专利名称：微机电电流传感装置的制作方法
技术领域：
本发明大致通常涉及电流传感装置，更具体地说，涉及微 机电(MEMS)电流传感装置。
背景技术：
通常，用于电涌和/或脉冲电流校准的磁场传感装置都局限 于基于半导体的利用环形天线、罗果夫斯基(Rogowski)线圏(磁卡)的系 统。环形天线;险测/磁场变化(其导致电压变化)，以校准天线端子上的 电压。然而，天线和磁卡具有不足，即这些器件对电磁干扰(EMI)非 常敏感。此外，罗果夫斯基线圈具有与用于电流测量和磁场测量的带 宽相关的不足。此外，这些器件难以整合到涉及飞机、塔或塔状结构中的 雷电检测应用中。例如，风力涡轮具有塔状外观和结构，并且包括以 规律间隔向上延伸的叶片。还例如，飞机具有翅膀(机翼)，其以规律 间隔从主要结构(机身)中延伸出来。另外，风力涡轮可能接地，并且 对雷电和电磁干扰非常敏感。由于天线、罗果夫斯基线圈和磁卡在涉 及电磁干扰的应用中都具有一定的不足，所以可能降低了其在风力涡 轮应用中的使用性能。
发明内容
—种微机电电流传感装置包括载体部分、设置在载体部分 上的光学部分、设置在载体部分上并与光学路径的第一端成可操作的 通信的光源以及设置在载体部分上并与光学路径的第二端成可操作 的通信的光检测器，光学部分包括光学路径和位于光学路径中的-兹敏 感元件。
从结合附图所描述的本发明的详细说明中将更好地理解本 发明的这些目的、优势和特征以及其它目的、优势和特征。
当参照附图阅读以下详细说明时，将更好地理解本发明的 这些以及其它特征、方面和优势，其中在所有附图中相似的标号表示 相似的元件，其中图1显示了根据一个示例性实施例的光学电流传感器装置 的示例；图2显示了根据一个示例性实施例的光学电流传感器装置 的示例；图3显示了才艮据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的横截面；图4显示了才艮据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的顶一见图；图5显示了根据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的风力涡轮应用示例。图6显示了才艮据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的飞才几应用示例。
餘^标记斜
110电流传感装置；101偏振器；102偏振器；103光纤；104导 线；200电流传感装置；201偏振器；202偏振器；203 i兹榴石/亚铁 磁块；301光学部分；302a/b光源/光检测器；303信号处理部分； 304通信部分；305 EMI隔离屏障；306载体部分；401 -兹每文感元件； 402光波导管；403光波导管；500风力涡轮；501控制单元；502 MEMS电流传感器；503通信通道；510风力涡轮叶片；511前锥体； 601飞才几控制单元；602MEMS电流传感器；603通信通道；610机翼；611机身；
具体实施例方式这里公开了详细举例说明的实施例。然而，这里公开的特 殊功能细节仅仅代表描述示例性实施例的目的。然而，示例性实施例 可以许多备选形式来体现，并且不应该被理解为只局限于这里陈述的 实施例。因此，虽然示例性的实施例能够采用各种变型和备选形式， 但杂图中通过示例显示了其实施例，并将在这里进行详细描述。然而， 应该懂得其并不意图将示例性的实施例局限于所公开的特殊形式，而
是相反，示例性的实施例意图涵盖落在示例性实施例的范围内的所有 变型、等效物和备选例。应该懂得，虽然词语第一、第二等等在这里可用于描述各 种形式或模型，但是这些形式或模型不应受到这些词语的限制。这些 词语只用于将一种形式或模型与另一种形式或模型区别开。例如，在 不脱离本发明公开的范围内可将第 一形式称为第二形式，并且类似 地，可将第二模型称为第一模型。如这里所用词语"和/或"以及"/"符 号包括任何一个或多个相关的所列出的事物和所有组合。除非上下文中明确指出了以外，否则如这里所用单数形式" 一"、"一个"和"这个"是要包括复数形式的。还应该懂得词语"包括"、" 包含"当在本文中使用时，其指所述特征、整体、步骤、操作、元件和 /或部件的存在，而不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步 骤、操作、元件、部件和/或其群组。因此，这里所使用的术语仅仅是 为了描述特殊实施例的目的，并不意图要限制典型实施例。以下将详细地描述本发明公开的示例性实施例。根据示例 性的实施例，其公开了一种集成于MEMS结构中的电流传感器件。 MEMS器件的电流传感原理基于光学晶体或其它光学介质(例如光纤) 中的法拉第效应的基础之上。根据至少一个典型的实施例，MEMS电流传感器件/装置可包括能量源、光源、磁敏感材料、光检测器、信号 处理/存储单元、和/或通信单元，但根据任何特殊的实现形式可单独 地省略或整合这些构件的某些构件。相对较小的器件可放置导线附 近，以便通过测量由导线中的电流所引起的磁场而记录雷电和/或AC-脉冲电流事件。在事件之后(或基本上与事件同时)可存储数据，以便 传输到远离电流传感器件的系统控制单元中。该器件可装备有位于
MEMS结构上的额外特征，例如，加速计、应变测量传感器、和/或 温度测量器件。为了在若干方面测量磁场，传感器的光学部分可以是 多路复用的。电流传感器件的 一种应用可以是雷电流和/或浪涌电流的检 测。雷电流测量系统可能需要宽广频谱、宽广的测量范围，并且可需 要隔离或防止电^兹干扰(EMI)。光纤电流传感器(FOCS)可满足这些技 术要求。FOCS依赖磁光效应，其中材料的光学特性受到磁场或材料 自身磁化的影响。FOCS相对于电磁干扰是很具抵抗性的，因为由电 流造成的磁场可被转换成小尺寸器件中的光学信号。因此，电信号噪 声不会^皮传送给数据采集单元。除了减少的重量之外，FOCS的其它 优势是传感器不会受到过电流的损坏，过电流来源于由于雷击或大电 流作用而造成的意外电涌。依赖于所应用的光学材料，如此处所揭示 的那样，可实现基于法拉第效应的不同构造。如图1中所示，显示了一种典型的光学电流传感装置100。 装置100包括第一偏振器(polarizer)101和第二偏振器102。第一偏振 器101定位在光纤103的开始部分，并且第二偏振器102定位在光纤 103的终端部分。光纤103至少围绕导线104缠绕一圏。在存在由导 线104中的电流I引起的磁场的条件下，光的偏振面在光纤中旋转的 角度9,其由以下等式l给出。
等式1: 0 = ViVT
在等式1中，V表示磁光材料(例如光纤)的维尔德常数(Verdet Constant), N表示光纤103的绕组数量，并且I表示流过导线 104的电流。为了在输出信号中取得高的信噪比(SNR),可能需要若干 匝(N)光纤导线104,并且可使用不同的光学路径和光旋转检测方法来 减少和/或消除外部影响。目前存在具有相对较大的维尔德常数的光纤，但可能需要 长的传播路径以获得可测量的效果(例如，大的N)。然而，利用光纤 作为传感器可在某些应用中是不合实际的，因为将光纤线圏缠绕在导 线上并不总是可行的。所有光纤传感器的另一缺点是在某些应用中， 导线直径可能不小于4-5cm。违反这一条件通常导致相对较大的温度 敏感性。另外，由于光纤中的弯曲所造成的感应的线性双折射以及由 于内应力而造成的内在双折射可能在光纤电流传感器中变得日益显 著。然而，典型的实施例并不局限于完全由光纤组成的电流传 感器。根据某些典型的实施例，可使用光学透明或半透明的亚铁磁性 材料。例如，光学透明的亚铁磁和铁磁晶体材料，其具有大的维尔德 常数特征，并因此由于每单位长度增加的旋转角而具有较高的灵敏 度。亚铁磁铁榴石晶体呈现比那些典型的顺磁性材料和反磁性材料更 高数量级的磁光灵敏度。在钇铁石榴石(YIG)中，在lmm直径和5mm 长度的熔融生长棒(flux-grownrods)中可获得大约0.3。mT,500+MHz带 宽的灵敏度。代用石榴石，例如Ga: YIG，其呈现大的灵壽文度，但时 常具有较低的谐振频率，其可能降低带宽。为了更好地理解包括亚铁^磁性材岸十的典型的实施例，以下 将给出对一般法拉第效应、亚铁磁性材料中的法拉第效应以及包括亚 4失^磁性块的典型的电流传感装置的描述。法拉第效应可通常由利用纵向应用的磁场而使介质中出现 线偏振光的偏振面的旋转现象组成。对于反磁性材料和顺》兹性材料， 在磁场方向上移动的线偏振光显示出净旋转9，从而满足下面列出的 等式2。<formula>formula see original document page 9</formula>等式2: J在等式2中，e表示所测量的发光电场的旋转角，x表示自
由空间的发光波长，T表示环境温度，V表示磁光材料的维尔德常数， 并且H表示沿着传播路径的磁场强度。不同于旋转方向与传播方向直接相关的旋光性，法拉第效 应是单向的。旋转最直接与磁场相关联，使得光对其本身的反射旋转 加倍，其对于利用光纤线圈作为传感元件的FOCS是特别有用的特征。由于针对反;兹性材料和顺磁性材料的等式(等式2)，维尔德 常数是针对用作法拉第旋转器的磁性材料的适合性的指示器。穿过电 子结构的偏振光的旋光性可理解为圆形的双折射，其由左圓1-偏振光 分量和右圓r-偏振光分量存在不同的折射率来描述。各分量以不同的 折射率n，并因而以不同的速度穿过样本。如果频率f的光穿过以Lambor频率&旋转的电子系统和/ 或光学路径，那么频率相关的折射率由下面列出的等式3和4给出。
<formula>formula see original document page 9</formula>因此，用于维尔德常数等式的结果由下面列出的等式5给出。
等式5: 2簡〕维尔德常数与光在介质中的波长和其频散成比例，频散与 温度是相关的。在亚铁磁性材料和铁磁性材料中，磁化与磁场场强是 非线性相关的。因而，可以不使用维尔德常数。
如果同普通光纤相比，亚铁,兹性材料，例如钇铁石榴石以 及其它稀土铁石榴石(例如，YIG和RIG)具有相对较大的法拉第旋转 比。这导致了更小的法拉第旋转器，以测量给定的磁场强度，使得轻 量磁光换能器成为可能。用于生长这些材料的方法是很好确立的。此 外，在引入高维尔德常数材料的情况下，换能器的包装可以更小。由于根源于原子能级的固有磁性，关于亚铁磁性材料和铁 磁性材料的一个可能的缺陷是其在理论水平上的复杂性，其不同于完 全可应用等式2的反磁性材料和顺磁性材料，不会使这些材料适合于 法拉第旋转的纯理论预测。关于亚铁;兹性材料中的法拉第效应，亚铁-兹和铁z磁性材料 在外部磁场中被磁化，并在除去磁场之后保持磁化状态。他们可呈现 自发磁化(即，其在缺乏磁场的情况下拥有净磁矩)。在亚铁,兹性材料 中，不同的亚晶格上的原子能的磁矩是相反的。然而，相反的磁矩是 不等的，因而仍存在净磁化。在铁磁性材料中，所有磁性离子对净磁 化具有正面影响。磁力是由于磁偶极矩引起的，^兹偶极矩是由电子自 旋和其轨道角度动量的组合而引起的。在亚铁磁体和铁磁体中，原子 具有部分填充的壳或自旋，其不是上/下成对的，其抵消了偶极矩，并
因而能够在不应用外^f兹场的情况下具有净》兹化。电子由于泡利不相容原理(Pauli exclusion principle)而处于 相同方向上。然而，其存在冲突现象，并且偶极子附近具有以相反方 向对准的倾向。这产生了磁畴，从而存在短范围内的偶极子对准，但 长范围内的反对准。这两个》兹畴之间的过渡部分^^皮称为》兹畴壁或布洛 赫壁(Blochwall)。在足够强的外》兹场下，-兹畴将重新对准。然而，这 还指示在低的应用磁场下，还必须考虑过这些磁畴的存在以及其与加 强或变化的磁场的相互作用。材料磁化可变化的快速性受到磁畴壁运 动的动力学属性的限制。YIG(钇铁石榴石)是一种具有Y3Fe5012成分的亚铁磁石榴 石晶体。其对于波长长于大约1.1pm的光是透明的。在1.3,和1.5pm的波长下(在此波长下，易于在远程通信中得到可靠的源和检测器)光 学损失相对较低。来自电偶极子跃迁的分散旋转和来自》兹偶极子跃迁的非分 散部分旋转由于其大的法拉第旋转而以YIG著称。来自不同的原子对 每单元长度的磁光旋转的贡献可通过下面列出的等式6来描述。
等式6:下标m和e表示贡献来自不同共振类型的因素，并且上标 o和t表示来自YIG的铁原子的八面形位置和四面形位置。对于较低 的频率，由基于亚铁磁性材料的电流传感装置中的电流所引起的磁近 场可通过由以下等式7所代表的毕奥-萨瓦特定律(Biot-Savart Law)进 行计算
3 x 'F
等式7: 4TT'r'3在等式7中，矢量H指示磁场，I代表给定导线段中的电流， 矢量1代表导线段的长度元素，并且矢量r代表磁敏感元件至^f兹场点 的位移矢量。因此，亚铁磁性材料可用于检测法拉第效应，并因而可 用于光学电流传感装置。例如，图2显示了根据一个示例性实施例的 包括亚铁》兹性材料的示例性的光学电流传感器装置200。该装置200包括偏振器201和202。偏振器201和202可类 似于偏振器101和102。例如，偏振器201和202可用于有效地将进 入装置200的光发生偏振，并测量角度e,其代表离开装置200的光 的偏振角度上的变化。装置200还包括亚铁一磁块203。如上所述，亚 铁》兹块203例如可包括任何亚铁;兹性材料。此外，亚铁一磁块203可具有大致矩形的形状。或者，亚4失^t块203可采用大致椭圆形的形状， 容许进入块203中的光行进一段距离1， l代表块203的整个长度。随 着光移动距离1，其将经历与影响亚铁磁块203的磁场相关联的偏振 角度上的变化。例如，上面详细描述的/f兹场效应。装置200还包括导线104。导线104可类似于图1的导线 104，并因此可携带由装置200测量的电流I。电流I产生磁场B(其影 响亚铁》兹块203),从而改变光在亚铁磁块203中的偏振角度，容许装 置200有效地测量电流I。为了测量电流(例如，雷电流)，光纤磁场传感器的传感元件 (即块203)可》丈置在相对靠近导线104的位置，以4企测》兹场密度B或 由电流所产生或感应的磁场H,并最大程度地减小由干扰源引起的影 响。在传感头中，可将磁光铁榴石或块203设置在两个偏振器201和 202之间(见图2)。至于光源，可使用超辐射发光二极管(super luminescent diode)(SLD)、激光二极管或发光二极管，其将光耦合到为 块203供给的光波导管(例如，光纤)上。额外的光学器件，例如透镜 或其它器件可用于帮助将离开光波导管的光耦合到亚铁磁块203上。 类似的光学器件(例如，透镜等等)可用于将离开亚铁一磁块203的光耦 合到另一光波导管上，以便发送到光传感器上，例如半导体光接收器、 反向偏压二极管，或其它合适的器件例如光电变换器上。因而，传感 头的输出可以是强度调制的光信号，其通过另一光波导管而输送至光 电(o/e)变换器中。以下将参照图3和图4来描述MEMS电流传感装置。MEMS 电流传感装置可基于上述原理进行操作，并且可包括用于检测法拉第 效应的亚铁磁性材料和/或铁磁性材料和/或其它磁敏感材料，并因此 可用于电流传感应用。转到图3，其显示了才艮据一个示例性实施例的MEMS电流 传感装置300的横截面。装置300包括光学部分301。光学部分301 可包括光波导管和万兹敏感元件，例如，光纤和/或亚铁^磁性材料。装置300还包括光源/光检测器部分302a/b。该部分302a/b可包括用于发送 偏振光，使其穿过光学部分301的独立光源，以及用于检测离开光学 部分301的偏振光的法拉第效应的独立的光检测器。装置300还包括信号处理/能量源部分303。部分303可为 部分302的光源以及装置300的其它部分提供能量。此外，部分303 可提供信号处理操作，例如，与以上详细描述的等式某种程度上相似 的操作。操作可包括基于离开光学部分301的偏振光的角度差而确定 电流值或^r测雷击。装置300还包括通信单元304。通信单元304可与部分303 成可操作的通信，并且可发送与装置300所检测的电流相关联的信息。 例如，电流可流入相对接近装置300的位置。电流可通过离开光学部 分301的光的偏振角度变化来检测，这可通过光强度上的变化进行检 测。部分303可理解角度差，并确定是否已经发生电流或》兹场变化事 件(例如雷击)。之后，或基本上同时，通信部分304可发送与确定结 果相关的信息。装置300还包括电磁干扰隔离屏障或电;兹干扰减少屏障 305。屏障305可用于为装置300屏蔽或减少一些电磁干扰。例如， 光学部分301可相对不受电^f兹干扰的影响，而部分303和/或304可能 需要一定量的电磁干扰减少/隔离。屏障305可由任何用于减少电磁干 扰的合适材料组成。装置300还包括载体306。载体306可以是有效地支撑装置 300的不同部分(例如301-305)的机械部分或衬底。转到图4,其显示 了根据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置300的顶视图。如固4中所示，装置300还可包括位于光学部分301中或 其上面的光波导管402和403。光波导管可提供使光在光源/光检测器 部分302a/b来回移动的路径。装置300还包括》兹壽文感元件401。磁敏 感元件401可包括亚铁;兹性材料、铁》兹性材料或其它合适的材料，并 且如果磁场影响磁敏感元件401时，可确立穿过磁敏感元件401的光偏振角度上的变化。例如，在相对较接近装置300的导线中流动的电 流可产生》兹场，其影响-兹萄文感元件401，从而记录光学部分301中的 光偏振变化。因此，如上所述，示例性实施例提供了基于MEMS的电流 传感装置。注意，如这里所述的电流传感装置可用于各种对电磁干扰 或其它电气干扰形式敏感的应用中。例如，如以上所述，风力涡轮或 飞机可能遇到相对较大量的电磁干扰。此外，可能需要在风力涡轮或 飞机中检测雷击(例如，4企测大的电流脉冲)。因此，这里将描述一个 包括风力涡轮和飞机的应用示例。这个应用示例只是用于进一步理解 示例性实施例的目的，并因而决非对示例性实施例的限制。图5显示了才艮据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的示例性风力涡轮应用。如图所示，风力涡轮500可包括多个叶片510。 各个叶片可能容易受到闪电或其它电流事件的影响，并因此可为 一个 或多个风力涡轮叶片510装备MEMS电流传感装置502。装置502基 本上可类似于之前所述的装置300。通信通道503可互连在装置502和风力涡轮控制单元501 之间。通信通道503可以是任何能有效地在装置502和控制单元501 之间实现信息通信的通信通道。例如，通信通道503可以是光纤通道、 电气通信通道或其它合适的通道。控制单元501可集成或安装在风力 涡轮500的前锥体部分511上或其里面，并可与装置502通信，并且 控制风力涡轮500的操作。图6显示了根据一个示例性实施例的MEMS电流传感装置 的飞机应用示例。如图所示，飞机600可包括多个机翼(翼型)610。各 个机翼可能容易受到闪电或其它电流事件的影响，并因此可为 一个或 多个飞机机翼610装备MEMS电流传感装置602。装置602基本上可 类似于之前所述的装置300。通信通道603可互连在装置602和飞机控制单元601之间。 通信通道603可以是任何能有效地在装置602和控制单元601之间实现信息通信的通信通道。例如，通信通道603可以是光纤通道、电气 通信通道或其它合适的通道。控制单元601可集成或安装在飞机600 的机身部分611上或其里面，并可与装置602通信，并且控制飞机600 的操作。还应注意，根据示例性实施例，对于闪电4企测系统处于备 用模式并准备好在发生雷击情况时被触发的时间内，穿过光源的电流 被调整，使得o/e-变换器在限定的设定点输出恒定信号。当发生雷击 时，依据雷击电流在正向或逆向方向上的极性而调制输出信号。然而， 由于环境温度上的变化和由于光学设备中的其它影响，这个设定点信 号并不是恒定的。这种漂移影响系统在设定点的触发性，并且可能超 过触发水平或向o/e-变换器的极限移动。对于多传感器系统(例如，固定在多个风力涡轮叶片或飞机 翼型上的多个传感器)，当使用一个公共光源时，各个传感头上的漂移 是相同的。因此，通过观察一个通道，可推断出其它传感器的漂移。 为了控制漂移并将调整过的设定点保持在最佳水平，将额外的低频率 信号输入合并至数据采集系统中。该通道连接在控制电路上，其利用 比例-积分-微分(PID)控制器来调整设定点。由于控制电路的采样率小 于针对雷电流测量的数据采集率，所以控制器系统不会干扰雷电电流 测量。如这里所述，示例性实施例提供了利用光学材料的电流传 感装置。该装置可集成有电源。该电源可为光源、光检测器、数据处 理单元和/或通信单元输送功率。电源可以是蓄电池、光电池(例如由 光纤或日光获得补给)和/或机电变压器。光源可以是超辐射发光二极 管(SLD)、激光二极管或发光二极管。所发射的光可发生线性偏振。 在集成的光导系统中可将光引导至装置的MEMS结构上，并引导至磁 敏感元件或晶体上。如果偏振状态不能受到光源的控制，那么偏振器 可集成于晶体的前面。具有相对较高的维尔德常数为特征的光学晶体 结构(例如亚4^磁性或铁〃磁性晶体)，其可在MEMS处理期间直接沉积在结构中或放置在结构后面。在晶体之后，第二偏振器(例如，相对入
射光成45° )导致穿过的光相对于磁场发生强度调制(法拉第效应)。光
检测器单元可测量这种强度。信号处理单元可测量相对于时间的导 数。当该导数超过给定的极限(正的或负的)时，就检测到雷击或电流。在一个雷击的示例中，该信息可被储存起来，并可由通信 单元通过光缆链路、无线电传输、电传输等等而发送给控制单元。装 置的电子部分可进行电》兹干扰隔离。在电流测量应用中，测量例如闪 电参数的增强型MEMS器件可装备有光源控制环路。这个利用比雷击 频率更低频率进行控制的环路，可将输出强度保持在相对较稳定的 值。为了校准磁场测量值，在电磁干扰隔离的MEMS结构中可采用温 度传感器件。在已经描述了本发明的仅仅某些示例性实施例的条件下， 明显可看出可以许多方式改变这些实施例。之前本发明的描述使用了 这些示例，包括最佳模式，以使本领域中的技术人员实践本发明，包 括制造和使用任何装置或系统，并执行任何所含的方法。本发明可取 得专利的范围由权利要求限定，并且可包括本领域中的技术人员想到 的其它示例。如果这些其它示例具有并非不同于权利要求语言的结构 元件，或者如果其包括与权利要求语言无实质差异的等效的结构元 件，那么这些其它示例都属于权利要求的范围内。这种改型并不被认 为脱离了本发明的精神和范围，并且所有这种改型都意图被包含在以 下权利要求所陈述的本发明的范围内。
权利要求
1.一种微机电(MEMS)电流传感装置，其包括载体部分(306)；设置在所述载体部分(306)上的光学部分(301)，所述光学部分(301)包括光学路径(402，403)和位于所述光学路径(402，403)中的磁敏感元件(401)；设置在所述载体部分(306)上的光源(302a)，其与所述光学路径(402)的第一端成可操作的通信；和设置在所述载体部分(306)上的光检测器(302b)，其与所述光学路径(302b)的第二端成可操作的通信。
2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁敏感元件(401) 是亚铁磁块、铁磁块、磁敏感晶体或偏振保持光纤。
3. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光源(302a)是 超辐射发光二极管、发光二极管或激光二极管。
4. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括 信号处理部分(303)，其与所述光^r测器(302b)成可梯:作的通信。
5. 根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述信号处理部 分(303)与所述光源(302a)成可操作的通信。
6. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述信号处理部 分(303)配置成能够确定在相对较接近所述磁敏感元件(401)的附近流 动的电流量。
7. 根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述信号处理部 分(303)配置成能够确定在相对较接近所述磁敏感元件的附近流动的 电流量。
8. 根据权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括 通信部分(304),其与所述信号处理部分成可操作的通信。
9. 根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述通信部分(304)配置成能够传送由所述信号处理部分确定的电流测量结果。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括 电磁干扰(EMI)隔离屏障(305)，其配置成可将所述通信部分、所 述信号处理部分、所述光源和所述光检测器与电磁干扰(EMI)隔离开。
全文摘要
一种微机电(MEMS)电流传感装置包括载体部分(306)、设置在所述载体部分(306)上的光学部分(301)、设置在所述载体部分(306)上并与光学路径(402)的第一端成可操作的通信的光源(302a)、以及设置在载体部分(306)上并与光学路径(403)的第二端保持可操作的通信的光检测器(302b)，所述光学部分(301)包括光学路径(402，403)和位于光学路径(402，403)中的磁敏感元件(401)。
文档编号G01R19/00GK101539592SQ20091012908
公开日2009年9月23日 申请日期2009年3月19日 优先权日2008年3月19日
发明者S·G·M·克雷默, Y·N·M·埃尔南德斯 申请人:通用电气公司