技术特征：
技术总结
本发明涉及一种高频磁元件绕组损耗的测量方法，采用励磁源分别施加于并联的被测磁元件和参考磁元件的两端，使得两个磁元件两端施加的励磁源电压相同；所述被测磁元件由磁芯和绕组组成；所述参考磁元件采用与被测磁元件具有相同规格和材料的磁芯和绕组，并在此基础上增加一个辅助绕组；测量时所述参考磁元件辅助绕组开路，通过损耗测量仪器测量电参数，根据测量出的电参数与损耗的关系，获得所述被测磁元件的绕组损耗。本发明能够实现对任意励磁波形工况下高频磁元件的绕组损耗进行测量，且获得的损耗不仅能体现磁元件中磁场、温度以及实际工况对绕组损耗的影响，还可测量多绕组磁元件中每个绕组的损耗。测量方便、快捷、成本低。
技术研发人员：叶建盈;郑荣进;李锦彬;黄晓生;黄文彬
受保护的技术使用者：福建工程学院
技术研发日：2018.11.28
技术公布日：2019.01.29