>[0058] 为了使本发明的技术方案及优点更加清楚明白，W下结合附图及实施方式，对本 发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的【具体实施方式】仅仅用W阐述性说明本 发明，并不用于限定本发明的保护范围。
[0059] 为了描述上的简洁和直观，下文通过描述若干代表性的实施方式来对本发明的方 案进行阐述。实施方式中大量的细节仅用于帮助理解本发明的方案。但是很明显，本发明的 技术方案实现时可W不局限于该些细节。为了避免不必要地模糊了本发明的方案，一些实 施方式没有进行细致地描述，而是仅给出了框架。下文中，"包括"是指"包括但不限于"，"根 据……"是指"至少根据……，但不限于仅根据……"。由于汉语的语言习惯，下文中没有特 别指出一个成分的数量时，意味着该成分可W是一个也可W是多个，或可理解为至少一个。
[0060] 在本发明实施方式中，并不设置禪合线圈，而是通过与射频功率放大器输出端连 接的定向禪合器所监测的前向功率、反向功率W及系统功率吸收负载自带的耗散功率，并 配合与射频线圈连接的定向禪合器所检测的前向功率和反向功率计算射频线圈的功率损 耗。
[0061] 图1为根据本发明磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法流程图。
[0062] 如图1所示，该方法包括：
[0063] 步骤S101;执行一负载全反射测试。
[0064] 步骤S102 ;检测所述负载全反射测试的一负载全反射功率损耗。
[0065] 步骤S103 ;基于所述负载全反射功率损耗和一特定参数确定所述射频线圈功率 损耗。
[0066] 本发明实施方式可W基于多种方式确定该特定参数。
[0067] 在一个实施方式中，该特定参数可W是一经验值。可W基于多次测试确定出该经 验值，并利用该负载全反射功率损耗和一特定参数确定所述射频线圈功率损耗。
[0068] 在一个实施方式中，特定参数是K;
所述射频线圈是具有 一第一端口和一第二端口的一体线圈，Ui是射频线圈第一端口射频电压，U,是射频线圈第 二端口射频电压；Uluf是负载全反射第一端口射频电压，U2uf是负载全反射第二端口射频 电压。上述电压值均可通过检测获取。
[0069] 在一个实施方式中，还包括：
[0070] 利用所述射频线圈执行一磁共振扫描，并根据所述磁共振成像系统的功率分配器 的一第一功率特性参数W及该功率分配器与该射频线圈之间的一传输路径参数，确定所述 射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压。
[0071] 优选地，所述确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频 电压包括：
[0072]
[0073]
[0074] 其中，所述第一功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Pp和一反射 功率值Pc;-第二输入端口的一入射功率值Pk和一反射功率值Pd，其中Pk等于零；
[00巧]所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位A、一 第二端口路径幅度衰减As、一第二端口路径相位的
[0076] 在一个实施方式中，还包括：根据所述磁共振成像系统的功率分配器的一第二功 率特性参数及所述传输路径参数，确定所述负载全反射测试第一端口射频电压和负载全反 射测试第二端口射频电压。
[0077] 优选地，所述确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频 电压包括：
[0078]
[0079]
[0080] 其中，所述第二功率特性参数包括；一第一输入端口的一入射功率值Ppuf和一反 射功率值IVuf;-第二输入端口的一入射功率值Pieuf和一反射功率值Ptuf，其中Pieuf等 于零；
[0081]所述传输路径参数包括；一第一端口路径幅度衰减Ai、一第一端口路径相位巧、一 第二端口路径幅度衰减As、一第二端口路径相位妍。
[0082] 在一个实施方式中，还包括：检测所述负载全反射第一端口射频电压和所述负载 全反射第二端口射频电压。
[0083] 基于上述分析，图2为根据本发明实施方式磁共振成像系统的射频线圈功率损耗 的确定方法流程图。
[0084] 如图2所示，该方法包括：
[0085] 步骤S201 ;执行一磁共振扫描，并根据所述磁共振扫描中与该射频线圈相连接的 功率分配器的第一功率特性参数W及该功率分配器与该射频线圈之间的传输路径参数，确 定第一射频线圈射频电压。
[0086] 步骤S202 ;基于负载全反射测试的第二射频线圈射频电压、该负载全反射测试的 功率损耗值W及第一射频线圈射频电压，确定该磁共振扫描的射频线圈功率损耗。
[0087] 在一个实施方式中，执行负载全反射测试，并根据负载全反射测试中该功率分配 器的一第二功率特性参数及所述传输路径参数，确定该第二射频线圈射频电压。
[0088] 在一个实施方式中，根据该射频线圈的前向功率和反向功率，确定负载全反射测 试的功率损耗。
[0089] 在一个实施方式中：
[0090] 射频线圈包括具有第一端口和第二端口的体线圈；
[0091] 第一功率特性参数包括；功率分配器的第一输入端口对应于磁共振扫描的入射功 率值Pp和反射功率值Pc;功率分配器的第二输入端口对应于磁共振扫描的入射功率值Pk反 射功率值Pd(即负载耗散功率值），其中Pk等于零；
[0092] 传输路径参数包括；第一端口路径幅度衰减Ai、第一端口路径相位口 1、第二端口路 径幅度衰减A2、第二端口路径相位化。
[0093] 此时，第一射频线圈射频电压包括；第一端口射频电压Ui和第二端口射频电压& ; j是虚数单位；e是自然底数；其中：
[0094]
[0095]
[0096] 在一个实施方式中，可W基于类似方式计算负载全反射测试的射频线圈射频电 压。
[0097] 举例，假设射频线圈包括具有第一端口和第二端口的体线圈。
[0098] 在计算负载全反射测试的射频线圈射频电压时：
[0099] 第二功率特性参数包括；功率分配器的第一输入端口的入射功率值Ppuf和反射 功率值IVuf;功率分配器的第二输入端口的入射功率值Pieuf和反射功率值Ptuf(即负载耗 散功率值）；Ptuf，其中等于零；
[0100] 传输路径参数包括；第一端口路径幅度衰减Ai、第一端口相位路径巧、第二端口路 径幅度衰减As、第二端口路径相位妈；
[0101] 第二射频线圈射频电压包括：第一端口射频电压Uiuf和第二端口射频电压U2uf; j是虚数单位；e是自然底数；其中：
[0104] 全反射测试的功率损耗CPLuf即为射频线圈的输入功率值，可W通过测量方式得 到CPLuf的具体值。而且，在计算出Uiuf、U2uf、Ui、U2之后，可W进一步计算特定参数是K;
[0102]
[0103]
;并且计算磁共振扫描的射频线圈功率损耗CPL。
[0105] 在一个实施方式中：
[0106]
[0107] 基于上述分析，本发明实施方式还提出了一种磁共振成像系统的射频线圈功率损 耗的确定装置。
[010引图3为根据本发明实施方式的磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定装置 结构图。
[0109] 如图3所示，该装置包括：
[0110] 负载全反射测试执行单元301，用于执行一负载全反射测试；
[0111] 负载全反射功率损耗检测单元302,用于检测所述负载全反射测试的一负载全反 射功率损耗
[0112] 射频线圈功率损耗确定单元303,用于基于所述负载全反射功率损耗和一特定参 数确定所述射频线圈功率损耗。
[0113] 其中，所述特定参数可W是一经验值。
[0114] 可W基于多次测试确定出该经验值，并利用该负载全反射功率损耗和一特定参数 确定所述射频线圈功率损耗。
[0115] 在一个实施方式中，特定参数是K
;所述射频线圈是具有 一第一端口和一第二端口的一体线圈，Ui是射频线圈第一端口射频电压，U,是射频线圈第 二端口射频电压；Uluf是负载全反射第一端口射频电压，U2uf是负载全反射第二端口射频 电压。
[0116] 在一个实施方式中，射频线圈功率损耗确定单元303,用于执行一磁共振扫描，并 根据所述磁共振成像系统的功率分配器的一第一功率特性参数W及该功率分配器与该射 频线圈之间的一传输路径参数，确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二 端口射频