专利名称：一种小电流传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及传感器，特别是涉及一种高精度小电流传感器。
背景技术：
高压电气设备状态监测系统中需要采用穿芯式精度比较高的小电流传感器，目前广泛使用的穿芯式小电流传感器，均采用高磁导率的材料，很容易受外界磁场特别是工频磁场(穿透能力强)干扰。为此，人们对传感器内的线圈进行了屏蔽，以期待能减少对其的干扰，但是对于比较高的精度及性能的要求，比如监测单元的工作环境要求抗工频磁场干扰能力达到GB/T17626.8-98标准4级，即100A/m，仅仅采用现在的对线圈屏蔽的单层屏蔽结构已经无法满足要求。
发明创造内容本实用新型的目的是提供一种抗工频磁场干扰能力强、结构简单、使用方便、精度高的小电流传感器。
为实现上述目的，本实用新型采取技术方案一种小电流传感器，它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线，在所述线圈的外侧设置有第一屏蔽层，在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层。
实际操作的时候，所述第一屏蔽层呈圆柱状，其与所述铁芯及线圈同轴，并将所述铁芯及线圈包容其中。所述第一屏蔽层轴向不闭合，即中间留有穿芯孔，外部表面留有一缝隙，缝隙轴向宽为1～2mm。所述第二屏蔽层呈四方体状，其将所述第一屏蔽层容置其中；所述第二屏蔽层上垂直铁芯孔轴向方向设置有至少一导线孔。
具体来讲，所述呈四方体状的第二屏蔽层的中，其中五面为活动面，所述活动面接在一起；另有一面为固定面，所述活动面可活动的与固定面连接在一起，活动面和固定面可以随时方便的拆卸和组装。
上述的第一、第二屏蔽层的材料为坡镆合金，厚度为1.5～2mm。
本实用新型由于采取以上设计，其具有以下优点1、本实用新型采用两层屏蔽结构，第一屏蔽层在保证铁芯和线圈正常使用的情况下，能够克服径向穿过铁心和线圈的磁场的干扰，第二屏蔽层将整只传感器屏蔽起来，能够克服轴向穿过铁心和线圈的磁场的干扰。2、本实用新型的两层屏蔽结构，即能保证传感器穿芯的特点，又能有效克服外界磁场的干扰，而且保证了高精度小电流传感器在施加100A/m的工频磁场时，角差变化不超过2’，比差变化不超过0.5％。3、本实用新型还具有结构简单，使用方便，成本低廉等优点。
图1为本实用新型的结构示意图图2为本实用新型的外观示意图具体实施方式
如图1、图2所示，为本实用新型提供的一种高精度小电流传感器，它包括有一铁芯1、一缠绕在铁芯1上的线圈2以及一穿过铁芯1中部的信号导线3，在线圈2的外侧设置有第一屏蔽层4，在第一屏蔽层4的外侧设置第二屏蔽层5。
在本实施例中，第一屏蔽层4呈圆柱状，其与铁芯1及线圈2同轴，并将铁芯1及线圈2包容其中；值得一提的是，第一屏蔽层4采用高磁导率的材料制作，如坡镆合金，厚度为1.5～2mm，为了使传感器能够正常测量，第一屏蔽层4沿轴向不闭合，即中间留有穿芯孔，外部表面留有一缝隙41，缝隙41轴向宽为1～2mm。
第二屏蔽层5呈四方体状，其将第一屏蔽层4容置其中；第二屏蔽层5上垂直铁芯轴向方向还设置至少一有导线孔6，一般来讲导线孔6的数量为两个，一个导线孔供信号导线3进入，一个导线孔供信号导线3出去，当然，只设有一个导线孔6也可以。上述的呈四方体状的第二屏蔽层5中，其中五面为活动面51，活动面51连接在一起；另有一面为固定面52，活动面51可活动的与固定面52连接在一起；活动面51和固定面52可以随时方便的拆卸和组装，这就使得第二屏蔽层5便于拆卸，方便了将里面的铁芯1、线圈2取出和放入以及导线穿过铁芯孔。第二屏蔽层5的材料与第一屏蔽层4相同，同样为高磁导率的坡镆合金，厚度为1.5～2mm。
第二层屏蔽将整只传感器屏蔽起来，屏蔽层遮住传感器穿芯孔以下2cm部分。该部分设计上便于拆卸，信号导线仍然穿过传感器孔，屏蔽层将信号导线也屏蔽在一起，从而传感器能够正常测量，而工频磁场沿轴向的影响大大被消弱。
综上所述，本实用新型采用厚1.5～2mm高磁导率的材料作屏蔽层，能够极大限度的消弱工频磁场的影响；更重要的是，两层屏蔽结构，第一屏蔽层在保证铁芯和线圈正常使用的情况下，能够克服径向穿过铁心和线圈的磁场的干扰，第二屏蔽层将整只传感器屏蔽起来，能够克服轴相穿过铁心和线圈的磁场的干扰。两层屏蔽结构，即能保证传感器穿芯的特点，又能克服外界磁场的干扰。以上结构保证了高精度小电流传感器在施加100A/m的工频磁场时，角差变化不超过2’，比差变化不超过0.5％。
权利要求1.一种小电流传感器，它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线，其特征在于在所述线圈的外侧设置有一第一屏蔽层，在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的小电流传感器，其特征在于所述第一屏蔽层呈圆柱状，其与所述铁芯及线圈同轴，并将所述铁芯及线圈包容其中。
3.根据权利要求2所述的小电流传感器，其特征在于所述第一屏蔽层轴向不闭合，外部表面留有一缝隙。
4.根据权利要求3所述的小电流传感器，其特征在于所述第一屏蔽层缝隙轴向宽1～2mm。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的小电流传感器，其特征在于所述第二屏蔽层呈四方体状，所述第一屏蔽层容置其中；所述第二屏蔽层上垂直铁芯孔轴向方向设置至少一导线孔。
6.根据权利要求5所述的小电流传感器，其特征在于所述呈四方体状的第二屏蔽层中，五面为连接在一起的活动面，一面为固定面，所述活动面可活动的与固定面连接在一起。
7.根据权利要求1或2或3或4所述的小电流传感器，其特征在于所述第一、第二屏蔽层的材料为坡镆合金，厚度为1.5～2mm。
8.根据权利要求5所述的小电流传感器，其特征在于所述第一、第二屏蔽层的材料为坡镆合金，厚度为1.5～2mm。
9.根据权利要求6所述的小电流传感器，其特征在于所述第一、第二屏蔽层的材料为坡镆合金，厚度为1.5～2mm。
专利摘要本实用新型公开了一种小电流传感器，它包括有一铁芯、一缠绕在所述铁芯上的线圈以及一穿过所述铁芯中部的信号导线，在所述线圈的外侧设置有一第一屏蔽层，在所述第一屏蔽层的外侧设置第二屏蔽层；所述第一屏蔽层呈圆柱状，其与所述铁芯及线圈同轴，并将所述铁芯及线圈容置其中；所述第二屏蔽层上设置至少一有导线孔。本实用新型所采用的两层屏蔽结构，既能保证传感器穿芯的特点，又能克服外界磁场的干扰，而且保证了高精度小电流传感器在施加100A/m的工频磁场时，角差变化不超过2’，比差变化不超过0.5％。
文档编号G01R15/00GK2769888SQ200520004908
公开日2006年4月5日 申请日期2005年2月21日 优先权日2005年2月21日
发明者鞠登峰, 樊炜, 杨晓洪 申请人:北京伏安电气公司