所述出气气路72与旁路测量单元3靠近接收头4 一侧连接;还包括正压防爆输气系统，所述正压防爆输气系统包括正压输气栗11，正压输气管19;所述正压输气栗11、激光发射单元1、发射头
2、接收头4、激光接收单元5依次通过正压输气管19串联连接;所述正压输气管19包括入气端191和出气端192，所述激光发射单元1、发射头2、接收头4、激光接收单元5上均设有入气口和出气口。
[0048]本实施例中所述正压防爆输气系统还包括过滤减压阀9和油雾分离器10，所述过滤减压阀9、油雾分离器10位于正压输气管19上，在正压气体进入激光发射单元I之前;所述正压防爆输气系统还包括压力指示器12，所述压力指示器12位于正压输气管19上，包括内置压力传感模块121、信号处理模块122、电源控制模块123、信息显示模块124;所述压力传感模块121与信号处理模块122连接，信号处理模块122与信息显示模块124相连接，电源控制模块123分别与压力传感模块121、信号处理模块122、信息显示模块124连接。
[0049]本实施例中所述压力指示器12位于正压输气管19的出气端192。实际上，压力指示器12正压输气管19的任何位置，主要是为了保持正压输气管19的正压气体保持一定的压力，确保安全运行。
[0050]本实施例中样气处理系统部分通过入气气路71与旁路测量单元3连接;所述样气处理系统包括流量阀21、除液系统20、流量表18;所述流量阀、除液系统、流量表位于入气气路71上，通过入气气路71依次串联连接。所述除液系统包括气液分离器13、凝结过滤器14、排液管15;所述气液分离器13和凝结过滤器14位于入气气路71上，气液分离器13靠近入气端，凝结过滤器14位于气液分离器13和旁路测量单元3之间；气液分离器13和凝结过滤器14底端均设有排液管15。排液管15上还分别设置有排液针阀16。所述样气处理系统还包括校准气路15，所述校准气路15位于除液装置和流量表之间，与入气气路71连接。所述样气处理系统还包括串联在所述入气气路上的膜式过滤器17，所述膜式过滤器17位于入气气路71上，位于校准气路15和流量表18之间。对入气气路71中的气体进一步过滤，去除杂质，使得进入旁路测量单元3的气体中干扰组分被去除，避免测量误差，同时也进一步变所含杂质对仪器的损坏。
[0051]本发明的半导体激光气体分析仪所应用的本体ABS装置是引进美国DOW化学的生产技术建成的先进生产装置，由原料、添加剂、备料、反应、脱挥、造粒六大工艺单元组成，在生产过程中需要应用半导体激光气体分析仪，申请人共选用了 11台半导体激光气体分析仪，在实际取样中由于工艺原因样气夹带大量的苯乙烯、乙苯等工艺介质带入处理器中造成仪表失灵，无法进行仪表的零点和量程的标定，最终导致环形水平通道发送器堵塞，导致处理器芯片损坏，仪表报废。
[0052]发明人在研发应用过程中由于工况变化等原因11台半导体激光气体分析仪先后有8台发生了故障，好多故障是不可修复的，需重新更换新的分析仪，不仅周期长而且价格高，更重要的是使用2—3年有了故障还是不可修复，还需重新购买，维修成本高，安全生产隐患特别大。对存在的问题逐渐分析产生的原因和可能解决的方法后，认为选择本发明的实施例的非接触式的半导体激光气体分析仪，可以解决氧分析仪频繁损坏，影响生产的问题，同时能消除生产中的安全隐患。
[0053]采用本发明的设备，经过半年的试用，完全满足工艺生产需求。改造后的仪器本身的技术指标如下:线性误差:< ±1%F.S;测量精度:< ±1%F.S;重复性误差:< ±1%F.S;故障率显著降低，即使有故障经过简单处理即可恢复正常，达到预期指标。
[0054]当然，以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种非接触式半导体激光气体分析仪，包括通过电信号连接的激光发射单元和发射头、通过电信号连接的激光接收单元和接收头、旁路测量单元、入气气路和出气气路;所述旁路测量单元位于发射头和接收头之间，所述入气气路与旁路测量单元靠近发射头的一侧连接，所述出气气路与旁路测量单元靠近接收头的一侧连接;其特征在于:还包括正压防爆输气系统，所述正压防爆输气系统包括正压输气栗和正压输气管;所述正压输气栗提供的防爆压力气体通过正压输气管输入并充满所述激光发射单元、发射头、接收头和激光接收单元。2.如权利要求1所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述正压防爆输气系统还包括过滤减压阀和油雾分离器，所述过滤减压阀和油雾分离器位于正压输气管上，对进入所述激光发射单元、发射头、接收头和激光接收单元的防爆压力气体进行处理。3.如权利要求1所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述正压防爆输气系统还包括压力指示器，所述压力指示器位于正压输气管上，包括内置压力传感模块、信号处理模块、电源控制模块、信息显示模块;所述压力传感模块与信号处理模块连接，信号处理模块与信息显示模块相连接，电源控制模块分别与压力传感模块、信号处理模块、信息显不t旲块连接。4.如权利要求3所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述压力指示器位于正压输气管的出气端。5.如权利要求1所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:还包括样气处理系统，所述样气处理系统包括流量阀、除液系统和流量表;所述流量阀、除液系统和流量表通过所述入气气路依次串联连接至所述旁路测量单元。6.如权利要求5所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述除液系统包括通过入气气路串联连接的气液分离器和凝结过滤器，所述气液分离器靠近入气气路的入气端，所述凝结过滤器位于气液分离器和旁路测量单元之间，所述气液分离器和凝结过滤器底端均设有排液管。7.如权利要求5所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述排液管上设有排液针阀。8.如权利要求5所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述样气处理系统还包括校准气路，所述校准气路位于除液系统和流量表之间，与所述入气气路串联连接。9.如权利要求1所述的非接触式半导体激光气体分析仪，其特征在于:所述样气处理系统还包括串联在所述入气气路上的膜式过滤器，所述膜式过滤器位于所述校准气路和流量表之间。
【专利摘要】本发明提供了一种非接触式半导体激光气体分析仪，涉及气体分析设备领域，包括通过电信号连接的激光发射单元和发射头，通过电信号连接的激光接收单元和接收头，旁路测量单元，入气气路和出气气路；旁路测量单元位于发射头和接收头之间；入气气路与旁路测量单元靠近发射头的一侧连接，出气气路与旁路测量单元靠近接收头的一侧连接；还包括正压防爆输气系统，正压防爆输气系统包括正压输气泵，正压输气管；正压输气泵提供的防爆压力气体通过正压输气管输入并充满激光发射单元、发射头、接收头和激光接收单元。本发明通过增加正压防爆输气系统，采用正压法，在仪器内始终充满保持微正压的保护气体，隔离有害物质，具有防爆功能。
【IPC分类】G01N21/15, G01N21/39
【公开号】CN105548017
【申请号】CN201511020916
【发明人】胡世秋, 杨东旭, 王立志, 耿子忠, 刘连鹏, 王桂成, 张岩, 杨雪松, 张冶, 李春龙, 孙秀丽, 姜翠
【申请人】北方华锦化学工业集团有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年12月30日