技术总结
本实用新型公开了一种IGBT模块特性老化装置，属于IGBT老化设备技术领域，解决了我国自主生产的IGBT元件没有一款配套的、可靠的、低成本的老化设备，生产出的IGBT产品可靠性难以得到保证的问题。主要包括IGBT反向漏电流测试电路和大电流老化试验电路。本实用新型在IGBT生产领域具有重要意义，其低成本、高可靠性为整个行业创造了可观经济效益，且实现容易，实用性很强，可广泛应用于IGBT生产技术领域。
技术研发人员：顾扣宏;吴行竹;吴鹰
受保护的技术使用者：扬州乔恒电子有限公司
文档号码：201720543839
技术研发日：2017.05.15
技术公布日：2018.01.09