梯度线圈组件和磁共振成像设备的制作方法

本实用新型涉及一种梯度线圈组件和磁共振成像设备，尤其是一种可以降低噪声的梯度线圈组件和磁共振成像设备。

背景技术：

磁共振设备在运行中具有较大的运行噪声，这可能使为了进行检查而处于磁共振设备的容纳区域内的患者感到不舒服。尤其在环绕患者容纳区域的高频线圈单元的表面上出现较大的振动幅度，其会对患者造成较大的噪音辐射。此外，可能在容纳区域内部出现声学共振，这可能产生附加的噪音干扰。传统的磁共振设备具有固定安装的、刚性的、噪音辐射较大的壳罩单元。

技术实现要素：

本实用新型的目的是提供一种可以降低磁共振噪声的梯度线圈组件和磁共振设备。

根据本实用新型的一个方面，提供一种称重传感器组件，其包括基体、固定于基体内的梯度线圈和屏蔽梯度线圈，其还包括固定于基体上的电磁屏蔽。

优选地，所述电磁屏蔽位于梯度线圈的正上方以及左右两侧，所述电磁屏蔽为电连接一体式。

优选地，所述屏蔽梯度线圈位于梯度线圈的正上方以及左右两侧，所述屏蔽梯度线圈为电连接一体式。

优选地，所述屏蔽梯度线圈位于梯度线圈和电磁屏蔽之间。

优选地，所述电磁屏蔽固定在基体的外表面。

根据本实用新型的一个方面，提供一种磁共振成像设备，其包括上述的梯度线圈组件。

本实用新型提供的梯度线圈组件可以降低磁共振成像设备的噪音。

附图说明

图1为本实用新型的梯度线圈组件的横截面示意图。

图2为本实用新型的梯度线圈组件另一实施例的横截面示意图。

图3为本实用新型的梯度线圈组件另一实施例的横截面示意图

具体实施方式

现在将详细参考附图描述本实用新型的实施例。

图1示出了一种用于磁共振成像设备的梯度线圈组件190，其包括基体102、固定于基体102内的梯度线圈20和屏蔽梯度线圈30以及设于梯度线圈20外侧的电磁屏蔽(210，220，230)。轴线250位于梯度线圈组件190的正中心。电磁屏蔽(210，220，230)是良好的电导体，比如铜。为了清楚的目的，电磁屏蔽220和230之间、电磁屏蔽210和220之间均有间隙。然而，在实践中，电磁屏蔽210和220之间、电磁屏蔽220和230之间为持续的电连接。所以整个电磁屏蔽组成整体式的屏蔽层。从梯度线圈20、30中跑出的磁场在电磁屏蔽(210，220，230)中产生涡流电流。该电磁屏蔽(210，220，230)阻止磁场与低温容器内壁304或者其它的金属部件相互作用。

当对梯度线圈20和屏蔽梯度线圈30施加脉冲时，电磁屏蔽屏蔽(210，220，230)的存在将改变磁场的分布。因此，必须同时设计梯度线圈20，30，和电磁屏蔽屏蔽(210，220，230)，以用于优化梯度磁场的分布，同时可以降低低温容器内壁304或者其它金属部件上产生的涡流。

本实施方式中，电磁屏蔽(210，220，230)固定在基体102的表面上。当其上产生涡流电流时，相对于低温容器内壁304或者其它金属部件，其震动会小于它们，从而达到噪音相对较小的目的。

图2是本实用新型的另一实施方式，一种用于磁共振成像设备的梯度线圈组件190，其包括基体102以及固定于基体102内的梯度线圈20和屏蔽梯度线圈30，32，34。屏蔽梯度线圈(30，32)、(32，34)通常为连续电连接。屏蔽梯度线圈(30，32)或者屏蔽梯度线圈(30，32，34)共同作用减少磁场作用到低温容器内壁304或者其它金属部件上。

图3为本实用新型的第三实施方式。一种用于磁共振成像设备的梯度线圈组件190，其包括基体102、固定于基体102内的梯度线圈20和屏蔽梯度线圈(30，32，34)以及设于梯度线圈20外侧的电磁屏蔽(210，220，230)。电磁屏蔽(210，220，230)和屏蔽梯度线圈(30，32，34)是良好的电导体，比如铜。为了清楚的目的，电磁屏蔽220和230之间、电磁屏蔽210和220之间、屏蔽梯度线圈30和32之间、屏蔽梯度线圈32和34之间均有间隙。然而，在实践中，它们之间为持续的电连接。所以整个电磁屏蔽(210，220，230)和屏蔽梯度线圈(30，32，34)均组成整体式的屏蔽层。从梯度线圈20中跑出的磁场在电磁屏蔽(210，220，230)中产生涡流电流。该电磁屏蔽(210，220，230))阻止磁场与低温容器内壁304或者其它的金属部件相互作用。

减少脉冲磁场的泄漏的一个额外的好处是，该磁体结构内涡流将会减少，从而减少功耗和降低磁铁元件的加热。典型地，该磁体元件通过制冷装置或低温流体而保持在非常低的温度。额外的热量将降低磁体的效率并增加了运营成本。

本领域技术人员可显见，可对本实用新型的上述示例性实施例进行各种修改和变型而不偏离本实用新型的精神和范围。因此，旨在使本实用新型覆盖落在所附权利要求书及其等效技术方案范围内的对本实用新型的修改和变型。