意10点借助观察剖面测得的厚度的平均值。并且，该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，亦可将树脂层被覆在前述极薄铜层上，或前述耐热层、防锈层，或前述铬酸处理层，或前述硅烷偶合处理层上，形成半硬化状态之后，接着将载体剥离，而以不存在载体的附有树脂的铜箔的形态来制造。并且，该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，亦可将树脂层被覆在前述极薄铜层上，或前述耐热层、防锈层，或前述铬酸处理层，或前述硅烷偶合处理层上，形成半硬化状态之后，接着将载体剥离，而以不存在载体的附有树脂的铜箔的形态来制造。＜印刷配线板的制造方法＞本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层为极薄铜层侧与绝缘基板对向后，经过剥除该附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，然后，经由半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法，形成电路的步骤。亦可使绝缘基板为具有内层电路者。在本发明中，半加成法指在绝缘基板或铜箔种晶层上进行薄的无电电镀，在形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。因此，使用半加成法的本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板之后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；将穿孔或/及盲孔设置在通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该树脂及该穿孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；在该无电电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；将该镀敷阻剂去除的步骤；经由快速蚀刻，等将位在形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层去除的步骤。使用半加成法的本发明的印刷配线板制造方法的另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；对通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂表面设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在该无电电镀层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；将该镀敷阻剂去除的步骤；经由快速蚀刻等，将位在形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除的步骤。在本发明中，改良半加成法指下述方法：将金属箔积层在绝缘层上，以镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电镀增加电路形成部的铜厚后，将阻剂去除，通过(快速)蚀刻将该电路形成部以外的金属箔去除，由此将电路形成在绝缘层上。因此，使用改良半加成法的本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；将穿孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；在设置该镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；将该镀敷阻剂去除的步骤；通过快速蚀刻，将经去除该镀敷阻剂而露出的极薄铜层去除的步骤。使用改良半加成法的本发明的印刷配线板制造方法的另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；将该镀敷阻剂去除的步骤；通过快速蚀刻等，将位在形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除的步骤。在本发明中，部分加成法指下述方法：在设置导体层而成的基板、视需要开出穿孔或通孔用的孔而成的基板上赋予触媒核，进行蚀刻，形成导体电路，并视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在该导体电路上，通过无电电镀处理对穿孔或通孔等进行增厚，借助此制造印刷配线板。因此，使用部分加成法的本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；将穿孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；将抗蚀剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将该极薄铜层及该触媒核去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤；将阻焊剂或镀敷阻剂设置在经通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除该极薄铜层及该触媒核而露出的该绝缘基板表面的步骤；将无电电镀层设置在未设置该阻焊剂或镀敷阻剂的区域的步骤。在本发明中，减成法指下述方法：经由蚀刻等，选择性地去除覆铜积层体上铜箔不需要的部分，而形成导体图案。因此，使用减成法的本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；将穿孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将电镀层设置在该无电电镀层的表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将该极薄铜层及该无电电镀层及该电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。使用减成法的本发明的印刷配线板制造方法的另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，将该附载体铜箔的载体剥除的步骤；将穿孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该穿孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将遮罩形成在该无电电镀层表面的步骤；将电镀层设置在未形成遮罩的该无电电镀层表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将该极薄铜层及该无电电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。亦可不进行设置穿孔或/及盲孔的步骤及其后的去胶渣步骤。此处，使用附图详细说明使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例。首先，如图1－A所示，准备具有极薄铜层的附载体铜箔(第1层)，该极薄铜层的表面形成有粗化处理层。接着，如图1－B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻成既定形状。接着，如图1－C所示，形成电路用的镀敷后，将抗蚀剂去除，由此形成既定形状的电路镀敷。接着，如图2－D所示，将嵌入树脂设置在极薄铜层上，覆盖电路镀敷(以掩埋电路镀敷的方式)，积层树脂层，然后自极薄铜层侧接合另一附载体铜箔(第2层)。接着，如图2－E所示，自第2层附载体铜箔剥除载体。接着，如图2－F所示，对树脂层的既定位置进行雷射开孔，使电路镀敷露出，形成盲孔。接着，如图3－G所示，将铜埋入盲孔，形成填孔。接着，如图3－H所示，在填孔上，如上述图1－B及图1－C的方式形成电路镀敷。接着，如图3－I所示，自第1层附载体铜箔剥除载体。接着，如图4－J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除，使树脂层内的电路镀敷的表面露出。接着，如图4－K所示，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。上述另外的附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，或亦可使用以往的附载体铜箔，进而亦可使用通常的铜箔。又，在图3－H所示的第2层的电路上，亦可进一步形成1层或多个层的电路，亦可通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法进行其等的电路形成。又，前述被用在第1层的附载体铜箔，在该附载体铜箔的载体侧表面亦可具有基板。被用在第1层的附载体铜箔因具有该基板或树脂层而会获得支持，不易产生皱折，因此具有提升生产性的优点。另，前述基板若为具有支持被用在前述第一层的附载体铜箔的效果者，则可使用所有的基板。例如可使用本案说明书记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为前述基板。在载体侧表面形成基板的时机并无特别限制，但必须在剥离载体之前形成。尤佳于在前述附载体铜箔的前述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤前形成，更佳于在附载体铜箔的前述极薄铜层侧表面形成电路的步骤前形成。本发明的附载体铜箔，优选为极薄铜层表面的色差被控制成满足以下(1)。在本发明中，所谓“极薄铜层表面的色差”，表示极薄铜层的表面的色差，或在实施有粗化处理等各种表面处理的情形时，表示其表面处理层表面的色差。亦即，本发明的附载体铜箔，优选为极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合层的表面的色差被控制成满足以下(1)。(1)极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合处理层的表面基于JISZ8730的色差ΔE＊ab在45以上。此处，色差ΔL、Δa、Δb分别以色差计测量，添加黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JISZ8730的L﹡a﹡b表色系统而表示的综合指标，以ΔL：黑白、Δa：红绿、Δb：黄蓝的形式表示。又，ΔE﹡ab使用此等的色差以下式表示。[数2]ΔE*ab=ΔL2+Δa2+Δb2]]>上述色差可通过提高形成极薄铜层时的电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、提高镀敷液的线性流速，来进行调整。又，上述色差亦可通过对极薄铜层的表面实施粗化处理而设置粗化处理层，来进行调整。在设置粗化处理层的情形时，可通过使用含有铜及选自由镍、钴、钨、钼组成的群中一种以上的元素的电解液，较以往提高电流密度(例如40～60A/dm2)，并缩短处理时间(例如0.1～1.3秒钟)，来进行调整。当在极薄铜层的表面未设置粗化处理层的情形时，可通过如下方式达成，即，使用将Ni浓度设为其他元素的2倍以上的镀浴，用较以往低的电流密度(0.1～1.3A/dm2)，并将处理时间设定得较长(20秒～40秒)，对极薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合处理层的表面进行Ni合金镀敷(例如Ni－W合金镀敷、Ni－Co－P合金镀敷、Ni－Zn合金镀敷)处理。若极薄铜层表面基于JISZ8730的色差ΔE＊ab在45以上，则例如当将电路形成在附载体铜箔的极薄铜层表面时，极薄铜层与电路的对比会变得鲜明，其结果，视认性变良好而可精度良好地进行电路的对位。极薄铜层表面基于JISZ8730的色差ΔE﹡ab优选在50以上，更优选在55以上，再更优选在60以上。当极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合层的表面的色差被控制成如上述般的情形时，与电路镀敷的对比变得鲜明，视认性变良好。因此，在如上述的印刷配线板例如如图3－C所示的制造步骤中，可精度良好地将电路镀敷形成在既定位置。又，若根据如上述的印刷配线板的制造方法，由于成为电路镀敷埋入树脂层的构成，因此例如当如图4－J所示的利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀敷受到树脂层保护，其形状得以保持，藉此易于形成微细电路。又，由于电路镀敷受到树脂层保护，因此耐迁移性提高，可良好地抑制电路的配线的导通。因此，易于形成微细电路。又，在如图4－J及图4－K所示般经由快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀敷的露出面成为自树脂层凹陷的形状，因此容易在该电路镀敷上形成凸块，并且容易在其上形成铜柱，而提高制造效率。另，嵌入树脂可使用公知的树脂、预浸体。例如，可使用BT(双顺丁烯二酰亚胺三)树脂或或为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、AjinomotoFine-Techno股份有限公司制ABF膜或ABF。又，前述嵌入树脂可使用本说明书记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。[实施例]以下，通过本发明的实施例进一步详细说明本发明，但本发明并不受到此等实施例的任何限定。1.附载体铜箔的制造准备以下的铜箔主体层(原箔)，作为实施例1～10及比较例1～15。·一般电解原箔以铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L、氯化物离子浓度30～100ppm、胶浓度1～5ppm、电解液温度57～62℃的硫酸铜电解液作为电解铜镀浴，使流经阳极与阴极(铜箔用电沈积用金属制滚筒)间的电解液的线速度为1.5～2.5m/秒，以电流密度70A/dm2制作厚度18μm(重量厚度143g/m2)的一般电解原箔。·附载体铜箔以前述的一般电解原箔制造条件，制作厚度18μm的一般电解原箔。以该一般电解原箔作为铜箔载体，通过下述方法，形成中间层、厚度1.5、2、3、5μm的极薄铜层，而得到附载体极薄铜箔。另，本说明书所记载的被用于电解、蚀刻、表面处理或镀敷等的处理液(蚀刻液、电解液)的剩余部分，只要没有特别叙明，则为水。(1)Ni层(中间层：基底镀敷1)对铜箔载体的S面，以下述条件，在卷对卷型连续镀敷生产线进行电镀，藉此形成1000μg/dm2附着量的Ni层。具体的镀敷条件如下。硫酸镍：270～280g/L氯化镍：35～45g/L乙酸鎳：10～20g/L硼酸：30～40g/L光泽剂：糖精、丁炔二醇等十二基硫酸钠：55～75ppmpH：4～6浴温：55～65℃电流密度：10A/dm2(2)Cr层(中间层：基底镀敷2)接着，对(1)所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而在卷对卷型连续镀敷生产线上，以下述条件进行电解铬酸处理，使11μg/dm2附着量的Cr层附着在Ni层上。重铬酸钾：1～10g/L，锌：0g/LpH：7～10液温：40～60℃电流密度：2A/dm2(3)极薄铜层接着，对(2)所形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后，继而在卷对卷型连续镀敷生产线上，以下述条件进行电镀，藉此将厚度1.5、2、3、5μm的极薄铜层形成在Cr层上，制得附载体极薄铜箔。铜浓度：80～120g/L硫酸浓度：80～120g/L氯化物离子浓度：30～100ppm调平剂(levelingagent)1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm调平剂2(胺化合物)：10～30ppm另，调平剂2使用下述的胺化合物。[化1](上述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中。)电解液温度：50～80℃电流密度：100A/dm2接着，对极薄铜层的表面依序实施粗化处理、阻隔处理、防锈处理、涂布硅烷偶合剂的各表面处理。各处理条件如下。〔粗化处理〕对前述的各种原箔表面，以表1所记载的条件进行粗化处理。在表1中，均具有粗化处理1及粗化处理2的记载者，表示依序进行粗化处理1及粗化处理2。又，表1中的粗化处理条件(1)～(9)，表示记载在表2及3的各粗化处理条件。〔阻隔(耐热)处理〕对于实施例1、2、4～7、10，比较例1、3、4、8、9、13、14，以下述条件进行阻隔(耐热)处理，形成黄铜镀敷层或锌镍合金镀敷层。实施例1、4、6、10，比较例1、3、8、13的阻隔层(黄铜镀敷)形成条件：使用铜浓度50～80g/L、锌浓度2～10g/L、氢氧化钠浓度50～80g/L、氰化钠浓度5～30g/L、温度60～90℃的黄铜镀浴，以电流密度5～10A/dm2(多段处理)对形成有粗化处理层的面赋予镀敷电量30As/dm2。实施例2、5、7，比较例4、9、14的阻隔层(锌镍镀敷)形成条件：使用添加有Ni：10g/L～30g/L、Zn：1g/L～15g/L、硫酸(H2SO4)：1g/L～12g/L、氯化物离子：0g/L～5g/L的镀浴，以电流密度1.3A/dm2对形成有粗化处理层的面赋予镀敷电量5.5As/dm2。〔防锈处理〕对于实施例1、2、4～7、10，比较例1、3、4、8、9、13、14，以下述条件进行防锈处理(铬酸处理)，形成防锈处理层。(铬酸盐条件)在CrO3：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na2SO4：10g/L、pH4.8、54℃的铬酸盐浴，施予0.7As/dm2的电量。〔硅烷偶合处理〕对于实施例1、2、4～7、10，比较例1、3、4、8、9、13、14，以下述条件进行硅烷偶合剂处理，形成硅烷偶合处理层。对铜箔经粗化处理的侧的面，喷洒含有0.2～2％的烷氧基硅烷的pH7～8的水溶液，藉此进行硅烷偶合剂涂布处理。另，对于实施例10与比较例1，在防锈处理、硅烷偶合处理剂涂布之后，更进一步以下述条件形成树脂层。(树脂合成例)将3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3－双(3－胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ－戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N－甲基－2－吡咯啶酮(以下记载为NMP)300g、甲苯20g加入在附有不锈钢制锚型搅拌棒、氮导入管及管闩的分离器上安装有具备球管冷凝管的回流冷凝器的2公升三口烧瓶，以180℃加热1小时后，冷却至室温附近，然后加入3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2－双{4－(4－胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，以室温混合1小时后，以180℃加热3小时，而得到固形物成分38％的嵌段共聚聚酰亚胺。此嵌段共聚聚酰亚胺，是下述的一般式(1)：一般式(2)＝3：2，数量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。[化2]进一步以NMP将合成例所得的嵌段共聚聚酰亚胺溶液加以稀释，制成固形物成分10％的嵌段共聚聚酰亚胺溶液。使双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷(BMI－H，KIChemicalIndustry公司)的固形物成分重量比率为35，嵌段共聚聚酰亚胺的固形物成分重量比率为65(亦即，树脂溶液所含的双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷固形物成分重量：树脂溶液所含的嵌段共聚聚酰亚胺固形物成分重量＝35：65)，以60℃、20分钟将双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷溶解混合在该嵌段共聚聚酰亚胺溶液，制成树脂溶液。然后，在实施例28，使用反辊涂布机将该树脂溶液涂布在铜箔的M面(高光泽面)，在氮环境下，以120℃进行3分钟干燥处理，并以160℃进行3分钟干燥处理后，最后以300℃进行2分钟加热处理，制得具备有树脂层的铜箔。另，使树脂层的厚度为2μm，而在实施例8，则是使用反辊涂布机将该树脂溶液涂布在铜箔的极薄铜表面，在氮环境下，以120℃进行3分钟干燥处理，并以160℃进行3分钟干燥处理后，最后以300℃进行2分钟加热处理，制得具备有树脂层的铜箔。另，使树脂层的厚度为2μm。将所得的具有树脂层的附载体铜箔自该树脂层侧贴合在厚度100μm的三菱气体化学股份有限公司制的BT(双顺丁烯二酰亚胺三)树脂的两面。然后，将附载体铜箔的载体剥离，制成两面覆铜积层体。然后，自露出的极薄铜层表面侧进行脉冲雷射的照射，形成穿孔。其结果，使用实施例10的附载体铜箔所制得的两面覆铜积层体的用以形成穿孔所需的雷射脉冲次数(发射数)，少于使用比较例1的附载体铜箔所制得的两面覆铜积层体。因此，使用实施例10的附载体铜箔所制得的两面覆铜积层体的生产性较高。2.附载体铜箔的评价对以上述方式所得的附载体铜箔，用以下的方法实施各评价。＜极薄铜层的表面粗糙度＞依JISB0601－1994，使用奥林巴斯公司制雷射显微镜OLS4000测量极薄铜层的表面粗糙度Rz(雷射)。任意测量10处Rz(雷射)，以该Rz(雷射)10处的平均值为Rz(雷射)值。另，对于Rz，在极薄铜层及载体表面的倍率1000倍观察中以评价长度为647μm、截取值为0的条件，通过作为载体使用的电解铜箔的制造装置中与电解铜箔进行方向垂直的方向(TD)的测量，求出各个值。使雷射显微镜的表面Rz的测量环境温度为23～25℃。＜迁移＞在各附载体铜箔(在实施例10与比较例1，为形成树脂层前的附载体铜箔)(550mm×550mm的正方形)的极薄铜层表面上，层叠涂布DF(干膜，日立化成公司制，商品名RY－3625)。以15mJ/cm2的条件进行曝光，使用显影液(碳酸钠)以38℃进行1分钟液喷射振荡，以线与间隔(L/S)＝7.5μm/7.5μm形成抗蚀剂图案。接着，利用硫酸铜镀敷(Ebara-Udylite制造的CUBRITE21)镀高7.5μm后，以剥离液(氢氧化钠)剥离DF，在极薄铜层表面，在每个55mm×55mm的大小的区域，形成线与间隔(L/S)＝7.5μm/7.5μm的铜镀敷配线。然后，以埋入前述形成的铜镀敷配线的方式将树脂(BT(双顺丁烯二酰亚胺三)树脂)积层在极薄铜层表面，并且将JX日矿日石金属股份有限公司制的电解铜箔JTC箔(厚度18μm)自光泽面侧积层在前述树脂上。然后在加压下，以220℃加热2小时，制作附载体铜箔与树脂与电解铜箔的积层体。然后，将附载体铜箔的载体自积层体去除后，以硫酸－过氧化氢系蚀刻剂将露出的极薄铜层蚀刻去除，而形成L/S＝7.5μm/7.5μm的配线。依据上述每个55mm×55mm的大小的区域自所得到的配线基板切出100个配线基板。对所得到的各配线基板，使用迁移测量机(IMV制MIG－9000)，以下述测量条件，评价配线图案间有无绝缘劣化。对于100个配线基板，评价发生迁移的基板的数目，由此算出短路(迁移)发生率〔＝(迁移发生数/100个)×100〕(％)。·测量条件界限值：初期电阻下降60％测量时间：1000h电压：60V温度：85℃相对湿度：85％RH＜光吸收性＞光吸收性以下述方式测量。测量各附载体铜箔的极薄铜层表面波长为400nm的光的总反射率，通过下式测量波长为400nm的光的吸收率。另，在本发明中，测量光波长为400nm时的光吸收率的理由，由于当形成铜镀敷电路时，在对成为铜镀敷阻剂的干膜进行曝光时所使用的光的波长大约为400nm左右的缘故。〔波长为400nm的光的吸收率〕(％)＝100(％)－〔波长为400nm的光的总反射率〕(％)此处，光的总反射率的测量，对200nm～2600nm进行，采用波长为400nm的情形时的光总反射率的测量值。另，上述光总反射率的测量，在各附载体铜箔的样品片的长边方向，对自两端起50mm以内的区域内的各1部位、中央部的50mm×50mm区域内的1部位合计3部位进行。将该3部位的测量部位示于图5。然后，将在3部位所测得的波长为400nm的光的总反射率值的算术平均的值作为该样品片的波长为400nm的光的总反射率。另，在样品的大小较小的情形，上述自两端起50mm以内的区域及中央部的50mm×50mm区域亦可重叠。＜测量装置＞U－4100(日立制作所制，紫外可见近红外分光光度计(固体))＜测量条件＞测量方法：全反射法(基准：氧化铝制标准白板)模式：全反射测量模式：波长扫描数据模式：％R测量开始波长：2600.00nm测量结束波长：200.00nm取样间隔：1.00nm入射角：上述测量装置建议的设定(10°)。检测器：积分球/光电倍增器(200nm～850nm)：积分球/PbS(850nm～2600nm)检测器切换波长：850nm光电倍增器电压：自动1光源切换模式：自动切换光源切换波长：340.00nm基线设定：上述测量装置建议的设定。高分解能测量：OFF消光板衰减率：未使用消光板单元长：10.0mm·紫外可见区域(波长：200nm～850nm)扫描速度：300nm/min狭缝宽度：6.00nm(固定)·近红外区域(波长：850nm～2600nm)扫描速度：750nm/min狭缝宽度：自动控制PbS感度：2检测器切换修正：无修正光量控制模式：固定＜电路形成性(电路脱落率)＞在各附载体铜箔(在实施例10与比较例1，为形成树脂层前的附载体铜箔)(550mm×550mm的正方形)的极薄铜层表面上，层叠涂布DF(干膜，日立化成公司制，商品名RY－3625)。以15mJ/cm2的条件进行曝光，使用显影液(碳酸钠)以38℃进行1分钟液喷射振荡，以线与间隔(L/S)＝7.5μm/7.5μm形成抗蚀剂图案。接着，利用硫酸铜镀敷(Ebara-Udylite制造的CUBRITE21)镀高7.5μm后，以剥离液(氢氧化钠)剥离DF，在极薄铜层表面，在每个55mm×55mm的大小的区域，形成线与间隔(L/S)＝7.5μm/7.5μm的铜镀敷配线。然后，依据上述55mm×55mm的大小的区域切出100个样品。然后对所得的样品进行AOI检查，测量铜镀敷配线脱落的样品的个数。又，使用下式评价电路脱落率。电路脱落率(％)＝铜镀敷配线脱落的样品数(个)/100(个)×100(％)测试条件及评价结果示于表1～3。(评价结果)实施例1～10的极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率皆在85％以上，故电路形成性良好。比较例1～15的极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率皆未达85％，故电路形成性不良。当前第1页1 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