专利名称：一种经颅磁刺激线圈温度测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种温度测量装置，更具体地是涉及一种经颅磁刺激线圈温度测
量装置。
背景技术：
经颅磁刺激是使用脉冲磁场影响脑的电活动的方法。该方法通过在脑外头皮上施 加强脉冲磁场，脉冲磁场在脑内感应出电场，从而实现对脑的电活动的干预。经颅磁刺激系统主要有高压脉冲电源和线圈两部分组成，它是基于电磁感应基本 原理，通过一个充电的高压电容对一个电感线圈瞬时放电来产生很强的脉动电流从而获得 强磁场用于经颅磁刺激激。其中放电线圈是一个基本的RLC(如图1所示)。由于要获得强磁场，需要对线圈 施加一个几百伏甚至上千伏的高压脉冲，且线圈的电阻要尽量小，大致为几欧姆，由此对线 圈放电时将在线圈上产生极大的瞬时电流，从而将使线圈发热，若连续放电，将会使线圈的 温度不断上升，以致影响线圈的性能，甚至损坏线圈。为此需要实时测量线圈的温度。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种经颅磁刺激线圈温度测量装置，以实时测量线圈 的温度。为实现上述目的，本实用新型提供的经颅磁刺激线圈温度测量装置，主要包括一经颅磁刺激线圈，所述经颅磁刺激线圈的内圈处设置一温度传感器，由绝缘导 热硅橡胶灌封为一体；所述温度传感器与信号采集系统电连接。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中温度传感器与一增益放大电路电连 接，该增益放大电路再与信号采集系统电连接。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中经颅磁刺激线圈为8字型线圈，所述 温度传感器置于8字型线圈的中间位置处。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中温度传感器为钼金属温度传感器。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中钼金属温度传感器为钼金属温度传感 器 PT100。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中温度传感器并联有防雷保护电路。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中防雷保护电路是由4个高压瞬态抑制 二极管组成。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中高压瞬态抑制二极管为SMBJ18A 二极管。所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其中增益放大电路为双运算放大器LM358。本实用新型可以准确地实时测量经颅磁刺激线圈的温度。
图1为公知放电线圈的基本电路。图2是本实用新型经颅磁刺激线圈温度测量装置的结构示意图。图3是本实用新型经颅磁刺激线圈温度测量装置的电原理示意图。
具体实施方式
请结构图2，本实用新型提供的经颅磁刺激线圈温度测量装置，主要是将经颅磁刺 激线圈的内圈处放置一个温度传感器(如果经颅磁刺激线圈为8字型线圈，则将温度传感 器置于8字型线圈的中间位置处)，再用绝缘导热硅橡胶将经颅磁刺激线圈和温度传感器 灌封为一体，温度传感器的数据线露在灌封的线圈模块的外面，电连接一增益放大电路，该 增益放大电路与一信号采集系统电连接。温度传感器测量得到的经颅磁刺激线圈的温度信 号经增益放大电路将信号发大后再送给信号采集系统进行采集。本实用新型采用信号采集系统可以为公知的一些信号采集方式/技术，举一个具 体的例子增益放大电路通过数据线与Iabview的接线盒相连，接线盒再通过屏蔽式线缆 与计算机PCI卡相连，PCI卡与上层Iabview软件通信，采集温度。温度传感器可以采用钼金属温度传感器PT100，它具有抗振动、稳定性好、准确度 高、耐高压等优点，同时钼热电阻的线性较好，在0 100摄氏度之间变化时，最大非线性偏 差小于0.5摄氏度。增益放大部分可以采用低功耗，具有内部频率补偿的双运算放大器LM358。考虑到 线圈上存在高压脉冲，这高压脉冲会通过PT100的传输线感应回高压脉冲传给增益放大电 路，从而对电路造成损坏。为此本实用新型在增益放大电路的信号输入端增加了防雷保护 电路，从而大大增强了温度测量装置的抗干扰能力。本实用新型的经颅磁刺激线圈温度测量装置的电原理如图3所示温度在0 100度变化时，当温度上升时，PT100的阻值变大，输入差分电路的差分信号变大，放大电路 的输出电压AV相应升高。PT100、R2、R3和R4组成传感器测量电桥，输出差分信号，为了保证电桥输出电压 的稳定性，电桥的输入电压通过TL431稳至2. 5V。从电桥输出的差分信号经过LM358双运 放两级放大之后输入数据采集卡。其中调节电位器R3能够调整差分输入信号的大小，通常 用于调整零点。Dl、D2、D3和D4为并联在PT100上的防雷保护电路，它们是由4个高压瞬 态抑制二极管SMBJ18A组成，能有效地提高电路的抗冲击能力。
权利要求一种经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，包括一经颅磁刺激线圈，所述经颅磁刺激线圈的内圈处设置一温度传感器，由绝缘导热硅橡胶灌封为一体；所述温度传感器与信号采集系统电性连接。
2.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述温度传感 器与一增益放大电路电性连接，该增益放大电路再与信号采集系统电性连接。
3.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述经颅磁刺 激线圈为8字型线圈，所述温度传感器置于8字型线圈的中间位置处。
4.根据权利要求1、2或3所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述温度 传感器为钼金属温度传感器。
5.根据权利要求4所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述钼金属温 度传感器为钼金属温度传感器PT100。
6.根据权利要求1、2或3所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述温度 传感器并联有防雷保护电路。
7.根据权利要求6所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述防雷保护 电路是由4个高压瞬态抑制二极管组成。
8.根据权利要求7所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述高压瞬态 抑制二极管为SMBJ18A 二极管。
9.根据权利要求1所述的经颅磁刺激线圈温度测量装置，其特征在于，所述增益放大 电路为双运算放大器LM358。
专利摘要一种经颅磁刺激线圈温度测量装置，其主要包括一经颅磁刺激线圈，所述经颅磁刺激线圈的内圈处设置一温度传感器，由绝缘导热硅橡胶灌封为一体；所述温度传感器与信号采集系统电性连接。
文档编号G01K7/18GK201731953SQ201020270119
公开日2011年2月2日 申请日期2010年7月26日 优先权日2010年7月26日
发明者周珩, 夏伟杰, 许海田 申请人:香港脑泰科技有限公司