技术特征：
技术总结
InGaAs材料MSM结构光电混频探测器，涉及非扫描激光四维成像雷达领域，为了满足FM/CW体制的InGaAs材料MSM结构探测器的需求。本发明所包括的像元采用64×64阵列式排布，每个像元包括衬底、缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极；衬底上依次设置缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极，吸收层的材料为InGaAs；每个像元的长和宽均为60μm。本发明适用于光电混频探测。
技术研发人员：孙剑峰;李献杰;郜键;王骐
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2017.08.28
技术公布日：2017.12.15