一种光纤光栅电压传感器的制造方法

文档序号:6196742阅读:357来源:国知局
一种光纤光栅电压传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种光纤光栅电压传感器,本实用新型利用压电材料的逆压电效应,使电场中的压电材料制成的基底产生形变,导致与其粘贴在一起的光纤光栅也发生一定程度的形变,从而可以对电压进行测定。
【专利说明】一种光纤光栅电压传感器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电压传感器,尤其是一种光纤光栅电压传感器。
【背景技术】
[0002]目前的电压传感器中,都需要加入电路,这些电子器件在强电磁干扰及高压的情况下,非常容易损坏或者影响测试数据。所以电力部门急需一种安全可靠的测量电压的传感器。
[0003]随着科学技术的发展,光纤光栅越来越多的应用于通信、传感领域。相比较电信号的传感器,使用光纤光栅传感器有如下优点:
[0004]I)光纤光栅使用的是光信号,不会产生电火花,使用时会比电信号的传感器有更好的安全性。
[0005]2)光纤光栅传感器避免因电源干扰产生的错误信息。
[0006]3)在一根光缆上可以串接数十个光纤光栅传感器,在需要的部位可以密集的安装,因此在任何部位发生异常现象,都能及时传输到中控室。
[0007]4)光纤光栅传感器属于波长调制型非线性作用的光纤传感器。通过待测量调制入射光束的波长,测量反射光的波长变化进行检测。由于波长是一个绝对参数,不受总体光强水平、连接光纤及耦合器处的损耗或者光源能量的影响,因此比其他的方式更加稳定、准确。

【发明内容】

[0008]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种性能稳定可靠,可以准确测试电压的传感器。
[0009]为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:
[0010]—种电压传感器,其包括由压电材料制成的基底和粘接于基底上的光纤光栅,其中,所述基底为长方体,其上表面与光纤光栅接触,光纤与上表面长边平行,上表面长边、上表面短边和高度的比值为3:1:1。
[0011 ] 压电材料是指具有压电效应的电介质。本实用新型所述压电材料选自石英晶体、铌酸锂晶体或铌酸铅压电陶瓷中的任意一种。
[0012]其中,石英晶体的介电和压电常数的温度稳定性很好,机械强度很高,在冲击力作用下,漂移很小,弹性系数较大,所以这种传感器可以在很宽的条件下正常工作,与其他压电材料相比具有明显的优势,因此本实用新型优选石英晶体制成基底。
[0013]优选地,所述基底与光纤光栅接触的上表面的长边为0.15m,短边为0.05m,高度为 0.05m。
[0014]作为优选,本发明中的光纤光栅是金属化处理的光纤光栅。金属化光纤光栅比普通的光纤光栅灵敏度更高,有利于提高组件的响应时间和灵敏度及长期使用的可靠性。具体的说,本实用新型中金属化光纤光栅为层状结构,其中最内层为光纤光栅,中间层为镀锡层,最外层为镀金层。锡外面的镀金层可以有效的防止锡氧化。
[0015][0013]本实用新型的技术效果为:
[0016]本实用新型利用压电材料的逆压电效应,将压电材料在外加电场作用下发生的形变用光纤光栅测定出来,从而在中控室中就可以得到电压情况。
[0017]逆压电效应是指当在电介质的极化方向施加电场时,这些电介质就在一定方向上产生机械变形或者机械应力,当外加电场撤去时,这些变形或者应力也随之消失的性能。
[0018]在本实用新型中,把光纤光栅与压电材料做成的基底粘贴到一起,当外面的基底受到电场影响后,会引起变形,带动光纤光栅一起变形,通过光纤光栅网络分析仪测试波长的变化,就可以折算出相应的变形量。
【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1是本实用新型的示意图。
[0020]在附图中,1、基底,2、光纤光栅。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0022]本实用新型是通过以下方式具体实施的,但不限于以下实施方式:
[0023]实施例1
[0024]如附图1所示,本实用新型提供的电压传感器,其包括由石英晶体制成的基底I和粘接于基底上的光纤光栅2,其中光纤光栅2是金属化的光纤光栅,即为层状结构,最内层为光纤光栅,中间层为镀锡层,最外层为镀金层,石英晶体为长方体,与光纤光栅接触的上表面长边0.15m,短边0.05m,高度为0.05m,光纤光栅2的光纤与上表面长边平行,与上表面粘贴在一起。
[0025]本实用新型利用石英晶体的逆压电效应,将石英晶体在外加电场作用下发生的形变用光纤光栅测定出来,从而在中控室中就可以得到电压情况。
[0026]逆压电效应是指当在电介质的极化方向施加电场时,这些电介质就在一定方向上产生机械变形或者机械应力,当外加电场撤去时,这些变形或者应力也随之消失的性能。
[0027]在本实用新型中,把光纤光栅与石英晶体做成的基底粘贴到一起,当外面的基底受到电场影响后,会引起变形,带动光纤光栅一起变形,通过光纤光栅网络分析仪测试波长的变化,就可以折算出相应的变形量。
[0028]实施例2
[0029]如附图1所示,本实用新型提供的电压传感器,其包括由铌酸铅压电陶瓷制成的基底I和粘接于基底上的光纤光栅2,其中光纤光栅2是经过先镀锡后镀金的光纤光栅,铌酸铅压电陶瓷为长方体,与光纤光栅接触的上表面的长边0.15m,短边0.05m,高度为
0.05m,光纤光栅2的光纤与上表面长边平行,与上表面粘贴在一起。
【权利要求】
1.一种光纤光栅电压传感器,其特征在于:其包括由压电材料制成的基底(I)和粘接于基底(I)上的光纤光栅(2),其中,所述基底(I)为长方体,其上表面与光纤光栅接触,光纤与上表面长边平行,上表面长边、上表面短边和高度的比值为3:1:1。
2.根据权利要求1所述的光纤光栅电压传感器,其特征在于:所述压电材料选自石英晶体、铌酸锂晶体或铌酸铅压电陶瓷的任意一种。
3.根据权利要求2所述的光纤光栅电压传感器,其特征在于:所述压电材料为石英晶体。
4.根据权利要求1所述的光纤光栅电压传感器,其特征在于:所述基底(I)与光纤光栅接触的上表面的长边为0.15m,短边为0.05m,高度为0.05m。
5.根据权利要求1?4中任意一项所述的光纤光栅电压传感器,其特征在于:光纤光栅(2)为金属化的光纤光栅。
6.根据权利要求5所述的光纤光栅电压传感器,其特征在于:所述金属化的光纤光栅为层状结构,其中最内层为光纤光栅,中间层为镀锡层,最外层为镀金层。
【文档编号】G01R19/00GK203572865SQ201320521570
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2013年8月26日 优先权日:2013年8月26日
【发明者】文继华, 朱月红, 亢俊健 申请人:石家庄经济学院
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