技术总结
本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法，包括以下步骤：1】对不同型号的SRAM存储器分别进行中子辐射标定，绘制数据翻转数与中子注量的关系曲线；2】筛选数据翻转数与中子注量呈线性关系的SRAM存储器型号N，并将拟合曲线的斜率作为所述SRAM存储器型号N的中子单粒子效应翻转截面；3】将型号为N的SRAM存储器置于待监测的中子辐射环境，绘制数据翻转数与辐射时间的关系曲线。本发明采用的方法是利用SRAM存储器的中子单粒子翻转效应所具有的线性、无阈的特点，实现反应堆、中子加速器等中子辐射环境的中子注量监测，实验结果表明，该方法在很低的中子注量条件下仍可以保持较高的测量准确性。
技术研发人员：陈伟;刘岩;郭晓强;杨善潮;齐超
受保护的技术使用者：西北核技术研究所
文档号码：201611246228
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.06.13