基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置的制造方法_2

文档序号:10134832阅读:来源:国知局
,一端接第十六电容C16后接地;第二十四管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十四电容C14后接地;第二十七管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十电容C10及第^^一电容C11后接地;第三^^一管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十七电容C17后接地;电容C7 —端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,另一端直接接地;第一二极管D1连接第三电阻R3后接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,第二二极管D2连接第四电阻R4后接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压。
[0017]所述集成电路芯片IC1选择CC2530芯片。
[0018]所述放大器包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第^^一三极管、第十二三极管、第十三三极管、第十四三极管和控制补偿电路;所述第五三极管的发射极和第十二三极管的集电极接入电源,所述第六三极管和第七三极管的发射极通过第九电阻接入电源,所述第五三极管的集电极与第十一三极管的集电极连接并分别通过第五电阻和第六电阻与第一三极管的发射极和第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的发射极与控制补偿电路的输出端连接,所述控制补偿电路的输入端与第十二三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极同时与第三三极管的集电极和第八三极管的基极连接,所述第八三极管的发射极与第六三极管的集电极连接,所述第七三极管的集电极与第九三极管的发射极连接,所述第九三极管的基极同时与第二三极管的集电极和第四三极管的集电极连接;所述第五三极管的集电极还与第十三极管的集电极连接,所述第十三极管的发射极同时与第i^一三极管的基极和第十三三极管的集电极连接,所述第十三三极管的发射极与第十四三极管的发射极连接,所述第十四三极管的集电极与第十二三极管的发射极连接;所述第三三极管、第四三极管、第i^一三极管和第十四三极管的发射极分别通过第七电阻、第八电阻、第十电阻和第十一电阻接地,所述第八三极管和第九三极管的基极分别通过第一电容和第二电容接地,所述第九三极管的集电极接地。本实用新型放大器通过第一三极管和第二三极管组成输入差分对,第三三极管和第四三极管为电流源负载,利用第七电阻和第八电阻确定第三三极管和第四三极管支路的电流;同时,第八三极管和第九三极管为缓冲级,由两个电流源进行偏置;并且,通过第十一三极管使第一三极管和第二三极管支路的电流不至于过大而导致第六电阻控制端电压与第五电阻端电压相差过大;此外,第十二三极管周边的结构为射随器结构,使电路能够提供很低的输出阻抗,其结构简单,操作方便,具有很强的实用性。
[0019]可以理解的是,以上关于本实用新型的具体描述,仅用于说明本实用新型而并非受限于本实用新型实施例所描述的技术方案,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换,以达到相同的技术效果;只要满足使用需要,都在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置,包括PSoC芯片、存储芯片、射频通信部分、土壤温度传感器、土壤水分传感器、空气温度传感器、空气湿度传感器、氧气传感器、MAX485芯片和放大器,其特征在于PSoC芯片的信号传输端口分别与存储芯片的信号传输端口、MAX485芯片的信号传输端口、空气温度传感器的信号传输端口、空气湿度传感器的信号传输端口、射频通信部分的信号传输端口相连,PSoC芯片的信号输入端口与放大器的信号输出端口相连,放大器的信号输入端口与氧气传感器的信号输出端口相连; 所述射频通信部分包括集成电路芯片IC1,集成电路芯片IC1包括41个管脚;第一管脚直接接地;第二十管脚一端接第二电阻R2后接入+3.3V的VDD电压,另一端接第二i^一电容C21后接地;第四^^一管脚直接接地;第三十管脚接第一电阻R1后接地;第四十管脚接+1.8V的VCC电压,第四十管脚与+1.8V的VCC电压之间接第十九电容C19后接地;第二十三管脚接第十五电容C15后接地,第二十二管脚接第九电容C9后接地,第一晶振Y1连接在第二十二管脚与第二十三管脚之间;第三十三管脚接第四电容C4后接地,第三十二管脚接第五电容C5后接地,第二晶振Y2连接在第三十三管脚与第三十二管脚之间;第二十六管脚依次连接第十三电容C13、第二电感L2、第二电容C2、第一电容C1后接地;第二十五管脚依次连接第十二电容C12、第六电容C6、第三电容C3后接地;第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及地端形成一个回路;第四电感L4、第三电感L3、第八电容C8依次串联,两端接地;第十管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第二十电容C20后接地;第三十九管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十八电容C18后接地;第二i^一管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十六电容C16后接地;第二十四管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十四电容C14后接地;第二十七管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十电容C10及第i^一电容C11后接地;第三^^一管脚一端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,一端接第十七电容C17后接地;电容C7 —端接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,另一端直接接地;第一二极管D1连接第三电阻R3后接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压,第二二极管D2连接第四电阻R4后接第一电感L1后接入+3.3V的VDD电压。2.根据权利要求1所述基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置,其特征在于所述集成电路芯片IC1选择CC2530芯片。3.根据权利要求2所述基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置,其特征在于所述放大器包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第i^一三极管、第十二三极管、第十三三极管、第十四三极管和控制补偿电路;所述第五三极管的发射极和第十二三极管的集电极接入电源,所述第六三极管和第七三极管的发射极通过第九电阻接入电源,所述第五三极管的集电极与第十一三极管的集电极连接并分别通过第五电阻和第六电阻与第一三极管的发射极和第二三极管的发射极连接,所述第二三极管的发射极与控制补偿电路的输出端连接,所述控制补偿电路的输入端与第十二三极管的发射极连接;所述第一三极管的集电极同时与第三三极管的集电极和第八三极管的基极连接,所述第八三极管的发射极与第六三极管的集电极连接,所述第七三极管的集电极与第九三极管的发射极连接,所述第九三极管的基极同时与第二三极管的集电极和第四三极管的集电极连接;所述第五三极管的集电极还与第十三极管的集电极连接,所述第十三极管的发射极同时与第十一三极管的基极和第十三三极管的集电极连接,所述第十三三极管的发射极与第十四三极管的发射极连接,所述第十四三极管的集电极与第十二三极管的发射极连接;所述第三三极管、第四三极管、第十一三极管和第十四三极管的发射极分别通过第七电阻、第八电阻、第十电阻和第i^一电阻接地,所述第八三极管和第九三极管的基极分别通过第一电容和第二电容接地,所述第九三极管的集电极接地。
【专利摘要】基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置属于监测装置技术领域,尤其涉及一种基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置。本实用新型提供一种使用方便、性能可靠且成本低的基于近场传输技术的小面积种植区域监测装置。本实用新型包括PSoC芯片、存储芯片、射频通信部分、土壤温度传感器、土壤水分传感器、空气温度传感器、空气湿度传感器、氧气传感器、MAX485芯片和放大器,其结构要点PSoC芯片的信号传输端口分别与存储芯片的信号传输端口、MAX485芯片的信号传输端口、空气温度传感器的信号传输端口、空气湿度传感器的信号传输端口、射频通信部分的信号传输端口相连。
【IPC分类】G01D21/02
【公开号】CN205049186
【申请号】CN201520852518
【发明人】王教澄, 寇有良, 刘玉安
【申请人】金柏生态环境股份有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月30日
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