。
【具体实施方式】
[0014]下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0015]图1是本发明实施例的基于信息系统的宽范围电源检测装置的电路图，所述基于信息系统的宽范围电源检测装置包括第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一 NM0S管N1、第二 NM0S管N2、第三NM0S管N3、第四NM0S管N4、第五NM0S管N5、第一 PM0S管P1、第二 PM0S管P2、第三PM0S管P3、第四PM0S管P4、第五PM0S管P5以及第六PM0S管P6。在本实施例中，所述第三电阻R3为可调电阻。
[0016]具体地，所述第一电容C1的一端连接电源正极VCC，所述第一电容C1的另一端连接所述第一电阻R1的一端、所述第三电阻R3的一端以及所述第一 PM0S管P1的栅极，所述第二电容C2的一端连接电源负极VSS，所述第二电容C2的另一端连接所述第二电阻R2的一端、所述第三电阻R3的另一端以及所述第二 PM0S管P2的栅极，所述第一电阻R1的另一端适于接收第一偏置电流IB1，所述第二电阻R2的另一端、所述第二 NM0S管N2的源极、所述第三NM0S管N3的源极、所述第四NM0S管N4的源极以及所述第五NM0S管N5的源极接地；
所述第一 PM0S管P1的漏极连接所述第一 NM0S管N1的漏极、所述第二 NM0S管N2的栅极、所述第二 NM0S管N2的漏极以及所述第四NM0S管N4的栅极，所述第一 PM0S管P1的源极连接所述第二 PM0S管P2的源极和所述第三PM0S管P3的漏极，所述第三PM0S管P3的栅极连接所述第四PM0S管P4的栅极和所述第四PM0S管P4的漏极并适于接收第二偏置电流IB2，所述第二 PM0S管P2的漏极连接所述第一 NM0S管N1的源极、所述第一 NM0S管N1的栅极、所述第三NM0S管N3的漏极、所述第三NM0S管N3的栅极以及所述第五NM0S管N5的栅极，所述第四NM0S管N4的漏极连接所述第五PM0S管P5的漏极、所述第五PM0S管P5的栅极以及所述第六PM0S管P6的栅极，所述第五NM0S管N5的漏极连接所述第六PM0S管P6的漏极并适于输出第一检测信号V01，所述第三PM0S管P3的源极、所述第四PM0S管P4的源极、所述第五PMOS管P5的源极以及所述第六PM0S管P6的源极适于接收工作电压VDD。需要说明的是，所述电源负极VSS和地可以是同一电源也可以是不同电源，所述工作电压VDD可以由电池提供，本实施例对此不作限定。
[0017]在本实施例中，所述第一电容C1和所述第二电容C2对出现在电源电压上的负向毛刺电压进行采样，所述第一电阻R1、所述第二电阻R2以及所述第三电阻R3为所述第一NM0S管Nl~所述第五NM0S管N5、所述第一 PM0S管Pl~第六PM0S管P6构成的电压比较电路提供直流偏置。由于电源正极VCC和电源负极VSS的电压都是通过电容交流耦合到电压比较电路的输入端，所以电压比较电路输入端信号与电源提供的直流供电电压无关。只考虑电源正极VCC和电源负极VSS的交流信号成分，且将所述第一电容C1和所述第二电容C2设置为相同的电容值，存在关系:Vp-Vn=Ib 1 X r3-0.5 X (Vs-Vc )，其中，Vp为所述第一 PMOS管P1的栅极电压，Vn为所述第二 PM0S管P2的栅极电压，Vc为电源正极VCC上的交流电压，Vs为电源负极VSS上的交流电压，Ibl为所述第一偏置电流IB1的电流值，r3为所述第三电阻R3的电阻值。
[0018]从上式可以看出，电压比较电路将电源负极VSS和电源正极VCC的交流电压差的二分之一和固定的偏置电压IblXr3进行比较，偏置电压的电压值即为电压比较电路发生翻转的阈值。通过设置偏置电压的电压值，即调整所述第三电阻R3的电阻值，就能实现设置被检测电源负向毛刺电压的幅值水平。
[0019]电压比较电路产生的第一检测信号V01通常驱动能力较弱，因而本发明实施例还提供另一种结构的基于信息系统的宽范围电源检测装置，所述基于信息系统的宽范围电源检测装置还包括缓冲器，所述缓冲器适于对所述第一检测信号V01进行放大处理以产生第二检测信号。图2是本发明实施例的缓冲器的电路图，所述缓冲器包括第六NM0S管N6、第七NM0S管N7、第七PM0S管P7以及第八PM0S管P8。
[0020]具体地，所述第六NM0S管N6的栅极连接所述第七PM0S管P7的栅极并适于接收所述第一检测信号V01，所述第六NM0S管N6的漏极连接所述第七PM0S管P7的漏极、所述第七NM0S管N7的栅极以及所述第八PM0S管P8的栅极，所述第七NM0S管N7的漏极连接所述第八PM0S管P8的漏极并适于输出所述第二检测信号V02，所述第六NM0S管N6的源极和所述第七NM0S管N7的源极接地，所述第七PM0S管P7的源极和所述第八PM0S管P8的源极适于接收工作电压VDD。本实施例的缓冲器由两级CMOS反相器构成，在其他实施例中，也可以为更多级数的CMOS反相器。
[0021]获得所述第二检测信号V02后，可以利用所述第二检测信号V02对毛刺攻击进行报警。本发明实施例还提供另一种结构的基于信息系统的宽范围电源检测装置，所述基于信息系统的宽范围电源检测装置还包括锁存器，所述锁存器适于对所述第二检测信号V02进行锁存处理以产生报警信号。图3是本发明实施例的锁存器的电路结构示意图，所述锁存器包括延时电路31、二选一数据选择器32、第一反相器33以及第二反相器34。
[0022]具体地，所述延时电路31的输入端连接所述二选一数据选择器32的第一输入端并适于接收所述第二检测信号V02，所述延时电路31的输出端连接所述二选一数据选择器32的控制端，所述二选一数据选择器32的输出端连接所述第一反相器33的输入端并适于输出所述报警信号AS，所述第一反相器33的输出端连接所述第二反相器34的输入端，所述第二反相器34的输出端连接所述二选一数据选择器32的第二输入端。
[0023]未出现毛刺攻击时，所述第二检测信号V02为第一电平，所述第一电平经过所述延时电路31延时后控制所述二选一数据选择器32选择其第一输入端的信号输出；出现毛刺攻击时，所述第二检测信号V02为第二电平，所述第二电平经过所述延时电路31延时后控制所述二选一数据选择器32选择其第二输入端的信号输出，形成数据锁存，以供报警电路进行处理。
[0024]本发明实施例还提供一种偏置电流产生电路，所述偏置电流产生电路适于提供所述第一偏置电流IB1和所述第二偏置电流IB2。图4是本发明实施例的偏置电流产生电路的电路图，所述偏置电流产生电路包括第八NM0S管N8、第九NM0S管N9、第十NM0S管N10、第九PM0S管P9、第十PM0S管卩10、第^^一 PM0S管P11、第十二 PM0S管P12、第十三PM0S管P13、第十四PM0S管P14以及第四电阻R4。
[0025]所述第八NM0S管N8的栅极连接所述第八NM0S管N8的漏极、所述第九PM0S管P9的漏极以及所述第十PM0S管P10的栅极，所述第八NM0S管N8的源极、所述第九NM0S管N9的源极以及所述第四电阻R4的一端接地，所述第九PM0S管P9的栅极适于接收启动信号ST，所述第九PM0S管P9的源极、所述第十PM0S管P10的源极、所述第i^一 PM0S管P11的源极、所述第十二 PM0S管P12的源极、所述第