1.一种单电桥磁场传感器，其特征在于，包括：
一基板；
一磁通导引器，该磁通导引器为一四角柱体且直接或间接设于该基板表面；
一电桥单元，该电桥单元包括第一磁阻组件、第二磁阻组件、第三磁阻组件和第四磁阻组件，该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件依序绕设于该磁通导引器的各环侧面外侧且位于该基板表面，该第一磁阻组件与该第三磁阻组件的钉札方向远离该磁通导引器，该第二磁阻组件与该第四磁阻组件的钉札方向朝向该磁通导引器；
一切换电路，该切换电路电性连接两个输入电压、两个接地端、两个电压输出端及该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件，该切换电路用于根据欲测量的各轴向的磁场进行电路切换以改变各输入电压、各接地端、各电压输出端及该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件之间的电性连接关系；
一测量单元，该测量单元电性连接各电压输出端及该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件，该测量单元用于测量该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件的磁阻值，配合各电压输出端的输出电压值得到一磁场测量结果。
2.根据权利要求1所述的单电桥磁场传感器，其特征在于，该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件的外侧分别设有一第一磁通集中器。
3.根据权利要求1或2所述的单电桥磁场传感器，其特征在于，该磁通导引器与该基板之间设有一第二磁通集中器。
4.根据权利要求3所述的单电桥磁场传感器，其特征在于，各第一磁通集中器的形状为矩形，该第二磁通集中器的形状为方形。
5.根据权利要求1所述的单电桥磁场传感器，其特征在于，该第一磁阻组件、该第二磁阻组件、该第三磁阻组件和该第四磁阻组件为巨磁阻自旋阀或穿隧磁阻自旋阀。