本发明属于元器件的测试技术领域，具体涉及一种sicmosfet电性能的测试装置。
背景技术：
sicmosfet是一种基础的电子元器件，测试它的电性能是一项基础工作。现有的sicmosfet电压、电流测试都是在正常压力和温度下进行测量，还没有检测该器件在机械压力和温度条件下的电压、电流与机械压力、温度的变化关系。
技术实现要素：
针对现有sicmosfet测试技术存在的不足，本发明所要解决的技术问题就是提供一种sicmosfet电性能的测试装置，它能测试sicmosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建sicmosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。
本发明所要解决的技术问题是通过这样的技术方案实现的，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：
步骤1、判定是否在机械压力条件下测试电压和电流，若是，执行机械压力条件下的测试，然后确认是否退出测试；
步骤2、判定是否在温度条件下测试电压和电流，若是，执行温度条件下的测试；然后确认是否退出测试；
步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，然后确认是否退出测试；
重复上述各步骤，手动控制程序结束。
上述步骤1中，执行机械压力条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；
（2）读取压力传感器的压力、压强值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测sicmosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系。
上述步骤2中，执行温度条件下的测试步骤包括：
（1）、输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测sicmosfet器件上电压和电流随温度的变化关系。
上述步骤3中，执行机械压力和温度两个条件下的测试步骤包括：
（1）、输出压力、压强参数，控制机械压力设备加压；输出温度参数，控制温控箱内的温度；
（2）读取压力传感器的压力、压强值并读取温度传感器的温度值；
（3）读取电压传感器的电压值和电流传感器的电流值；
（4）计算被测sicmosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系。
本发明的技术效果是：
在未退出测试的情况，能够进行多点测试，获得一些列测试数据。既能测试单一的机械压力条件下或温度条件下sicmosfet器件上的电压和电流，又能测在试机械压力和温度两个条件下sicmosfet器件上的电压和电流，改变条件参数，获得对应的电压和电流值，构建sicmosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系曲线图。
附图说明
本发明的附图说明如下：
图1为本发明的主程序流程图；
图2为机械压力条件下测试的子程序流程图；
图3为温度条件下测试的子程序流程图；
图4为机械压力和温度两个条件下测试的子程序流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明：
本发明包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口分别由对应的控制线连接机械压力设备和温控箱，机械压力设备上的压力传感器和温控箱内的温度传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器；控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序包括一个主程序和三个子程序。
图1所示的主程序流程如下，流程开始于步骤s01，在步骤s01中进行变量初始化，默认为0，然后：
在步骤s02，检测是否有指令输入，若是，则执行步骤s03；否则，执行步骤s09；
在步骤s03，判断是否在机械压力条件下测试，若是，则执行步骤s04，否则，执行步骤s05；
在步骤s04，执行机械压力条件下sicmosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤s08；
在步骤s05，判断是否在温度条件下测试，若是，则执行步骤s06，否则，执行步骤s07；
在步骤s06，执行温度条件下sicmosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤s08；
在步骤s07，执行机械压力和温度两个条件下sicmosfet器件上的电压和电流测试，然后执行步骤s08；
在步骤s08；确认是否退出测试，若是，则执行步骤s09，否则，执行步骤s02；
在步骤s09，手动控制程序结束。
子程序1是在机械压力下测试sicmosfet电压电流的流程，如图2所示，该程序流程如下：
在步骤s201，输出压力或压强参数，控制机械压力设备加压；
在步骤s202，判断压力传感器是否有更新，若是，则执行步骤s204，否则执行步骤s203；
在步骤s203，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，即更新压力传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤s204；
在步骤s204，读取当前压力传感器输入压力或压强值；
在步骤s205，在显示器上显示压力传感器的值；
在步骤s206，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤s208，否则执行步骤s207；
在步骤s207，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤s208；
在步骤s208，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤s209，计算被测sicmosfet器件上电压和电流随压力或压强的变化关系；
在步骤s210，转回到主程序。
子程序2是在温度条件下测试sicmosfet电压电流的流程，如图3所示，该程序流程如下：
在步骤s301，输出温度参数，控制温控箱的温度；
在步骤s302，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤s304，否则执行步骤s303；
在步骤s303，重新匹配温度传感器的温度，即更新温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤s304；
在步骤s304，读取当前温度传感器输入的温度值；
在步骤s305，在显示器上显示温度传感器的值；
在步骤s306，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤s308，否则执行步骤s307；
在步骤s307，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤s308；
在步骤s308，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤s309，计算被测sicmosfet器件上电压和电流随温度的变化关系；
在步骤s310，转回到主程序。
子程序3是在机械压力和温度两个条件下测试sicmosfet电压电流的流程，如图4所示，该程序流程如下：
在步骤s401，输出压力或压强和温度参数，控制机械压力设备加压和温控箱的温度；
在步骤s402，判断温度传感器是否有更新，若是，则执行步骤s404，否则执行步骤s403；
在步骤s403，重新匹配压力传感器的输入压力或压强，温度传感器的温度即更新压力传感器和温度传感器，导入数据，将数据传递给显示单元，然后执行步骤s404；
在步骤s404，读取当前压力传感器输入压力或压强；温度传感器输入的温度；
在步骤s405，在显示器上显示压力传感器的值和温度传感器的值；
在步骤s406，检查电流电压输入是否更新，若是，则执行步骤s408，否则执行步骤s407；
在步骤s407，更新检测输入的电压、电流，然后执行步骤s408；
在步骤s408，读取检测输入的电压、电流值；
在步骤s409，计算被测sicmosfet器件上电压和电流随压力或压强和温度的变化关系；
在步骤s410，转回到主程序。
由于sicmosfet器件所受最大压强为10mpa，则本发明的机械压力设备提供最大机械压力为190kn，同时能检测sicmosfet器件上的最大电压为7000v，最大电流为1000a。
由于被测电流最大为1000a，选择38mm孔径的开合式霍尔传感器检测电流；由于被测电压为7000v以内的高压，用两个大电阻串联组成分压器，然后用高精度ad芯片测ad值（直流电压值），获得被测电压。