一种电镀设备内环压合机构的制作方法

1.本实用新型涉及芯片封装领域，尤其涉及一种电镀设备内环压合机构。


背景技术：

2.集成电路英语或称微电路、微芯片、晶片/芯片在电子学中是一种将电路 (主要包括半导体设备，也包括被动组件等)小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。
3.目前在芯片上电镀的金凸块的工艺一般包括：第一步，溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；第二步，光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻；第三步，曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；第四步，显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；第五步，电镀金：在芯片上光阻开窗区镀 10-15微米高度的金凸块；第六步，光阻去除；第七步，进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；第八步，钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜，本步钛钨蚀刻的作用是去除金凸块两侧溅镀的钛钨膜。
4.其中在第五步电镀金中，在芯片光阻开窗取电镀10
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15微米高度的金凸块，部分产品设计因gooddie layout(良品)距wafer edge(硅片边缘)较近，导致外围good die(良品)会被内圈密封圈压到而报废。
5.因此，有必要提供一种电镀设备内环压合机构解决上述技术问题。


技术实现要素：

6.本实用新型提供一种电镀设备内环压合机构，解决了金凸块电镀中部分产品设计因良品距硅片边缘较近，导致外围良品会被内圈压到而报废的问题。
7.为解决上述技术问题，本实用新型提供的电镀设备内环压合机构，包括：
8.平台，所述平台的上侧设置有凸起部，所述凸起部的直径为299.7mm；
9.晶圆片，所述晶圆片设置于所述平台的上侧且套设于凸起部的外部，所述晶圆片的内圈环直径为300.15mm，所述晶圆片的内部设置有密封圈，所述密封圈的宽度值为1.25mm。
10.优选的，所述密封圈3的外圈直径为299mm。
11.优选的，所述平台的下侧通过固定杆固定连接有安装板，所述安装板上设置有定位调节件，所述定位调节件包括螺帽，所述螺帽固定于所述安装板的底部，所述螺帽的内部螺纹连接有带动轴。
12.优选的，所述带动轴的顶端贯穿安装板且延伸至安装板的上侧，所述带动轴的表面且位于安装板的上侧固定连接有两个挡环，所述带动轴的表面且位于两个挡环之间套设有连接套环。
13.优选的，所述连接套环的表面转动连接有四个传动板，所述传动板的端部转动连接有横移板，所述横移板的顶端固定连接有l形定位块。
14.优选的，所述平台上开设有滑槽，所述l形定位块通过滑槽延伸至平台的上侧，所
述平台的边侧固设有定位杆，所述横移板的一侧套设于定位杆的表面。
15.优选的，所述带动轴的底端与驱动件的输出轴固定连接。
16.优选的，所述平台上设置有上顶件，所述上顶件包括上顶杆，所述上顶杆贯穿于所述平台上，所述上顶杆位于平台的上侧固定连接有限位环，所述上顶杆的底端转动连接有转动臂，所述转动臂的底端位于横移板的上侧。
17.优选的，所述横移板的上侧且位于转动臂的一侧设置有挡块。
18.与相关技术相比较，本实用新型提供的电镀设备内环压合机构具有如下有益效果：
19.本实用新型提供一种电镀设备内环压合机构，通过将平台凸起部、晶圆片的内圈环尺寸和密封圈的宽度值依次设置为299.7mm、300.15mm和1.25mm，使密封圈3到硅片最边缘位置最高为1.825mm，最低为1.705，降低影响范围，控制晶圆片放置平台时的偏移量，提高电镀的成功率。
附图说明
20.图1为本实用新型提供的电镀设备内环压合机构第一实施例的结构示意图；
21.图2为本实用新型提供的电镀设备内环压合机构第二实施例的结构示意图；
22.图3为图2所示的定位调节件的结构示意图；
23.图4为图2所示的定位调节件的俯视图；
24.图5为图2所示的上顶件的结构示意图。
25.图中标号：1、平台，2、晶圆片，3、密封圈，4、凸起部，5、安装板，6、定位调节件，61、螺帽，62、带动轴，63、挡环，64、连接套环，65、传动板， 66、横移板，67、l形定位块，68、挡块，7、上顶件，71、上顶杆，72、限位环，73、转动臂。
具体实施方式
26.下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
27.请结合参阅图1、图2、图3、图4和图5，其中，图1为本实用新型提供的电镀设备内环压合机构第一实施例的结构示意图。电镀设备内环压合机构，包括：平台1，所述平台1的上侧设置有凸起部4，所述凸起部4的直径为 299.7mm；
28.晶圆片2，所述晶圆片2设置于所述平台1的上侧且套设于凸起部4的外部，所述晶圆片2的内圈环直径为300.15mm，所述晶圆片2的内部设置有密封圈3，所述密封圈3的宽度值为1.25mm。
29.所述密封圈3的外圈直径为299mm。
30.密封圈3到硅片最边缘位置最高为1.825mm，最低为1.705mm，密封圈3 固定于晶圆片2的内部，且优选为粘接。
31.本实用新型提供的电镀设备内环压合机构的工作原理如下：
32.通过将原平台1凸起部4尺寸300.25mm修改为299.7mm，晶圆片2的内圈环尺寸由301.45mm修改为300.15mm，以及将密封圈3的宽度值有1.8mm 修改为1.25mm，使密封圈3到硅片最边缘位置最高为1.825mm，最低为 1.705mm，(其中数字越小代表影响有效良品距离越远)。
33.与相关技术相比较，本实用新型提供的电镀设备内环压合机构具有如下有益效果：
34.通过将平台1凸起部4、晶圆片2的内圈环尺寸和密封圈3的宽度值依次设置为299.7mm、300.15mm和1.25mm，使密封圈3到硅片最边缘位置最高为1.825mm，最低为1.705，降低影响范围，控制晶圆片放置平台时的偏移量。
35.第二实施例
36.请结合参阅图2、图3、图4和图5，基于本技术的第一实施例提供的电镀设备内环压合机构，本技术的第二实施例提出另一种电镀设备内环压合机构。第二实施例仅仅是第一实施例优选的方式，第二实施例的实施对第一实施例的单独实施不会造成影响。
37.具体的，本技术的第二实施例提供的电镀设备内环压合机构的不同之处在于，电镀设备内环压合机构，所述平台1的下侧通过固定杆固定连接有安装板 5，所述安装板5上设置有定位调节件6，所述定位调节件6包括螺帽61，所述螺帽61固定于所述安装板5的底部，所述螺帽61的内部螺纹连接有带动轴 62。
38.固定杆优选设置四个，带动轴62的表面设置有与螺帽61适配的内螺纹。
39.所述带动轴62的顶端贯穿安装板5且延伸至安装板5的上侧，所述带动轴62的表面且位于安装板5的上侧固定连接有两个挡环63，所述带动轴62 的表面且位于两个挡环63之间套设有连接套环64。
40.两个挡环63可以对连接套环64的水平方向限位，但连接套环64仍然可以沿带动轴62轴向转动，设置连接套环64的位置带动轴62的表面未设置螺纹。
41.所述连接套环64的表面转动连接有四个传动板65，所述传动板65的端部转动连接有横移板66，所述横移板66的顶端固定连接有l形定位块67。
42.横移板66为l形，l形定位块67固定在横移板短边侧的顶端。
43.所述平台1上开设有滑槽8，所述l形定位块67通过滑槽8延伸至平台 1的上侧，所述平台1的边侧固设有定位杆，所述横移板66的一侧套设于定位杆的表面。
44.通过设置定位杆可以对横移板66的竖直方向进行定位，使横移板66只能沿定位杆的表面横向移动。
45.所述带动轴62的底端与驱动件的输出轴固定连接。
46.驱动件优选设置为电机，电机输出轴的一端与带动轴62的底端通过联轴器固定连接。
47.所述平台1上设置有上顶件7，所述上顶件7包括上顶杆71，所述上顶杆71贯穿于所述平台1上，所述上顶杆71位于平台1的上侧固定连接有限位环72，所述上顶杆71的底端转动连接有转动臂73，所述转动臂73的底端位于横移板66的上侧。
48.平台1顶部对应限位环72的位置开设有嵌入槽，通过限位环72配合嵌入槽可以对上顶杆71限位，防止其向下移动，上顶件7对应横移板66优选设置有四个。
49.所述横移板66的上侧且位于转动臂73的一侧设置有挡块68。
50.当横移板66移动时，挡块68可以推动转动臂73，使转动臂73上推上顶杆71，向上推动晶圆片2，便于取出晶圆片2；
51.当对晶圆片2电镀金凸块时，将晶圆片2放置在平台1上，然后启动驱动件带动带动轴62顺时针转动，与螺帽61作用向上移动，通过挡环63的作用，上推连接套环64，连接套环
64带动传动板65的一端向下移动，传动板65拉动横移板66沿定位杆向内侧移动，从而带动四个l形定位块67向内侧移动，将晶圆片2的边侧进行定位，使其放置更加的稳定，提高后续电镀的成功率；
52.其中移动的距离根据l形定位块67定位的距离值调控驱动件的转动的时间；
53.当电镀完成需要取出晶圆片2时，此时控制驱动件反向转动，此时带动轴 62向上移动，其中传动板65推动横移板66沿定位杆向外侧移动，此时l形定位块67向外侧移动，移出晶圆片2，此时挡块68与转动臂73接触，此时横移板66继续移动，挡块推动转动臂73，转动臂73上推上顶杆71，向上推动晶圆片2，便于取出晶圆片2；
54.取出晶圆片后，此时转动臂73驱动件再次顺时针转动，移动至挡块68 与转动臂73刚接触，此时上顶杆71顶端与平台1顶部平齐。
55.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。