技术特征：
技术总结
本发明公开一种基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路，包括一级放大芯片、二级放大芯片，还包括后极与‑150V电源相连、前极与一级放大芯片的2号端口相连的雪崩光电二极管(APD)；一级放大芯片的6号端口通过串联的一级输出电阻(Rs)和二级输入电阻(Ri1)，与二级放大芯片的2号端口相连；二级放大芯片的1号端口通过第一输出电阻(Ro1)与输出地端(OUT N)相连，所述二级放大芯片的7号端口通过第二输出电阻(Ro2)与输出相端(OUT P)相连。本发明的基于雪崩光电二极管的激光测距放大电路，带宽宽、增益高，可以大大提高激光测距的精确度。
技术研发人员：钱惟贤;高青松;顾国华;陈钱;杨锦清;李之秀;蔡贵霞
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2017.07.10
技术公布日：2017.10.20