本发明涉及一种检测装置，特别涉及一种基板破片侦测装置。
背景技术：
pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积)技术的原理是利用低温等离子体作为能量源，晶圆样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。其中，等离子的存在可以促进气体分子的分解、化合、促进反应活性基团的生成，同时为扩散至衬底表面的次生分子提供能量，使得它们在没有高衬底温度条件下进一步沿表面扩散，因而，某些原来需要在高温下进行的反应过程得以在低温实现。
现有的等离子增强型化学气相沉积机就是根据这一原理制作的，其中，破片侦测传感器为等离子增强型化学气相沉积机中重要的一部分，主要用于对基板的破片侦测，及时发现破片，以避免产能的减少。现有的破片侦测传感器的设计为单点光反射式，安装位置位于传送腔室与工艺腔室的连接处正中位置，因此对于每片成膜基板侦测点位只能在基板正中一点，此设计侦测范围有限且精度不高，会导致amoled及柔性产品的生产中，对于破片检知效果不理想，尤其是边角局部破片常常不能及时发现，对于生产影响较大。
技术实现要素：
本发明提供一种基板破片侦测装置及方法，以改善现有基板破片侦测装置侦测范围小、精度差等技术问题。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供了一种基板破片侦测装置，所述装置包括：固定装置、传送装置、第一光反射式传感器以及第二光反射式传感器；
所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器设置在待测基板的正反两侧，
其中，所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器均用于发射光束和接收所述光束，
所述基板破片侦测装置根据所述第一光反射式传感器与所述第二光反射式传感器接收所述光束的时间差对所述待测基板进行侦测破片。
根据本发明一优选实施例，当所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器设置在所述待测基板的正反两侧时，以所述待测基板为基准面，所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器呈镜像分布。
根据本发明一优选实施例，所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器包括光发射器和光接收器，
其中，所述光发射器用于发射所述光束，所述光接收器用于接收所述光束，并计算所接收的光束的反射光强度。
根据本发明一优选实施例，所述传送装置为带式输送机，用于输送所述待测基板。
根据本发明一优选实施例，所述固定装置设置于所述传送装置上，用于固定所述待测基板。
根据本发明一优选实施例，所述基板破片侦测装置还包括第一反射镜和第二反射镜。
根据本发明一优选实施例，所述第一反射镜设置在所述待测基板的一侧，且与所述待测基板平行，所述第一反射镜与所述待测基板的间距大于所述第一反射式传感器与所述待测基板的间距；
所述第二反射镜设置在所述待测基板的另一侧，且与所述待测基板平行，所述第二反射镜与所述待测基板的间距大于所述第二反射式传感器与所述待测基板的间距。
根据本发明一优选实施例，所述第一反射镜和所述第二反射镜用于反射所述光发射器发射的所述光束，以被所述光接收器所接收。
根据本发明一优选实施例，所述第一反射镜、所述第二反射镜为镀银的平面反射镜，且二者具有相同的反射率。
根据本发明一优选实施例，所述光束为一激光。
本发明的有益效果为：本发明提出了一种基板破片侦测装置，在所述基板的正反两侧分别设置了所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器，所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器均用于发射光束和接收所述光束，通过对所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器接收所述光束的时间差与设定值进行对比，来判断所述待测基板是否发生破片，大大的提高了破片侦测装置的精度，及时发现破片异常，以及降低了产能以及良率的损失。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明优选实施例一种基板破片侦测装置的结构示意图；
图2为本发明优选实施例一种基板破片侦测装置中光反射式传感器工作原理图；
图3为本发明优选实施例一种基板破片侦测装置的光反射式传感器中的光接收器接收到的光反射强度与时间的关系的图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有基板破片侦测装置，对待测基板进行破片侦测时，单个光反射式传感器只能在所述待测基板的正中一点，侦测范围比较有限且精度不高，在生产中对破片侦测的效果不理想，尤其是边角局部破片常常不能及时发现等问题，而提出一种基板破片侦测装置，本实施例能够改善该缺陷。
图1所示为本发明优选实施例一一种基板破片侦测装置的结构示意图，所述装置包括：固定装置、传送装置、第一光反射式传感器101以及第二光反射式传感器102。
所述传送装置为带式输送机，如传送带等，主要用于输送所述待测基板103，将所述基板从传送腔室输入至下一腔室，如工艺腔等。
所述固定装置设置于所述传送装置上，用于固定所述待测基板103，防止所述待测基板103因松动而影响所述侦测装置的准确度。
所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102设置在待测基板103的正反两侧；
在本实施例中，优选的，以所述待测基板103为基准面，所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102呈镜像分布；
另外，所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102均用于发射光束和接收所述光束，其中，所述光束为一波长为大于450nm的激光，；
如图2所示，所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102包括光发射器106和光接收器107；
其中，所述光发射器106用于发射所述光束，所述光接收器107用于接收所述光束，并计算所接收的光束的反射光强度；
对于所述光接收器107，往往需要设定一警报限定值，用以防止误报发生，且能更好的控制所述光接收器107的精度。
如图1所示，所述基板破片侦测装置还包括第一反射镜104和第二反射镜105，在本实施例中，优选的，所述第一反射镜104、所述第二反射镜105为镀银的平面反射镜，且二者具有相同的反射率；
其中，所述第一反射镜104和所述第二反射镜105均用于反射所述光发射器106发射的所述光束，以被所述光接收器107所接收；
所述第一反射镜104设置在所述待测基板103的一侧，且与所述待测基板103平行，所述第一反射镜104与所述待测基板103的间距大于所述第一反射式传感器与所述待测基板103的间距；
所述第二反射镜105设置在所述待测基板103的另一侧，且与所述待测基板103平行，所述第二反射镜105与所述待测基板103的间距大于所述第二反射式传感器与所述待测基板103的间距。
图3所示为本发明优选实施例一种基板破片侦测装置的光反射式传感器接收到的光反射强度与时间的关系的图，当所述待测基板103未进入所述基板破片侦测装置时，光反射强度未发生变化，如图3中的a区域；
当所述待测基板103进入所述基板破片侦测装置时，由于所述待测基板103将所述光反射式传感器所遮挡，因此，此时所述光反射式传感器所接收到的反射光强度将会有所增加，如图3中的b区域；
当所述光反射式传感器检测到有破片发生时，所述光接收器107所接收到的光反射强度将不会增加，在本实施例中，如图3中的c区域，所述第二光反射式传感器102检测到破片发生，所述第二光反射式传感器102中的光接收器107相比所述第一光反射式传感器101中的光接收器107所接收的反射光强度要低；由于当所述待测基板103有破片发生时，所述光发射器106发射的光束和没有玻璃基板经过情形一样，因此反射光将会减少，所述光接收器107所接收的反射光也减少，光反射强度降低；
当所述待测基板103离开所述基板破片侦测装置时，如图3中的d区域，与所述待测基板103未进入所述基板破片侦测装置时相同，所述第一光反射式传感器101中的光接收器107和所述第二光反射式传感器102中的光接收器107所接收的反射光强度相同。
当所述待测基板103未出现破片时，所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102的侦测时间相同；当所述待测基板103出现破片时，所述光反射式传感器的侦测时间会因所述待测基板103破片而使侦测时间变长；
因此，本发明根据所述第一光反射式传感器101和所述第二光反射式传感器102的侦测时间的差值对所述基板是否有破片发生而进行判断；由于误差的存在，往往会对所述侦测时间的差值与事先计算的设定值进行对比，当所述侦测时间的差值大于所述设定值时，所述基板破片侦测装置将发报破片警报。
在另一优选实施例中，所述第一反射镜和所述第二反射镜能被所述基板破片侦测装置的顶盖所替代，结构更加简单，但是效果较前者差，具体根据客户的需要而定。
本发明提供了一种基板破片装置，所述装置包括固定装置、传送装置、第一光反射式传感器以及第二光反射式传感器；所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器设置在待测基板的正反两侧，其中，所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器用于发射光束和接收所述光束；通过对所述第一光反射式传感器和所述第二光反射式传感器接收所述光束的时间差与设定值进行对比，来判断所述待测基板是否发生破片，大大的提高了破片侦测装置的精度，及时发现破片异常，以及降低了产能以及良率的损失。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。