设备，包括:光子发射器，配置为将光子发射到物品的表面上；光子检测器，配置为接收从该物品的表面特征散射的光子；映射装置，基于从该光子检测器接收的信息产生该物品的表面特征的位置的映射；以及表面特征管理器，配置为至少部分地利用表面特征位置的映射以将光子特别地定位和照射到从所映射表面特征预选的表面特征上。
[0064]在一些实施例中，预选的表面特征是该物品的单个表面特征。在一些实施例中，表面特征管理器包括一个或多个反射表面，配置为可控地将照射光子引导到预选的表面特征的位置。在一些实施例中，映射装置将预选的表面特征的位置坐标发送到表面特征管理器，而且该表面特征管理器基于从映射装置接收的位置坐标来定位预选的表面特征。
[0065]在一些实施例中，光子检测器被进一步配置为接收从预选的表面特征散射的照射光子，而且该映射装置被进一步配置为基于从光子检测器接收的信息来分析和分类预选的表面特征。在一些实施例中，表面特征管理器被进一步配置为去除预选的表面特征。在一些实施例中，此设备进一步包括耦合至光子检测器的远心透镜。在一些实施例中，光子检测器包括互补金属氧化物半导体("CMOS")，科学互补金属氧化物半导体(“sCMOS”)或电荷耦合器件(〃C⑶〃)。
[0066]本文同样提供了一种设备，包括:映射装置，基于光子-检测器信号来产生物品的表面特征的位置的映射，该光子-检测器信号对应于从该物品的表面特征散射的光子；以及表面特征管理器。在一些实施例中，该表面特征管理器被配置为:至少部分地基于该表面特征位置的映射定位该物品的表面特征的预定表面特征，将具有第一功率的光子照射到预定表面特征的位置上以分析该预定表面特征，以及将具有第二功率的光子照射到该预定表面特征的位置上以去除该预定表面特征。
[0067]在一些实施例中，该第一和第二功率是不同的。在一些实施例中，表面特征管理器包括一个或多个反射表面，配置为可控地将照射光子引导到预选的表面特征的位置。在一些实施例中，映射装置将预选的表面特征的位置坐标发送到表面特征管理器，而且该表面特征管理器基于从映射装置接收的位置坐标来定位预选的表面特征。在一些实施例中，此设备进一步包括光子检测器，配置为接收从物品的表面特征散射的光子并将光子-检测器信号发送到映射装置。
[0068]本文同样提供了一种设备，包括处理装置，配置为从物品的表面特征的表面特征映射选择表面特征以便去除，其中该表面特征映射包括基于光子-检测器信号的该物品的表面特征的位置坐标，该光子-检测器信号对应于从该表面特征散射的光子。在一些实施例中，此设备进一步包括表面特征管理器，配置为基于从处理装置接收的所选表面特征的位置坐标来定位所选的表面特征，并且将光子照射到所选的表面特征以从该物品去除所选的表面特征。
[0069]在一些实施例中，表面特征管理器包括一个或多个反射表面，配置为可控地将照射光子引导到预选的表面特征的位置。在一些实施例中，该表面特征管理器被配置为将光子照射到所选的表面特征的位置上以在照射光子来去除所选的表面特征之前分析所选的表面特征。在一些实施例中，该表面特征管理器被配置为将第一功率的光子照射到所选的表面特征的位置上以分析所选的表面特征，而且该表面特征管理器照射第二功率的光子以去除所选的表面特征。在一些实施例中，该第一和第二功率是不同的。
[0070]在一些实施例中，此设备进一步包括光子检测器，配置为接收从物品的表面特征散射的光子并将光子-检测器信号发送到处理装置。在一些实施例中，光子检测器包括互补金属氧化物半导体("CMOS")，科学互补金属氧化物半导体(“sCMOS”)或电荷耦合器件("CCD")。
[0071 ] 尽管在本文中已经描述和/或示出了一些特定实施例，且尽管已经相当详细地描述和/或示出了这些特定实施例，但申请人的意图不是用这些特定实施例来限制本文所表达的概念的范围。额外的改编和/或修改对于本领域技术人员可以是显而易见的，在更广义的方面，也可涵盖这些改编和/或修改。因此，可脱离前述实施例而不脱离本文提供的概念的范围。本文提供的实施方式和其他的实施方式在所附权利要求书的范围内。
【主权项】
1.一种设备，包括: 光子发射器，配置成将光子发射到物品的表面上； 光子检测器，配置成接收从所述物品的表面特征散射的光子； 映射装置，基于从所述光子检测器接收的信息来产生所述物品的表面特征的位置的映射；以及 表面特征管理器，配置成至少部分地利用所述表面特征位置的映射以将光子定位和照射到从所映射的表面特征中预选的表面特征上。2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所预选的表面特征是所述物品的单个表面特征。3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述表面特征管理器包括一个或多个反射表面，所述一个或多个反射表面被配置为将照射光子可控地引导到所预选的表面特征的位置。4.如权利要求1所述的设备，其特征在于， 所述映射装置向所述表面特征管理器发送所预选的表面特征的位置坐标；以及所述表面特征管理器基于从所述映射装置接收的所述位置坐标来定位所预选的表面特征。5.如权利要求1所述的设备，其特征在于， 所述光子检测器被进一步配置为接收从所预选的表面特征散射的照射光子；以及所述映射装置被进一步配置为基于从所述光子检测器接收的信息来分析和分类所预选的表面特征。6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述表面特征管理器被进一步配置为去除所预选的表面特征。7.如权利要求1所述的设备，进一步包括耦合至所述光子检测器的远心透镜。8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述光子检测器包括互补金属氧化物半导体("CMOS")、科学互补金属氧化物半导体(“sCMOS”)或电荷耦合器件("CXD")。9.一种设备，包括: 映射装置，基于光子-检测器信号来产生物品的表面特征的位置的映射，所述光子-检测器信号对应于从所述物品的表面特征散射的光子；以及表面特征管理器，配置成: 至少部分地基于所述表面特征位置的映射来定位所述物品的表面特征的预定表面特征， 将第一功率的光子照射到所述预定表面特征的位置上以分析所述预定表面特征，以及 将第二功率的光子照射到所述预定表面特征的位置上以去除所述预定表面特征。10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述第一和第二功率是不同的。11.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述表面特征管理器包括一个或多个反射表面，所述一个或多个反射表面被配置为将照射光子可控地引导到所预选的表面特征的位置。12.如权利要求9所述的设备，其特征在于， 所述映射装置向所述表面特征管理器发送预选的表面特征的位置坐标；以及 所述表面特征管理器基于从所述映射装置接收的所述位置坐标来定位所预选的表面特征。13.如权利要求9所述的设备，进一步包括光子检测器，配置为接收从所述物品的表面特征散射的光子并将光子-检测器信号发送到所述映射装置。14.一种设备，包括: 处理装置，配置成: 从物品的表面特征的表面特征映射中选择表面特征以便去除，其中所述表面特征映射包括基于光子-检测器信号的所述物品的表面特征的位置坐标，所述光子-检测器信号对应于从所述表面特征散射的光子；以及表面特征管理器，配置成: 基于从所述处理装置接收的所选的表面特征的位置坐标来定位所选的表面特征，以及 将光子照射到所选的表面特征上以从所述物品去除所选的表面特征。15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述表面特征管理器包括一个或多个反射表面，所述一个或多个反射表面被配置为将照射光子可控地引导到所预选的表面特征的位置。16.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述表面特征管理器被配置为将光子照射到所选的表面特征的位置上以在照射光子来去除所选的表面特征之前分析所选的表面特征。17.如权利要求16所述的设备，其特征在于， 所述表面特征管理器被配置为将第一功率的光子照射到所选的表面特征的位置上以分析所选的表面特征；以及 所述表面特征管理器照射第二功率的光子以去除所选的表面特征。18.如权利要求17所述的设备，其特征在于，所述第一和第二功率是不同的。19.如权利要求14所述的设备，进一步包括光子检测器，配置为接收从所述物品的表面特征散射的光子并将光子-检测器信号发送到所述处理装置。20.如权利要求19所述的设备，其特征在于，所述光子检测器包括互补金属氧化物半导体("CMOS")、科学互补金属氧化物半导体(“sCMOS”)或电荷耦合器件("CXD")。
【专利摘要】本文提供了一种设备，包括：映射装置，基于光子检测器信号来产生物品的表面特征的位置的映射，该光子检测器信号对应于从该物品的表面特征散射的光子；以及表面特征管理器。该表面管理器被配置为至少部分地基于该表面特征位置的映射定位该物品的表面特征的预定表面特征，将第一功率的光子照射到该预定表面特征的位置上以分析该预定表面特征，以及将第二功率的光子照射到该预定表面特征的位置上以去除该预定表面特征。
【IPC分类】G01N21/88, G06T7/00, G01B11/24, G01B11/30, G01N21/47
【公开号】CN105358961
【申请号】CN201480030546
【发明人】J·艾和, D·董
【申请人】希捷科技有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2014年5月30日
【公告号】US9274064, US20140354981, US20160139060, WO2014194177A1