1.一种等离激元增强荧光免疫检测芯片，包括衬底，其特征在于：衬底上制备有周期性纳米坑结构，周期性纳米坑结构中的纳米坑呈矩阵分布，纳米坑呈倒金字塔状，在周期性纳米坑结构上沉积有金属粘附层，在金属粘附层上沉积有金属增强层，在金属增强层上修饰有高分子层。
2.根据权利要求1所述的等离激元增强荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述的纳米坑的顶面呈正方形，侧面呈等腰三角形，纳米坑顶面边长为300-1400nm，纳米坑顶面边长与纳米坑深度的比例为1:1.3-1.5，纳米坑结构的周期为500-2000nm。
3.根据权利要求1所述的等离激元增强荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述的金属粘附层所选用的金属为铬或钛，其厚度为5-30nm。
4.根据权利要求1所述的等离激元增强荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述的金属增强层所选用的金属为金或银，其厚度为200-300nm。
5.根据权利要求1所述的等离激元增强荧光免疫检测芯片，其特征在于：所述的高分子层的厚度为10-100nm。