磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及磁共振成像技术领域，特别是涉及磁共振成像系统的射频线圈功率损 耗的确定方法和装置。
【背景技术】
[0002] 磁共振成像（Ma即eticResonanceImaging,MRI)是随着计算机技术、电子电路技 术、超导体技术的发展而迅速发展起来的一种生物磁学核自旋成像技术。它利用磁场与射 频脉冲使人体组织内进动的氨核（即化）发生振动产生射频信号，经计算机处理而成像。当 把物体放置在磁场中，用适当的电磁波照射它，使之共振，然后分析它释放的电磁波，就可 W得知构成该一物体的原子核的位置和种类，据此可W绘制成物体内部的精确立体图像。 比如，可W通过磁共振成像扫描人类大脑获得的一个连续切片的动画，由头顶开始，一直到 脚部。
[0003] 射频线圈功率损耗是磁共振成像系统中射频线圈的主要参数之一。磁共振成像中 的监控子系统可W根据射频线圈功率损耗限制射频功率的数值，W保护人体不接收到过量 射频信号。在公开号CN101615214B的专利文献中，披露了对磁共振成像射频线圈进行性能 分析的方法。在该方法中，首先建立射频线圈空间仿真模型并计算导体的趋肤深度，然后对 仿真模型进行网格剖分并设置仿真边界条件，再用电磁场有限元数值计算软件算出各项电 磁参数，最后计算射频线圈的电感、电阻、负载润流损耗等效电阻等参数。
[0004] 在现有技术中，在射频线圈的发射端口设置有用于感应射频线圈发射端口处射频 电压的禪合线圈，并基于所感应的射频电压来计算射频线圈功率损耗。然而，该种方式由于 需要额外设置禪合线圈，从而提高了系统硬件成本。
【发明内容】
[0005] 本发明实施方式提出一种磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法，W降 低成本。
[0006] 本发明实施方式提出一种磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定装置，W降 低成本。
[0007] 本发明实施方式提出一种磁共振成像系统，W降低成本。
[000引本发明实施方式的技术方案如下：
[0009] 一种磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法，包括：
[0010] 执行一负载全反射测试；
[0011] 检测所述负载全反射测试的一负载全反射功率损耗；
[0012] 基于所述负载全反射功率损耗和一特定参数确定所述射频线圈功率损耗。
[0013] 所述特定参数是一经验值。
[0014] 所述特定参数是K，
[001引
[0016] 其中，所述射频线圈是具有一第一端口和一第二端口的一体线圈，Ui是射频线圈 第一端口射频电压，U,是射频线圈第二端口射频电压；Uiuf是负载全反射第一端口射频电 压，U2uf是负载全反射第二端口射频电压。
[0017] 还包括：
[0018] 利用所述射频线圈执行一磁共振扫描，并根据所述磁共振成像系统的功率分配器 的一第一功率特性参数W及该功率分配器与该射频线圈之间的一传输路径参数，确定所述 射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压，即所述第一功率特性参数 是进行所述磁共振扫描时的功率特性参数。
[0019] 所述确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压包 括：
[0020]
[0021]
[0022] 其中，所述第一功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Pp和一反射 功率值Pc;-第二输入端口的一入射功率值Pk和一反射功率值Pd，其中Pk等于零；
[0023] 所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位A、一 第二端口路径幅度衰减As、一第二端口路径相位斬。
[0024] 还包括：根据所述磁共振成像系统的功率分配器的一第二功率特性参数及所述传 输路径参数，确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频电压，其 中，第二功率特性参数是所述负载全反射测试时功率分配器的功率特性，即所述功率分配 器与所述负载连接时功率分配器的功率特性。
[00巧]所述确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频电压包 括：
[0026]
[0027]
[0028] 其中，所述第二功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Ppuf和一反 射功率值iVuf;-第二输入端n的一入射功率值Pkuf和一反射功率值Ptuf，其中Pieuf等 于零；
[0029] 所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位巧、一 第二端口路径幅度衰减A2、一第二端口路径相位化。
[0030] 还包括：利用所述射频线圈执行一磁共振扫描，检测所述负载全反射第一端口射 频电压和所述负载全反射第二端口射频电压。
[0031] 一种磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定装置，包括：
[0032] -负载全反射测试执行单元，用于执行一负载全反射测试；
[0033] -负载全反射功率损耗检测单元，用于检测所述负载全反射测试的一负载全反射 功率损耗；
[0034] -射频线圈功率损耗确定单元，用于基于所述负载全反射功率损耗和一特定参数 确定所述射频线圈功率损耗。
[00巧]所述特定参数是一经验值。
[0036] 所述特定参数是K，
[0037]
[0038] 其中，所述射频线圈是具有一第一端口和一第二端口的一体线圈，Ui是射频线圈 第一端口射频电压，U,是射频线圈第二端口射频电压；Uiuf是负载全反射第一端口射频电 压，U2uf是负载全反射第二端口射频电压。
[0039] 射频线圈功率损耗确定单元，用于执行一磁共振扫描，并根据所述磁共振成像系 统的功率分配器的一第一功率特性参数W及该功率分配器与该射频线圈之间的一传输路 径参数，确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压。
[0040] 所述确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压包 括：
[0041]
[0042]
[0043] 其中，所述第一功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Pp和一反射 功率值Pc;-第二输入端口的一入射功率值Pk和一反射功率值Pd，其中Pk等于零；
[0044] 所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位約、一 第二端口路径幅度衰减As、一第二端口路径相位捉。
[0045] 射频线圈功率损耗确定单元，用于根据所述磁共振成像系统的功率分配器的一第 二功率特性参数及所述传输路径参数，确定所述负载全反射测试第一端口射频电压和负载 全反射测试第二端口射频电压。
[0046] 所述确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频电压包 括：
[0047]
[0048]
[0049] 其中，所述第二功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Ppuf和一反 射功率值IVuf;-第二输入端口的一入射功率值Pieuf和一反射功率值Ptuf，其中Pieuf等 于零；
[0050] 所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位闲、一 第二端口路径幅度衰减As、一第二端口路径相位仍。
[0051] 一种磁共振成像系统，包括如上任一所述的保持磁体线圈的装置。
[0052] 从上述技术方案可W看出，在本发明磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定 方法中，执行一负载全反射测试；检测所述负载全反射测试的一负载全反射功率损耗；基 于所述负载全反射功率损耗和一特定参数确定所述射频线圈功率损耗。由此可见，应用本 发明实施方式之后，无需额外设置用于检测射频线圈射频电压的禪合线圈，而是基于负载 全反射功率损耗和一特定参数确定射频线圈功率损耗，因此本发明实施方式可W在不使用 禪合线圈的条件下进行射频线圈功率损耗的计算，节省了硬件投入。
【附图说明】
[0053] 图1为根据本发明磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法流程图。
[0054] 图2为根据本发明实施方式磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法流 程图。
[0055] 图3为根据本发明磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定装置结构图。
[0056] 图4为根据本发明实施方式磁共振成像系统中确定射频线圈功率损耗系统结构 图。
[0057] 图5为图4中功率分配器3的传输特性示意图。
【具体实施方式】