1.一种附载体铜箔，依序具有载体、中间层、极薄铜层，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在85％以上。
2.如权利要求1所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在87％以上。
3.如权利要求2所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在90％以上。
4.如权利要求3所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在91％以上。
5.如权利要求4所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在92％以上。
6.如权利要求5所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在93％以上。
7.如权利要求6所述的附载体铜箔，其中，该极薄铜层表面波长为400nm的光的吸收率在95％以上。
8.如权利要求1至7中任一项所述的附载体铜箔，其中，依据JISB0601－1994以雷射显微镜测量该极薄铜层的表面时，该表面的粗糙度Rz的平均值在1.7μm以下。
9.如权利要求1至8中任一项所述的附载体铜箔，其中，该载体以电解铜箔或压延铜箔形成。
10.如权利要求1至9中任一项所述的附载体铜箔，其中，在该极薄铜层及该载体的至少一者的表面或两者的表面，具有粗化处理层。
11.如权利要求10所述的附载体铜箔，其中，该粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌组成的群中任一单质或含有此等单质任1种以上的合金构成的层。
12.如权利要求10或11所述的附载体铜箔，其中，在该粗化处理层的表面，具备树脂层。
13.如权利要求10或11所述的附载体铜箔，其中，在该粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层，铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。
14.如权利要求1至13中任一项所述的附载体铜箔，其中，在该极薄铜层及该载体的至少一者的表面或两者的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层。
15.如权利要求13或14所述的附载体铜箔，其中，在该选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中1种以上的层上，具备树脂层。
16.如权利要求1至15中任一项所述的附载体铜箔，其中，在该极薄铜层上具备树脂层。
17.如权利要求12、15或16所述的附载体铜箔，其中，该树脂层为接合用树脂。
18.如权利要求12、15至17中任一项所述的附载体铜箔，其中，该树脂层为半硬化状态的树脂。
19.一种积层体，使用权利要求1至18中任一项所述的附载体铜箔制造。
20.如权利要求19所述的积层体，其具备一对该附载体铜箔，将该一对附载体铜箔彼此积层而构成，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成。
21.如权利要求19所述的积层体，其具备一对该附载体铜箔，构成为在该一对附载体铜箔之间具有树脂或预浸体，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘至少一部分被树脂或预浸体覆盖而成。
22.如权利要求20或21所述的积层体，其中，在俯视该附载体铜箔时，该附载体铜箔的积层部分的外缘整体被树脂或预浸体覆盖而成。
23.一种印刷配线板，使用权利要求1至18中任一项所述的附载体铜箔制造。
24.一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备权利要求1至18中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
积层该附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
在积层该附载体铜箔与绝缘基板后，经过剥除该附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，\t形成电路的步骤。
25.一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在权利要求1至18中任一项所述的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；
以掩埋该电路的方式，将树脂层形成在该附载体金属箔的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤；
将电路形成在该树脂层上的步骤；
在将电路形成在该树脂层上后，将该载体或该极薄铜层剥离的步骤；及
在将该载体或该极薄铜层剥离后，将该极薄铜层或该载体去除，藉此使形成在该极薄铜层侧表面或该载体侧表面被该树脂层掩埋的电路露出的步骤。
26.如权利要求25所述的印刷配线板的制造方法，其中，将电路形成在该树脂层上的步骤是下述的步骤：将另外的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在该树脂层上，使用贴合在该树脂层的附载体铜箔形成该电路。
27.如权利要求26所述的印刷配线板的制造方法，其中，贴合在该树脂层上的另外的附载体铜箔为权利要求1至18中任一项所述的附载体铜箔。
28.如权利要求25至27中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中，将电路形成在该树脂层上的步骤，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法进行。
29.如权利要求25至28中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其进一步包含下述步骤：在将载体剥离前，将基板形成在附载体铜箔的载体侧表面。