专利名称：一种半导体压力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种传感器，尤其是一种压力传感器，更确切的说是一种半导体压力传感器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是所述的传感器是由衬底层、隔离层、压阻层三层结构组成，所述的衬底层是单晶硅层，隔离层是二氧化硅层，压阻层是微晶硅薄膜层。压阻层厚度在100nm-5000nm之间。采用的压阻层是经过掺杂的，以获得合适的电阻率。制作压阻层所采用的技术是等离子化学气相薄膜沉淀技术或微波化学气相薄膜沉淀技术，从而给出了一种制备工艺简单、成本低廉但又能在较高温度工作的半导体压力传感器。
本实用新型的有益效果是此种结构的半导体压力传感器的压阻层是采用富氢微晶硅薄膜，薄膜由大量Si细微晶粒和包围这些晶粒的晶间界面组成该薄膜具有比多晶硅高的压阻效应，所以此种半导体压力传感器不仅可在较高的工作温度下工作，而且灵敏度也较高且制作工艺简单，成本低廉。
图1是本实用新型一种半导体压力传感器的示意图。
图2是本实用新型一种压力传感器又一结构示意图。
其中1为衬底层；2为隔离层；3为压阻层；4是金属电极；5为绝缘保护层。
权利要求1，一种半导体压力传感器，由衬底层组成，其特征在于在所述的衬底层上方设置有隔离层、压阻层，所述的衬底层是单晶硅层，所述的隔离层是二氧化硅层，所述的压阻层是微晶硅薄膜层。
2，根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于所述的压阻层是经过掺杂的微晶硅薄膜层。
3，根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其特征在于所述的压阻层的厚度在100nm-5000nm之间。
专利摘要一种半导体压力传感器，以单晶硅上的二氧化硅层作为隔离层，在二氧化硅隔离层上采用富氢微晶硅薄膜制备压阻元件的半导体压力传感器。可在较高的工作温度下正常工作，而且灵敏度也较高且制作工艺简单，成本低廉。
文档编号G01L9/06GK2572374SQ0228341
公开日2003年9月10日 申请日期2002年12月20日 优先权日2002年12月20日
发明者刘宏, 刘晓晗, 刘明 申请人:上海鸿宇纳米科技发展有限公司