十三PM0S管P13的源极以及所述第十四PM0S管P14的源极适于接收工作电压VDD ;
所述第九NM0S管N9的栅极连接所述第九NM0S管N9的漏极、所述第十PM0S管P10的漏极、所述第i^一 PM0S管P11的漏极以及所述第十NM0S管N10的栅极，所述第十NM0S管N10的源极连接所述第四电阻R4的另一端，所述第十NM0S管N10的漏极连接所述第十一PM0S管P11的栅极、所述第十二 PM0S管P12的栅极、所述第十二 PM0S管P12的漏极、所述第十三PM0S管P13的栅极以及所述第十四PM0S管P14的漏极，所述第十三PM0S管P13的漏极适于输出所述第一偏置电压IB1，所述第十四PM0S管P14的漏极适于输出所述第二偏置电压IB2。
[0026]所述第九NM0S管N9、所述第十NM0S管N10、所述第^^一 PM0S管P11、所述第十二PM0S管P12以及所述第四电阻R4组成PTAT电流产生电路的主电路，并通过所述第十三PM0S管P13和所述第十四PM0S管P14将基准电流镜像出去，所述第八NM0S管N8、所述第九PM0S管P9以及所述第十PM0S管P10构成启动电路。当电路正常启动之后，所述启动信号ST使所述第九PM0S管P9导通、所述第十PM0S管P10截止，启动电路和主电路断开，主电路不受启动电路的影响。
[0027]以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS 管； 所述第一电容的一端连接电源正极，所述第一电容的另一端连接所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第一 PMOS管的栅极，所述第二电容的一端连接电源负极，所述第二电容的另一端连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的另一端以及所述第二PMOS管的栅极，所述第一电阻的另一端适于接收第一偏置电流，所述第二电阻的另一端、所述第二 NMOS管的源极、所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极以及所述第五NMOS管的源极接地； 所述第一 PMOS管的漏极连接所述第一 NMOS管的漏极、所述第二 NMOS管的栅极、所述第二 NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的栅极，所述第一 PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极并适于接收第二偏置电流，所述第二 PMOS管的漏极连接所述第一 NMOS管的源极、所述第一 NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极以及所述第六PMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极并适于输出第一检测信号，所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极、所述第五PMOS管的源极以及所述第六PMOS管的源极适于接收工作电压。2.根据权利要求1所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，所述第二电阻为可调电阻。3.根据权利要求1所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，还包括缓冲器； 所述缓冲器适于对所述第一检测信号进行放大处理以产生第二检测信号。4.根据权利要求3所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，所述缓冲器包括第六NMOS管、第七NMOS管、第七PMOS管以及第八PMOS管； 所述第六NMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极并适于接收所述第一检测信号，所述第六NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极以及所述第八PMOS管的栅极，所述第七NMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的漏极并适于输出所述第二检测信号，所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的源极接地，所述第七PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极适于接收工作电压。5.根据权利要求3所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，还包括锁存器； 所述锁存器适于对所述第二检测信号进行锁存处理以产生报警信号。6.根据权利要求5所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，所述锁存器包括延时电路、二选一数据选择器、第一反相器以及第二反相器； 所述延时电路的输入端连接所述二选一数据选择器的第一输入端并适于接收所述第二检测信号，所述延时电路的输出端连接所述二选一数据选择器的控制端，所述二选一数据选择器的输出端连接所述第一反相器的输入端并适于输出所述报警信号，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述二选一数据选择器的第二输入端。7.根据权利要求1至6任一项所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，还包括偏置电流产生电路； 所述偏置电流产生电路适于提供所述第一偏置电流和所述第二偏置电流。8.根据权利要求7所述的基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，所述偏置电流产生电路包括第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第^^一 PMOS管、第十二 PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管以及第四电阻； 所述第八NMOS管的栅极连接所述第八NMOS管的漏极、所述第九PMOS管的漏极以及所述第十PMOS管的栅极，所述第八NMOS管的源极、所述第九NMOS管的源极以及所述第四电阻的一端接地，所述第九PMOS管的栅极适于接收启动信号，所述第九PMOS管的源极、所述第十PMOS管的源极、所述第十一 PMOS管的源极、所述第十二 PMOS管的源极、所述第十三PMOS管的源极以及所述第十四PMOS管的源极适于接收工作电压； 所述第九NMOS管的栅极连接所述第九NMOS管的漏极、所述第十PMOS管的漏极、所述第十一 PMOS管的漏极以及所述第十NMOS管的栅极，所述第十NMOS管的源极连接所述第四电阻的另一端，所述第十NMOS管的漏极连接所述第十一 PMOS管的栅极、所述第十二 PMOS管的栅极、所述第十二 PMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的栅极以及所述第十四PMOS管的漏极，所述第十三PMOS管的漏极适于输出所述第一偏置电压，所述第十四PMOS管的漏极适于输出所述第二偏置电压。
【专利摘要】一种基于信息系统的宽范围电源检测装置，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管。本发明提供的基于信息系统的宽范围电源检测装置，不受直流供电电压影响、功耗小、负向电源毛刺电压的频率采集范围宽。
【IPC分类】G01R31/40
【公开号】CN105242220
【申请号】CN201510630347
【发明人】崔崇明
【申请人】成都贝发信息技术有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月29日