一种用于电表内的磁场检测电路的制作方法

本实用新型涉及检测电路领域，具体涉及一种用于电表内的磁场检测电路。

背景技术：

电警棍主要由一体化高质量集成块及可充镍氢电池组成；外部主要结构主要由ABS硬胶压注成型和金属材料组成，一般在产品的前部有一对或数对金属电击头，后端有电击保险开关，按电击开关，即能产生强烈电击。

而现今由于目前海外市场各个国家对表计的工作环境要求的特殊性，越来越多的国家有对表计进行电警棍测试的要求，而电警棍是一个高强度测试，很容易导致表计因瞬间电信号过强，而导致芯片等功能丧失，进而导致表计无法正常工作，出现例如复位、死机等现象；

如今电表中采用的芯片的抗干扰能力在电警棍1000万V的高强度干扰下显得不是很足，因此需要外围电路去做一定的保护措施，其中十分脆弱的电路就是目前很多计量表计都具有的磁场检测功能，该功能使用的霍尔芯片采用的是霍尔效应，而电警棍测试时会使霍尔芯片两极板直接击穿到时输出电平变化，进而导致表计复位甚至死机，因此需要设计一个可以抗高强度干扰的电路，已解决复位死机等现象，增加表计的可靠性以及防窃电能力。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了提供一种提高抗干扰强度，解决复位死机现象，增加表计的可靠性以及防窃电能力的用于电表内的磁场检测电路。

本实用新型通过以下技术方案实现：一种用于电表内的磁场检测电路，包括霍尔芯片、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻，所述霍尔芯片设置有三个引脚；所述霍尔芯片的第一引脚和第二引脚并联有第二电容，所述霍尔芯片的第一引脚还接地；所述霍尔芯片的第二引脚还连接第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接VCC电源，所述霍尔芯片的第一引脚连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端接VCC电源，所述第一电阻的一端还连接第一电容的一端和第二电阻的一端，所述第一电容的另一端接地，所述第二电阻的另一端用于连接检测端；所述霍尔芯片的型号为S-5716；所述第一电阻为上拉电阻；所述第一电容为退耦电容。

本实用新型在高强度高频电磁场作用在霍尔芯片两极板时，由于瞬间高频高强度磁场作用，导致两极板电荷迅速积累，进而导致两极板击穿，最终使VCC电源被拉低，但是并联在霍尔芯片的第一引脚和第二引脚之间的第二电容被高强度高频信号干扰作用下，由于容抗的特性导致容抗变得很小，可以迅速将干扰信号导入大地中，减少对MCU以及霍尔芯片电源的影响。

与现有技术相比，本实用新型的有益之处在于：1）第二电容由于容抗的特性在高强度高频信号干扰作用下变小，就能迅速将干扰信号导入大地中，减少干扰；2）第三电阻串接VCC电源防止电警棍高强度高磁场对霍尔芯片干扰；3）串接第二电阻用于防止检测端受到干扰。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

图2为本实用新型的霍心效应示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式，对本实用新型作进一步描述。

见图1至图2，一种用于电表内的磁场检测电路，包括霍尔芯片N1、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3，所述霍尔芯片N1设置有三个引脚；所述霍尔芯片N1的第一引脚和第二引脚并联有第二电容C2，所述霍尔芯片N1的第一引脚还接地；所述霍尔芯片N1的第二引脚还连接第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端接VCC电源，所述霍尔芯片N1的第一引脚连接第一电阻R1的一端，所述第一电阻R1的另一端接VCC电源，所述第一电阻R1的一端还连接第一电容C1的一端和第二电阻R2的一端，所述第一电容C1的另一端接地，所述第二电阻R2的另一端用于连接检测端；当高强度高频电磁场作用在霍尔芯片N1两极板时，由于瞬间高频高强度磁场作用导致两极板电荷迅速积累，进而导致两极板击穿，使VCC电源被拉低，导致电源不稳使得表计出现复位或死机现象，但是由于在霍尔芯片N1的第一引脚和第二引脚并联有第二电容C2，根据电容容抗的特性电容容量越大通过的频率越高容抗越小和容抗公式Xc＝1/(2×π×f×C)，在高强度高频信号干扰作用时，第二电容C2的容抗就会变得很小，就能迅速吸收干扰信号将其导入大地当中，极大程度上减少对MCU以及霍尔芯片N1电源的影响，不会再出现复位死机现象，增加表计的可靠性以及防窃电能力。

本实施方式中，通过霍尔效应做到检测电路所受磁场的干扰检测作用，霍尔芯片应用霍尔效应，两极板之间施加恒定电流，当有磁场施加到两极板后，电子收到洛伦兹力向极板偏移，并最终由于很多电子聚集而产生电平变化，进而做到检测电路所受磁场的干扰检测作用；所述霍尔芯片N1的型号为S-5716，是采用CMOS开发的可低消耗电流工作的高精度霍尔芯片，可以检测出磁束密度的强弱，使输出电压发生变化，通过与磁石的组合对各种设备的开关进行检测。

本实施方式中，所述第一电阻R1为上拉电阻，以提高输出的高电平驱动霍尔芯片，所述VCC电源为3.3V电源。

本实施方式中，所述第一电容C1为退耦电容，并接与电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡，消除电路之间的寄生耦合。

本实施方式中，所述第二电容C2的容量在1uF-10uF。

本实施方式中，所述第二电阻R2用于防止主芯片检测端受到干扰，从而影响检测的精确性。

本实施方式中，所述第三电阻R3为霍尔芯片N1电源串接防止电警棍高强度电磁场对芯片干扰。

本实用新型的保护范围包括但不限于以上实施方式，本实用新型的保护范围以权利要求书为准，任何对本技术做出的本领域的技术人员容易想到的替换、变形、改进均落入本实用新型的保护范围。