水浸线聚焦探头的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种超声波探头，特别涉及一种水浸线聚焦探头。
【背景技术】
[0002]为了提高探测精度，有些探头的外壳上设置有刻度。而这种刻度大多数是通过人眼测量，误差很大，特别是水浸探头，与工件处于非接触状态，如何对准刻度对检测精度尤为重要。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是:为了克服现有技术的不足，本发明提供一种水浸线聚焦探头。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种水浸线聚焦探头，包括壳体，所述壳体具有探测面和两个相对的侧面，两个侧面均与探测面垂直，且其中一个侧面上具有刻度线，所述刻度线延伸到刻度线所在的侧面与探测面的相交线上，具有刻度线的侧面上设置有一红外发射器，所述红外发射器的发射方向与刻度线的延伸方向平行。
[0005]为了方便调节红外发射器的位置，便于对准，具有刻度线的侧面上开设有凹槽，所述红外发射器与所述侧面在凹槽处滑动连接，所述凹槽的长度延伸方向与刻度线的分布方向相同。因此，红外发射器能够沿凹槽的长度方向前后移动，即沿刻度线的分布方向前后移动。
[0006]为了便于滑动，所述凹槽底部和红外发射器之间嵌入有玻璃珠，所述凹槽底部和红外发射器均与玻璃珠滚动连接。
[0007]所述红外发射器具有一个侧面为弧面。这样，弧面部位可以方便手持。
[0008]为了防止刻度线对红外发射器的移动产生干扰，所述刻度线内凹于所述壳体。
[0009]本发明的有益效果是，本发明的水浸线聚焦探头，设置了红外发射器，可以用于对准起始刻度或探伤位置，减少探测误差。
【附图说明】
[0010]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0011]图1是本发明的水浸线聚焦探头的结构示意图。
[0012]图2是本发明的水浸线聚焦探头的俯视结构示意图。
[0013]图3是本发明的水浸线聚焦探头的局部剖面示意图。
[0014]图中1、壳体，1-1、凹槽，1-2、刻度线，a、探测面，b、相交线，2、红外发射器，2_1、弧面，3、玻璃珠，y、刻度线的延伸方向，X、刻度线的分布方向。
【具体实施方式】
[0015]现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
[0016]如图1-3所示，本发明的一种水浸线聚焦探头，包括壳体I，壳体I具有探测面a和两个相对的侧面，两个侧面均与探测面a垂直，且其中一个侧面上具有刻度线1-2，刻度线1-2延伸到刻度线1-2所在的侧面与探测面a的相交线b上，具有刻度线1-2的侧面上设置有一红外发射器2，红外发射器2的发射方向与刻度线1-2的延伸方向平行。红外发射器2具有一个侧面为弧面2-1。
[0017]具有刻度线1-2的侧面上开设有凹槽1-1，红外发射器2与侧面在凹槽1-1处滑动连接，凹槽1-1的长度延伸方向与刻度线1-2的分布方向相同。凹槽1-1底部和红外发射器2之间嵌入有玻璃珠3，凹槽1-1底部和红外发射器2均与玻璃珠3滚动连接。
[0018]以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种水浸线聚焦探头，其特征在于:包括壳体(I)，所述壳体(I)具有探测面(a)和两个相对的侧面，两个侧面均与探测面(a)垂直，且其中一个侧面上具有刻度线(1-2)，所述刻度线(1-2)延伸到刻度线(1-2)所在的侧面与探测面(a)的相交线(b)上，具有刻度线(1-2)的侧面上设置有一红外发射器(2)，所述红外发射器⑵的发射方向与刻度线(1-2)的延伸方向平行。2.如权利要求1所述的水浸线聚焦探头，其特征在于:具有刻度线(1-2)的侧面上开设有凹槽(1-1)，所述红外发射器(2)与所述侧面在凹槽(1-1)处滑动连接，所述凹槽(1-1)的长度延伸方向与刻度线(1-2)的分布方向相同。3.如权利要求2所述的水浸线聚焦探头，其特征在于:所述凹槽(1-1)底部和红外发射器(2)之间嵌入有玻璃珠(3)，所述凹槽(1-1)底部和红外发射器(2)均与玻璃珠(3)滚动连接。4.如权利要求1所述的水浸线聚焦探头，其特征在于:所述红外发射器(2)具有一个侧面为弧面(2-1)。5.如权利要求1所述的水浸线聚焦探头，其特征在于:所述刻度线(1-2)内凹于所述壳体⑴。
【专利摘要】本发明涉及一种水浸线聚焦探头，包括壳体，所述壳体具有探测面和两个相对的侧面，两个侧面均与探测面垂直，且其中一个侧面上具有刻度线，所述刻度线延伸到刻度线所在的侧面与探测面的相交线上，具有刻度线的侧面上设置有一红外发射器，所述红外发射器的发射方向与刻度线的延伸方向平行。本发明的水浸线聚焦探头，设置了红外发射器，可以用于对准起始刻度或探伤位置，减少探测误差。
【IPC分类】G01C15/00
【公开号】CN105021170
【申请号】CN201510417402
【发明人】周南岐
【申请人】常州市常超电子研究所有限公司
【公开日】2015年11月4日
【申请日】2015年7月15日