图4中示出的第一精确定位图形。
[0069]图6所示的第二种测量方法与图5所示的第一种测量方法的不同之处在于:将步骤S50细分为两个分步骤:
[0070]分步骤S51:基于基本定位的定位结果，根据第一精确定位图形对第一测量图形进打精确定位。
[0071]分步骤S53:基于对第一测量图形进行精确定位的定位结果，测量第一测量图形的特征尺寸。
[0072]图6所示的第二种测量方法的其它步骤可以参考前述的第一种测量方法。
[0073]图7是对本申请又一实施例的测量结构进行测量的第三种测量方法的流程图。该又一实施例的测量结构与图4对应的测量结构的区别在于至少一个测量区域还包括与该测量区域内的各个测量图形一一对应的一个以上精确定位图形以通过各精确定位图形对相应所述测量图形进行精确定位。例如，在图4对应的测量结构中，在图4所示的测量区域内还包括与第一测量图形PM对应设置的未在图4中示出的第一精确定位图形和与各第二测量图形PS —一对应的未在图4中示出的多个第二精确定位图形。
[0074]图7所示的第三种测量方法与图6所示的第二种测量方法的不同之处在于进一步细化了分步骤S71。在第三种测量方法中，分步骤S71包括:
[0075]子步骤S711:基于基本定位的定位结果，根据一个第二精确定位图形对对应的第二测量图形进行精确定位。其中，在对第二测量图形进行精确定位时，可以通过绝对位置和相对于第一测量图形的相对位置这两种表示方法表示第二测量图形的位置。
[0076]子步骤S713:基于对该第二测量图形进行精确定位的定位结果测量该第二测量图形的特征尺寸。
[0077]在图7中仅显示了第一个第二测量图形精确定位的子步骤S711和该第一个第二测量图形测量的子步骤S713。在第一个第二测量图形测量完毕后，需要重复子步骤S711和子步骤S713对其余各个第二测量图形依次测量，直到全部的第二测量图形测量完毕。
[0078]图7所示的第三种测量方法的其它步骤可以参考前述的第一种测量方法和第二种测量方法。
[0079]当然，如果测量结构中包括多个基本定位图形及与该基本定位图形对应的测量图形，则以上第一种至第三种测量方法还需要针对其余的基本定位图形及其所对应的测量图形进行重复测量，直至所有待测量的测量图形均测量完毕，完成整个测量工作。另外，以上测量方法中优选地采用扫描电子显微镜对测量结构进行测量。
[0080]应用本申请的测量方法对测量结构进行测量时，假定每个基本定位图形可以对应N个测量图形，则测量N个测量图形测量所需的总时间Tnew = Ta+TmXN，其中，Ta代表对基本定位图形所对应的各测量图形进行基本定位操作所需的时间；Tm代表对每个测量图形进行测量操作所需的时间。因此，与现有技术相比，本申请的测量结构和对测量结构进行测量的测量方法节约了大量测量所需的总时间，提高了测量工序的产量。
[0081]根据以上描述可知，应用本申请的测量结构和对测量结构进行测量的测量方法，进行一次基本定位操作可以测量多个测量图形的特征尺寸。以上测量结构和对测量结构进行测量的测量方法优选地应用于晶片加工时光刻工艺的掩模设计以及对光刻图形的特征尺寸的测量。
[0082]以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种测量结构，所述测量结构包括测量图形和基本定位图形，每个所述测量图形均有一个基本定位图形与之对应以在测量时根据该基本定位图形对该测量图形进行基本定位，其特征在于，所述测量图形的数量大于所述基本定位图形的数量，至少两个所述测量图形与同一个所述基本定位图形对应设置以在测量时根据该同一个基本定位图形对该至少两个测量图形进行基本定位。2.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，每个所述基本定位图形均与两个以上所述测量图形对应设置以在测量时对对应的两个以上测量图形进行基本定位。3.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，每个所述基本定位图形对应一个测量区域，其中，与每个所述基本定位图形对应的各测量图形均位于相应的基本定位图形所在的测量区域内。4.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于， 所述测量区域为以相应的所述基本定位图形的中心为圆心的圆形区域；或者， 所述测量区域为以相应的所述基本定位图形的中心为中心的矩形区域。5.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于，所述测量结构用于扫描电子显微镜测量，所述测量区域位于所述扫描电子显微镜测量时通过该测量区域内的所述基本定位图形进行基本定位后的测量范围内部。6.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于，在具有两个以上所述测量图形的至少一个测量区域中，各所述测量图形以矩阵形式规则排列。7.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于，在具有两个以上所述测量图形的至少一个测量区域中，至少两个所述测量图形相同或者至少两个所述测量图形不同。8.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于，至少一个所述测量区域还包括用于对该测量区域内的至少一个测量图形进行精确定位的精确定位图形。9.根据权利要求3所述的测量结构，其特征在于，至少一个所述测量区域还包括与该测量区域内的各个测量图形一一对应的一个以上精确定位图形以通过各精确定位图形对相应所述测量图形进行精确定位。10.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于， 各所述测量图形中，至少两个所述测量图形相同或者至少两个所述测量图形不同；或者， 各所述基本定位图形中，至少两个所述基本定位图形相同或者至少两个所述基本定位图形不同。11.一种对测量结构进行测量的测量方法，其特征在于，所述测量结构包括基本定位图形和与所述基本定位图形对应设置的一个第一测量图形和至少一个第二测量图形，所述测量方法包括: 步骤S30:根据所述基本定位图形对所述第一测量图形和所述至少一个第二测量图形进打基本定位； 步骤S50:基于所述基本定位的定位结果，测量所述第一测量图形的特征尺寸； 步骤S70:基于所述基本定位的定位结果，测量所述至少一个第二测量图形的特征尺寸。12.根据权利要求11所述的测量方法，其特征在于，在所述步骤S30之前，所述测量方法还包括步骤SlO:对所述第一测量图形进行初步定位。13.根据权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述测量结构还包括与所述第一测量图形对应设置的第一精确定位图形，所述步骤S50包括: 分步骤S51:基于所述基本定位的定位结果，根据所述第一精确定位图形对所述第一测量图形进行精确定位； 分步骤S53:基于对所述第一测量图形进行精确定位的定位结果，测量所述第一测量图形的特征尺寸。14.根据权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述至少一个第二测量图形为两个以上第二测量图形，所述步骤S70包括: 分步骤S71:测量与所述基本定位图形对应的一个第二测量图形的特征尺寸； 分步骤S73:重复所述分步骤S71，测量未测量的所述第二测量图形的特征尺寸，直至所述两个以上第二测量图形的特征尺寸均测量完毕。15.根据权利要求14所述的测量方法，其特征在于，所述测量结构还包括与各所述第二测量图形一一对应设置的第二精确定位图形，所述分步骤S71包括: 子步骤S711:基于所述基本定位的定位结果，根据一个所述第二精确定位图形对对应的第二测量图形进行精确定位； 子步骤S713:基于对该第二测量图形进行精确定位的定位结果，测量该第二测量图形的特征尺寸。
【专利摘要】本申请提供了一种测量结构和对测量结构进行测量的测量方法。测量结构包括测量图形和基本定位图形，每个测量图形均有一个基本定位图形与之对应以在测量时根据该基本定位图形对该测量图形进行基本定位，测量图形的数量大于基本定位图形的数量，至少两个测量图形与同一个基本定位图形对应设置以在测量时根据该同一个基本定位图形对该至少两个测量图形进行基本定位。根据本申请的测量结构和对测量结构进行测量的测量方法，可以节约测量所需的总时间，进而提高测量工序的产量。进一步地，可以减少基本定位图形的设置，还可以相应减少测量结构占用的布置区域。
【IPC分类】G01N23/22
【公开号】CN105628722
【申请号】CN201410597136
【发明人】岳力挽, 蔡博修
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月29日