交流磁化强度测量仪的制作方法

文档序号:6132554阅读:393来源:国知局
专利名称:交流磁化强度测量仪的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种测量仪器,特别涉及一种交流磁化强度的测量仪器。
为了更深入地研究磁性材料的物理特性及磁特性的物理机制,拓展材料的新的应用范围,探索材料的新功能,需要对高频高场下的交流磁化特性进行测量。但是由于常规电磁铁的磁惯性作用,现有技术只能进行慢扫描磁场下的直流磁化强度测量或弱交流场下的交流磁化率测量,故目前还无法对高频高场下的交流磁化特性进行测量、分析、研究。对于有特殊要求的测试,更是无法解决。
本实用新型的目的就是要克服上述缺陷,设计一种能够对高频高场下的磁化特性进行测量的仪器。
本实用新型的技术方案磁化电源、取样电阻串接励磁线圈,主要技术特征是励磁线圈绕在半闭合磁芯上,在磁芯隙缝之间设置反串联线圈、校正线圈,从反串联线圈引出的拾波电压接相移器。
本实用新型的优点和效果在于能够在高频高场下对交流磁化特性进行测量,从而为对磁性材料的物理特性和磁特性的物理机制进行研究,探索新功能材料,拓展新的应用范围等提供了一种新的手段,尤其是对有特殊要求的测试,如对超导体的研究等,提供了体积小、高场强、易于用液氮冷却的测量仪器,而且本实用新型结构简单、易于使用。
附图

图1--本实用新型的结构示意图。
实施例如图1所示,磁化电源1、取样电阻2串连后,与励磁线圈3串联连接,励磁线圈3卷绕在半闭合磁芯4上,在磁芯4的隙缝之间设置反串联线圈5、校正线圈6,从反串联线圈5引出的拾波电压接相移器7。
测试时,将被测样品8放置于反串联线圈5的其中的一个中,磁化电源1通过励磁线圈3,在半闭合磁芯4隙缝之间产生交变磁场,反串联线圈5在该交变磁场作用下产生输出电压Vo=KdM‾dt]]>(M是被测样品8的平均磁化强度)如果磁化电流是正弦波形式H=HoCosωt,则M可表示为M=Mo(Ho)Cos(ωt+θ)(忽略谐波成份)所以,Vo=Mo(Ho)Cos(ωt+θ+π/2),由此可看出Vo与M之间具有π/2相移,所以,反串联线圈5引出的拾波电压接相移器7,消除相移现象,即可检出M的信息。
具体测试中,将拾波电压接相移器7后接示波器的Y轴,将取样电阻2两端的磁场监控电压接示波器的X轴,这样M与交变外磁场的关系即可动态显示在荧光屏上,校正线圈6对半闭合磁芯4的隙缝之间的交变磁场起定标作用。
权利要求1.交流磁化强度测量仪,磁化电源、取样电阻串接励磁线圈,其特征在于励磁线圈绕在半闭合磁芯上,反串联线圈、校正线圈位于磁芯隙缝之间,反串联线圈引出的拾波电压接相移器。
专利摘要本实用新型涉及一种测量仪器,特别涉及一种磁化强度的测量仪器。本实用新型采用励磁线圈卷绕在半闭合磁芯上,将工作区域设置在磁芯隙缝之间,以及从磁芯隙缝之间反串联线圈引出的拾波电压接相移器的技术,使得高频磁场在体积很小的情况下,大大增强了磁场强度,并且克服了高频高场下的相移问题,使得被测样品的平均磁化强度与交变外磁场的关系可动态地显示在示波器的荧光屏上。本实用新型结构简单、易于使用。
文档编号G01R33/12GK2271716SQ96223750
公开日1997年12月31日 申请日期1996年9月25日 优先权日1996年9月25日
发明者吉争鸣 申请人:吉争鸣
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