用于处理大面积基板的设备和方法
【技术领域】
[0001] 本公开的实施例涉及处理系统以及用于操作所述处理系统的方法。具体而言，它 们涉及用于处理和监测大面积基板的设备以及由光学手段来测量大面积基板的性质的方 法。本公开特别涉及串联式（in-line)处理设备。本公开的设备特别适用于处理并测量竖 直地布置的大面积基板。
【背景技术】
[0002] 在许多技术应用中，不同材料的多层在基板上被沉积到彼此上。一般来说，以一 连串的涂覆或沉积步骤（例如，是溅射步骤）来这样做。例如，可沉积具有一连串的"材料 一"材料二"材料一"的多层的叠层。为了沉积多层的叠层，可使用数个沉积模块的 串联式布置。典型的串联式系统包括许多接续的处理模块，其中，数个处理步骤在一个接着 一个的腔室内执行，使得可利用串联式系统连续地或准连续地处理多个基板。通过改变工 艺参数，可获得涂层的不同物理性质，所述工艺参数诸如，沉积率、基板通过数个沉积模块 的传输速度或其他工艺参数，所述不同物理性质例如，不同的光学折射性质。
[0003] 对大面积基板的处理需要进行工艺监测和质量检查以确保已处理的大面积基板 的高的且可再现的质量。例如，对于对大面积基板上的涂层的质量检查，需要以低持有成本 (cost of ownership)来确定经涂覆的基板的光学性质。通常由于经济和节省空间的问题， 大面积基板以竖直地布置的状态来处理。与测量竖直地布置的大面积基板的性质相关联的 问题在于，大面积基板因作用于基板上的重力而容易翘曲（warp)。基板的此类翘曲可能导 致光学测量不准确，因为基板相对于测量装置的相对位置会取决于位置和翘曲程度而有所 不同。
[0004] 因此，对于改进的基板处理系统的需求仍然存在，利用所述改进的基板处理系统， 可实现对大面积基板的改善的准确性的质量检查。因此，对于测量基板的性质（特别是适 用于具有高产出能力的处理系统）的改进的方法也具有需求。
【发明内容】
[0005] 鉴于上述内容，本公开提供用于处理大面积基板且克服本领域中的至少一些问题 的设备。此目标至少在某种程度上由根据独立权利要求的用于处理大面积基板设备以及用 于测量基本上竖直地布置的大面积基板的至少一个光学性质的方法来实现。通过从属权利 要求、说明书和所附附图，本公开的进一步的方面、优势和特征是明显的。
[0006] 鉴于上述内容，提供一种用于处理大面积基板的设备。用于处理大面积基板的设 备包括腔室布置，所述腔室布置用于以基本上竖直地布置的状态来传输大面积基板通过其 中。腔室布置包括至少一个腔室、处理装置和出口端口，处理装置用于处理竖直地布置的大 面积基板，出口端口用于竖直地布置的大面积基板。此外，用于处理大面积基板的设备包 括：传输系统，用于传输基本上竖直地布置的大面积基板通过腔室布置；以及测量布置，包 括至少一个光学测量装置，其中，至少一个光学测量装置包括发光装置和第一光检测装置， 发光装置用于将漫射光发射到竖直地布置的大面积基板上，并且第一光检测装置用于测量 竖直地布置的大面积基板的至少一个光学性质。
[0007] 根据本公开的一个方面，可利用本文中所述的测量布置来改良用于处理大面积基 板的设备。公开了改良用于处理大面积基板的设备的方法，所述方法包括：将本文中所述的 测量布置提供给用于处理大面积基板的设备。
[0008] 根据本公开的另一方面，提供了用于测量基本上竖直地布置的大面积基板的至少 一个光学性质的方法，其中，所述方法包括：在传输方向上，相对于测量布置来传输基本上 竖直地布置的大面积基板；以漫射光照射基本上竖直地布置的大面积基板；测量基本上竖 直地布置的大面积基板的至少一个光学性质。
[0009] 本公开还涉及用于执行所公开的方法的设备，并且所述设备包括用于执行每一个 所描述的方法步骤的设备元件。这些方法步骤可通过硬件组件、通过由适当的软件编程的 计算机、通过这两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外，本公开也涉及所描述的设 备的操作方法。它包括用于执行所述设备的每个功能的方法步骤。
[0010] 通过从属权利要求、说明书和所附附图，本公开的进一步的方面、优势和特征是明 显的。
【附图说明】
[0011] 因此，为了可详细地理解本公开的上述特征的方法，可参照实施例进行对上文简 要概述的本公开的更特定的描述。所附附图涉及本公开的实施例，并且在下文中进行描述： 在附图中描绘了典型的实施例，并且在以下说明书中详细地说明了典型的实施例。在附图 中：
[0012] 图1示出根据本文所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的示意性立体 图；
[0013] 图2示出用于基板的传输载件的实施例的示意图，所述传输载件可在根据本文中 所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的实施例中使用；
[0014] 图3示出用于基板的传输载件的进一步的实施例的示意图，所述传输载件可在根 据本文中所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的实施例中使用；
[0015] 图4示出光学测量装置的实施例的示意性剖面图，所述光学测量装置用于根据本 文中所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的实施例中；
[0016] 图5示出根据图4的光学测量装置的实施例的示意性剖面图，其中，与在图4中所 示的基板与光学测量装置的相对位置相比，相对于光学测量装置横向地偏移基板的相对位 置；
[0017] 图6示出根据图4的光学测量装置的实施例的示意性剖面图，其中，与图4中所示 的基板的取向相比，基板的取向被倾斜；
[0018] 图7示出光学测量装置的实施例的示意性剖面图，所述光学测量装置用于根据本 文中所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的实施例中；
[0019] 图8示出包括光挡（light trap)和光学测量装置的测量布置的实施例的示意性 剖面图，所述测量布置用于根据本文中所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的实 施例中；
[0020] 图9示出根据本文中所述的实施例的、用于处理大面积基板的设备的立体图；以 及
[0021] 图10示出根据本文中所述的实施例的、用于测量基本上竖直地布置的大面积基 板的至少一个光学性质的方法的实施例。
【具体实施方式】
[0022] 现在将详细地参照各种实施例，在每一个附图中，示出各种实施例中的一个或多 个示例。每一个示例是通过解释的方式来提供，并且不旨在作为限制。例如，被示出或描述 为一个实施例的一部分的特征可对任何其他实施例使用，或可结合任何其他实施例来使用 以取得进一步的实施例。本公开旨在包括此类修改和变型。
[0023] 在以下对附图的描述中，相同的元件符号指示相同或相似的元件。一般来说，仅描 述相对于单个的实施例的区别。除非另外指定，否则，对一个实施例中的一部分或一方面的 描述也适用于另一实施例中的对应的部分或方面。
[0024] 本文中所使用的术语"基板"将涵盖典型地用于显示器制造的基板，诸如，玻璃或 塑料基板。例如，如本文中所述的基板将涵盖典型地用于LCD (液晶显示器）、TOP (等离子 体显示面板）等。除非在说明中明确地指定，否则，术语"基板"将理解为本文中所指定的 "大面积基板"。根据本公开，大面积基板可具有至少〇.174m2的尺寸。典型地，尺寸可以是 约1. 4m2至约8m 2,更典型地，约2m2至约9m2,或甚至高达12m2。
[0025] 根据本公开，基板（为所述基板提供了根据本文中所述的实施例的设备、设备的 腔室和方法）是本文中所述的大面积基板或具有大面积基板的尺度或用于大面积基板的 传输载件。举例来说，具有对应于大面积单个基板的尺寸的载件可以是第4. 5代、第5代、 第7. 5代、第8. 5代、或甚至第10代，其中，第4. 5代对应于约0. 67m2的基板（730x 920mm)、 第5代对应于约1. 4m2的基板（1. lm X 1. 3m)、第7. 5代对应于约4. 29m2的基板（1. 95m X 2. 2m)、第8. 5代对应于约5. 7m2的基板（2. 2m X 2. 5m)、第10代对应于约8. 7m 2的基板 (2. 85mX3. 05m)。可类似地实现更高代（诸如，第11代和第12代）以及对应的基板面积。 然而，也可利用具有此类尺寸的相应的载件来支撑多个基板。
[0026] 根据本文中所述的实施例，基板是基本上竖直地取向的。由此，可理解的是，竖直 地取向的基板在处理系统中可具有偏离竖直的（即，90° )取向的某个偏离，以便允许在几 度的倾斜（例如，15°或更小的倾斜）的情况下的稳定的传输。
[0027] 如图1中示意性地所示，根据本文中所述的实施例的、用于处理大面积基板120的 设备100包括腔室布置110,所述腔室布置110用于以竖直地布置的状态传输大面积基板 120通过其中，其中，腔室布置110包括至少一个腔室、处理装置（未示出）和出口端口 112， 所述处理装置用于处理竖直地布置的大面积基板120,所述出口端口 112用于竖直地布置 的大面积基板120。此外，根据本文中所述的实施例的、用于处理大面积基板120的设备100 包括传输系统（未示出）和测量布置200,所述传输