1.一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法，其特征在于，所述应变测量方法包括如下步骤：
a、搭接双程MZ结构，所述双程MZ结构包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纤、第二光纤、第三光纤和第四光纤；其中
所述第一光纤与第二光纤熔接在所述第一光耦合器与第二光耦合器之间，所述第三光纤和第四光纤的一端与第二光耦合器连接；
b、将长周期光纤光栅熔接到所述双程MZ结构中，其中长周期光纤光栅的光纤两端分别与第三光纤和第四光纤熔接，所述长周期光纤光栅构成双程MZ结构的反射端，其中
第三光纤和第四光纤选用纤芯直径为10/125微米的SMF-28E光纤；
c、将步骤b熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构整体的熔接长周期光纤光栅的一侧与应变材料相贴合，逐渐改变应变材料的应变大小，选取长周期光纤光栅的波谷为采样点，利用光谱仪监测波长移动；
d、利用步骤c监测到的波长移动绘制波长与应变变化的关系曲线，利用所述关系曲线对待测应变材料的应变进行测量。
2.根据权利要求1所述的测量应变的方法，其特征在于，通过长周期光纤光栅直写系统制备所述长周期光纤光栅。
3.根据权利要求1所述的测量应变的方法，其特征在于，所述改变应变材料的应变大小采用对应变材料进行拉伸、弯曲或压缩的方式。
4.根据权里要求1所述的测量应变的方法，其特征在于，所述长周期光纤光栅进行应变曾敏处理。
5.一种用于权利要求1至4任一权利要求所述的测量应变的方法的长周期光纤光栅直写系统，其特征在于，所述长周期光纤光栅直写系统包括光纤激光、波分复用器、掺铥光纤、单模光纤、高精度移动平台、飞秒激光器和光谱仪，所述单模光纤搭接在所述高精度移动平台上，一端连接光纤激光、另一端连接光谱仪，在所单模光纤的刻写区域熔接细芯光纤。
6.根据权利要求5所述的测量应变的方法，其特征在于，所述飞秒激光器设置在所述高精度移动平台上方，使所述飞秒激光器发射的激光与所述细芯光纤相互垂直，在所述飞秒激光器激光发射口设置光闸。
7.根据权利要求5或6所述的测量应变的方法，其特征在于，所述所述细芯光纤的纤芯直径为10/125微米。
8.根据权利要求5所述的测量应变的方法，其特征在于，所述光纤激光的波段选取1500～1620nm。