技术总结
本实用新型属于回旋加速器技术领域，具体涉及一种高精度法拉第筒，包括法拉第筒主体，其中，还包括设置在所述法拉第筒主体开口外侧的二次电子抑制偏压电极，设置在所述法拉第筒主体内的中空的锥形结构，所述锥形结构能够使所述法拉第筒主体内产生的二次电子不会沿所述法拉第筒主体的中轴线向外发射。现有的法拉第筒装置无法有效避免二次电子逸出，且易发热造成损坏。采用本实用新型所提供的高精度法拉第筒结构简单，占用空间小，可有效减少二次电子逸出，提高测量精度的优点，同时该结构设计可以增大法拉第筒的热容量，提高安全性，可广泛应用于在质子治疗领域束流强度的测量，并具有向相关领域推广使用的价值。
技术研发人员：温立鹏;管锋平;杨光
受保护的技术使用者：中国原子能科学研究院
文档号码：201620818395
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.01.11