件。
[0044] 图2示出了根据其它示例实施例的监视易腐烂物品方法的流程图。在方框210处， 通过设置相变材料传感器的相来对其进行初始化。在方框220处，相变传感器与监视应用 一起实现，例如通过将传感器禪合到食品或药品包装，或将传感器设置在食品或药品包装 中。在方框230处向传感器提供电能，并且在方框240处，使用所提供的电能来对传感器的 电特性进行检测。在方框250处，使用将电特性与相变材料的相（或其中相的度数）关联 的模型或其它信息对电特性进行处理。在一些实现中，方框250根据上述的方程式3来操 作，W估计溫度暴露。 W45] 图3示出了根据示例实施例的多级溫度传感器装置300。例如，所述装置300可W通过类似于图1中示出的方式与传感器310、312、314和316 -起实现，所述传感器310、 312、314和316分别可通过不同的相变材料来感测不同的特性。例如，如图所示的每个传 感器可W与不同的Tc和一起实现，其可W向不同的转变溫度和结晶化溫度提供灵敏度。 再次W示例的方式示出，传感器可W类似地应用到监视的环境300,例如可W与包装一起实 现。
[0046] 可W实现各种方框、模块或其它电路W执行本文描述的和/或附图中示出的操作 和活动中的一个或多个。在运些上下文中，"方框"（有时也称为"逻辑电路"或"模块"）是 执行运些或相关的操作/活动中的一个或多个的电路（例如读出电路、传感器电路或无线 电能电路如RFID电路）。例如，在某些上述的实施例中，一个或多个模块是离散逻辑电路或 可编程逻辑电路，所述电路配置并布置为实现运些操作/活动，例如图1中示出的电路模块 中。在某些实施例中，运样的可编程电路是一个或多个被编程来执行指令（和/或配置数 据）的（一个或多个）集合的计算机电路。指令（和/或配置数据）能够W固件或软件的 形式存储在存储器（电路）中并且可W从存储器（电路）访问。作为示例，第一和第二模 块包括CPU基于硬件电路与W固件形式的指令集的组合，其中第一模块包括具有一个指令 集的第一CPU硬件电路，并且第二模块包括具有另一个指令集的第二CPU硬件电路。运样 的方面可W实现来读取和/或解译相变材料的特性，W推断随时间变化的溫度操作。
[0047] 某些实施例用于计算机程序产品（例如非易失性存储设备），其包括具有存储在 其上的指令的机器或计算机可读介质，所述指令可W通过计算机（或其它电子设备）执行 W执行运些操作/活动。
[0048] 基于上述讨论和说明，本领域技术人员将会容易地意识到，在不严格遵循示例性 实施例和本文示出和表述的应用的情况下，可W对各种实施例进行各种修改和改变。例如， 使用相变材料的示出或描述的实施例可W与提供对溫度的不同响应的不同类型相变材料 一起实现。此外，多种类型的相变材料可W替代示出的相变材料来实现，或者除示出的相变 材料W外可W实现多种类型的相变材料。运样的修改不背离本发明的各种方面包括权利要 求中规定的方面的真实精神和范围。
【主权项】
1. 一种装置，包括： 相变材料，所述相变材料具有显现出根据易腐烂物品暴露于其温度高于阈值温度的环 境的时间而增大的变化的晶体结构；以及 电路，所述电路被配置并布置为通过提供对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度 的环境的特性描述来对所述变化进行响应。2. 根据权利要求1所述的装置，其中，所述相变材料适于在第一状态和第二状态中操 作： 在第一状态中，呈现主要处于第一相的晶体结构，对应于所述晶体结构暴露于第一温 度范围，并且 在第二状态中，呈现以下晶体结构：根据高于所述第一温度范围的第二温度范围，所述 晶体结构的至少在第一状态中具有第一相的部分经历向第二相的相变。3. 根据权利要求2所述的装置，其中，所述晶体结构呈现随着温度增长的晶体化速率， 并且所述相变材料在所述第二状态中操作，在所述第二状态下，所述晶体结构的所述部分 以与随时间变化的温度增长相对应的不同结晶化速率来经历相变。4. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路与所述相变材料一起被配置 和布置为：通过提供对已经从所述第一相变化为所述第二相的晶体结构量的指示，对所述 相变材料暴露于高于所述阈值温度的温度的时间量进行特性描述。5. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路与所述相变材料一起被配置 和布置为：通过提供对已经从所述第一相变化为所述第二相的晶体结构量的指示，来对所 述相变材料所暴露于的温度进行特性描述。6. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述相变材料被配置和布置为：以随 着温度提高而提高的结晶化速率从所述第一相向所述第二相转变。7. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述晶体结构被配置和布置为：通过 从所述第一相变为所述第二相来显现出变化，并且随后响应于施加在端子间的电压，经历 所述第二相中的晶体结构向所述第一相中的晶体结构的变化，其中，重置所述相变材料以 检测所述相变材料对温度的暴露。8. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路被配置和布置为从无线信号 中获取电能，并且使用所获取的电能来发送对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度的 环境进行特性描述的无线信号。9. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述相变材料包括集成电路" 1C"中的 硫族化合物材料，所述1C包括所述电路，所述1C还包括RFID电路，所述RFID电路被配置 和布置为： 从无线信号中获取电能，并且 使用所获取的电能来发送对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度的环境进行特 性描述的无线信号。10. 根据前述任一项权利要求所述的装置，还包括具有第一端子和第二端子的读出电 路，所述第一端子和所述第二端子通过所述相变材料连接，并且被配置和布置为提供相对 于在非晶体状态中的相变材料的电输出的、基于相变材料中的晶体结构量的电输出。11. 根据前述任一项权利要求所述的装置，其中， 所述相变材料包括呈现不同激活能量和结晶化温度的不同相变材料部分， 针对各个相变材料部分，所述电路包括通过所述相变材料部分连接的一对端子，以及 所述电路被配置和布置为：针对各个相变材料部分分别提供电输出，所述电输出基于 响应于温度而显现出变化的部分的晶体结构量，其中，所述电输出对所述相变材料暴露于 第二温度范围内的相应温度进行特性描述。12. 根据权利要求11所述的装置，其中，不同相变材料部分呈现不同的结晶化温度，所 述装置还包括读出电路，所述读出电路被配置和布置为：基于所述部分中的第一部分已经 结晶而所述部分中的第二部分尚未结晶，来确定所述相变材料所暴露于的最大温度，其中， 所确定的最大温度被识别为所述第一部分的结晶化温度与所述第二部分的结晶化温度之 间的范围内的温度。13. 根据权利要求11所述的装置，其中，所述不同部分中的每个部分具有转变温度Tp 在所述转变温度以上，所述部分的非晶相达到结构化配置，并且在所述转变温度以下，所述 非晶相冻结为不容易改变结构的结构；并且所述不同部分中的每个部分还具有结晶化温度 Tc，在所述结晶化温度处，所述部分的全部结晶化在少于10秒的时间内发生；其中，所述不 同部分中的每个部分具有的TjPTe彼此不同。14. 根据权利要求13所述的装置，还包括读出电路，所述读出电路被配置和布置为： 将所述相变材料暴露于的最大温度确定为在所述部分中的呈现出大约完全结晶化的 第一部分的Tc与所述部分中的呈现出未完全结晶化的第二部分的1\之间的温度；以及 基于所述第二部分已经结晶的量和所述第二部分的结晶化速率来确定所述相变材料 暴露于所述最大温度的持续时间。15. -种方法，包括： 在非供电模式中，提供相变材料，所述相变材料具有显现出根据易腐烂物品暴露于其 温度高于阈值温度的环境的时间而增大的变化的晶体结构；以及 在供电模式中，基于所述相变材料的电特性，通过提供对所述相变材料暴露于其温度 高于阈值温度的环境的特性描述，来对所述变化作出响应。
【专利摘要】本公开的各方面涉及相变材料。根据示例实施例，相变材料具有晶体结构，该晶体结构显现出根据时间而增大的变化。例如，这样的变化可被实现来监视易腐烂物品已经在其温度高于阈值温度的环境中暴露的时间。基于变化，提供了对相变材料暴露于其温度高于阈值温度的环境进行描述的特性描述。
【IPC分类】G01K7/00
【公开号】CN105277289
【申请号】CN201510333673
【发明人】弗里索·雅各布斯·耶德玛, 罗曼诺·胡夫曼, 让·勒内·布兰茨
【申请人】恩智浦有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月16日
【公告号】EP2957879A1, US20150362376