筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶体管测试技术，特别是涉及一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法。
【背景技术】
[0002]场效应晶体管在制造过程由于沾污等原因，会导致栅存在缺陷，表现为其转移特性曲线出现双线，也即其转移特性曲线并不稳定。此类产品在应用时易引起失效。
[0003]对此类产品进行测试时，传统采用图示仪手动测试，并通过在图示仪上观测该产品的转移特性曲线，来判断其转移特性曲线是否存在双线。由于人眼观测曲线容易误判、难以测出定量值且效率低下，因此不适合批量生产。
[0004]另外，传统的自动测试系统测试，并不能判断场效应晶体管转移特性曲线是否存在双线，不能剔除有这类缺陷的产品。
【发明内容】
[0005]基于此，有必要提供一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法。
[0006]一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，包括如下步骤:设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值，当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表示场效应管开启；所述漏端电流阈值为10?200微安；在第一测试时长内，测试得到第一开启电压；在第二测试时长内，测试得到第二开启电压；所述第一测试时长小于第二测试时长；判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则判定所述场效应管不具有所述双线缺陷，否则判定所述场效应管具有所述双线缺陷。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一测试时长为100?800微秒。
[0008]在其中一个实施例中，所述第二测试时长为2?20毫秒。
[0009]在其中一个实施例中，所述正常误差值为0.005?0.05伏。
[0010]在其中一个实施例中，测试所述第一开启电压和第二开启电压米用自动分选机。
[0011]上述测试方法，采用不同的测试时长所得到的开启电压能够反映出场效应管的双线缺陷，因而能够筛选具有双线缺陷的场效应管。
[0012]另外，由于测试开启电压是自动分选机的基本功能，因此可以用自动分选机具体执行，故也可以提高测试效率。
【附图说明】
[0013]图1为一实施例的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法流程图。
【具体实施方式】
[0014]由于制造过程由于沾污等原因，导致栅引入非预期的寄生电容，由于密勒效应，等效输入电容增大，导致频率特性降低，体现为在不同测试时长内，所测出的开启电压值不同，因此在对具有双线缺陷的场效应管进行测试时，若采用较小的漏端电流阈值，并且测试不同的时间，会测试到场效应管具有不同的开启电压，以下实施例的测试方法利用此种特性筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管。
[0015]如图1所示，为一实施例的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法流程图。该方法可以采用自动分选机具体执行，以提高测试效率，包括如下步骤。
[0016]步骤SlOl:设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值。当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表示场效应管开启。所述漏端电流阈值为小电流，本实施例优选为在10?200微安的范围内取值。
[0017]步骤S102:在第一测试时长内，测试得到第一开启电压。本实施例优选的第一测试时长为100?800微秒。
[0018]步骤S103:在第二测试时长内，测试得到第二开启电压。所述第一测试时长小于第二测试时长，并且通常相差20倍左右。本实施例优选的第二测试时长为2?20毫秒。
[0019]步骤S104:判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则执行步骤S105，否则执行步骤S106。本实施例的正常误差值在0.005?0.05伏之间。假设第一开启电压为VI，第二开启电压为V2，正常误差值为V0，则本步骤即判断
V1-V2 < VO是否成立。
[0020]步骤S105:判定所述场效应管不具有所述双线缺陷。
[0021]步骤S106:判定所述场效应管具有所述双线缺陷。
[0022]上述方法能够采用已有的自动分选机进行测试，不仅能够筛选具有双线缺陷的场效应管，测试效率也很高。
[0023]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，包括如下步骤: 设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值，当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表不场效应管开启；所述漏端电流阈值为10?200微安； 在第一测试时长内，测试得到第一开启电压； 在第二测试时长内，测试得到第二开启电压；所述第一测试时长小于第二测试时长； 判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则判定所述场效应管不具有所述双线缺陷，否则判定所述场效应管具有所述双线缺陷。
2.根据权利要求1所述的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，其特征在于，所述第一测试时长为100?800微秒。
3.根据权利要求2所述的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，其特征在于，所述第二测试时长为2?20毫秒。
4.根据权利要求1所述的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，其特征在于，所述正常误差值为0.005?0.05伏。
5.根据权利要求1所述的筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，其特征在于，测试所述第一开启电压和第二开启电压采用自动分选机。
【专利摘要】本发明公开一种筛选转移特性曲线具有双线缺陷的场效应管的方法，包括如下步骤：设定用于判断场效应管是否开启的漏端电流阈值，当检测到漏端电流大于所述漏端电流阈值时，表示场效应管开启；所述漏端电流阈值为10～200微安；在第一测试时长内，测试得到第一开启电压；在第二测试时长内，测试得到第二开启电压；所述第一测试时长小于第二测试时长；判断所述第一开启电压与第二开启电压的差值是否小于正常误差值，若是，则判定所述场效应管不具有所述双线缺陷，否则判定所述场效应管具有所述双线缺陷。上述测试方法，采用不同的测试时长所得到的开启电压能够反映出场效应管的双线缺陷，因而能够筛选具有双线缺陷的场效应管。
【IPC分类】G01R31-26
【公开号】CN104820178
【申请号】CN201510166878
【发明人】谢文华
【申请人】深圳深爱半导体股份有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2015年4月9日