技术特征：
1.一种弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、腐蚀箔的制备；取纯度不低于99.9%的铝箔浸入腐蚀酸液中，对其表面进行腐蚀；s2、将步骤s1所得腐蚀箔浸于温度控制在75～85℃以上的、含有n-丁基-n-甲基哌啶双 (三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，0.05～0.1 a/cm2微电流下进行化成，且时长控制在60～90s，制成一级化成箔；s3、将步骤s2得到的一级化成箔浸于温度控制在75-85℃以上的、含有超量缓蚀剂的二次化成液中，且时长控制在6～8min，制成二级化成箔；s4、对步骤s3中所得二级化成箔执行水洗操作，且冲洗时长不少于2min；s5、将经步骤s4处理后的二级化成箔置于烘箱内进行烘干处理，温度控制在480～520℃，且时长控制在40～60s；s6、将经步骤s5处理后的二级化成箔置于真空环境或惰性气体氛围中自然冷却，即得电极箔成品。2.根据权利要求1所述弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，所用一次化成液为含有体积百分比浓度为1.5～2%盐酸、体积百分比浓度为0.01～0.02%缓蚀剂和体积百分比浓度为1～1.6% n-丁基-n-甲基哌啶双 (三氟甲烷磺酰)亚胺盐的混合溶液。3.根据权利要求1所述弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，在步骤s3中，所用二次化成液为含有体积百分比浓度为1.5～2%盐酸和体积百分比浓度为0.1～0.15%缓蚀剂的混合液。4.根据权利要求1-3中任一项所述弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所用腐蚀酸液为温度控制在50～70℃，且盐酸（11.03mo/l）：硫酸（7.5mol/l）=2:1的混合溶液中。5.根据权利要求4所述弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，在执行步骤s1进程中，向着腐蚀酸液通入电流，在145a-108a-50a-13a-2a电流渐变衰减下分阶段进行腐蚀，且各阶段电流腐蚀时间均控制为15s。
技术总结
本发明涉及弯曲性能良好电极箔的制备方法，步骤如下：腐蚀箔的制备；将腐蚀箔浸于含有N-丁基-N-甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，微电流下进行化成，制成一级化成箔；将一级化成箔浸于含有超量缓蚀剂的二次化成液中，制成二级化成箔；对二级化成箔进行水洗，且烘干处理；经冷却后，即得电极箔成品。在一次化成阶段，N-丁基-N-甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐产生同离子协同效应使得一级化成液在腐蚀箔表面形成均匀的双电层，使得腐蚀从蚀刻坑中均匀铺展开，从而使得腐蚀反应得以匀速进行，进而有效地减少了残芯过度腐蚀现象，使得成品电极箔的弯曲性能得到大幅度地提升。升。升。
技术研发人员：孙新明 朱伟晨 王建中 冒慧敏 李姜红 王贵州 金学军
受保护的技术使用者：南通海一电子有限公司 宁夏海力电子有限公司
技术研发日：2022.05.18
技术公布日：2022/7/29