一种抗辐射lvdt传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及位移传感器技术领域，具体涉及一种抗辐射LVDT传感器。
【背景技术】
[0002]线性可变差动变压器(LinearVariable Differential Transformer, LVDT)可简单地解释为铁芯可动变压器。它由一个初级线圈、两个次级线圈、铁芯、线圈骨架、外壳等部件组成。铁芯是LVDT的可动元件，当在中空成型的线圈内自由移动时，次级线圈的两个输出电压之差与铁芯位移成线性关系。因此，通过测量电压差，经过计算后就可以得到铁芯的位置。LVDT在很多工业控制系统中应用，主要用于测量直线位移信号。
[0003]目前的LVDT传感器通过对线圈结构、线圈绕制方法和冗余结构进行改进，在抗震动、抗机械冲击、抗热冲击和抗损坏等方面提高了传感器的性能，但现有的LVDT传感器没有对辐射环境做出针对性设计，无法满足传感器抗辐射的性能要求。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种抗辐射LVDT传感器，该LVDT传感器具有较高的抗辐射能力，能够在辐射环境下稳定运行。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案:
[0006]—种抗福射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈；所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。
[0007]所述外壳包括两端开口的圆柱形外壳腔体以及分别固定连接在圆柱形外壳腔体两端的两个外顶盖；所述外顶盖上开设有用于铁芯与被测量器件机械连接的第一通孔。
[0008]所述内壳包括两端开口的圆柱形内壳腔体以及分别固定连接在圆柱形内壳腔体两端的两个内顶盖；所述内顶盖上开设有用于铁芯与被测量器件机械连接的第二通孔。
[0009]所述线圈骨架中间开设有用于铁芯移动的通孔，且该线圈骨架采用聚苯硫醚纤维材质。
[0010]所述线圈的一端连接有用于连接外部电路的引线；所述引线包括导线和屏蔽网；所述导线为铅导线，且其内端与线圈相连，其外端穿过外顶盖放置在外壳外侧；所述屏蔽网包裹在导线外端的外侧，且该屏蔽网与外顶盖焊接相连。
[0011]由以上技术方案可知，本实用新型通过采用铅、铅合金或钨合金等抗辐射材料的内壳，能够起到机械保护和防辐射的作用；通过在内壳与线圈之间填充有采用聚苯硫醚纤维材质的填充层，能够使填充层作为绝缘层具有一定的抗辐射能力；通过采用聚苯硫醚纤维材质制作线圈骨架，使线圈骨架在作为线圈载体的同时还具有一定的抗辐射能力；通过采用铅导线及屏蔽网制作成连接外部电路的引线，能够进一步提高LVDT传感器的抗辐射能力。因此，本实用新型所述的LVDT传感器，具有较高的抗辐射能力，能够在辐射环境下稳定运行。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
[0013]其中:
[0014]1、外壳，2、内壳，3、外顶盖，4、内顶盖，5、铁芯，6、填充层，7、线圈骨架，8、线圈，9、导线，10、屏蔽网。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型做进一步说明:
[0016]如图1所不的一种抗福射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳1、内壳2、线圈骨架7和铁芯5。所述线圈骨架7上缠绕有线圈8。所述线圈按照一定规律绕制在线圈骨架上，是工作电流的载体。所述线圈8与内壳2之间填充有填充层6。所述填充层6采用聚苯硫醚纤维材质。聚苯硫醚纤维材质具有较强的抗辐射能力，通过采用聚苯硫醚纤维材质制成的填充层填充在线圈与内壳之间，能够使填充层起到绝缘和防辐射的作用。
[0017]所述外壳I包括两端开口的圆柱形外壳腔体以及分别焊接在圆柱形外壳腔体两端的两个外顶盖3。所述外顶盖3上开设有用于铁芯与被测量器件机械连接的第一通孔。所述外壳采用钢材质，用于保护LVDT传感器的内部结构。
[0018]所述内壳2包括两端开口的圆柱形内壳腔体以及分别固定连接在圆柱形内壳腔体两端的两个内顶盖4。所述内顶盖4上开设有用于铁芯与被测量器件机械连接的第二通孔。所述内壳采用铅、铅合金或妈合金等抗福射材料制造，起到进一步保护LVDT传感器的内部结构的作用，且通过采用铅、铅合金或钨合金等抗辐射材料，使LVDT传感器具有较强的抗福射能力。
[0019]所述线圈骨架7中间开设有用于铁芯移动的通孔，且该线圈骨架采用聚苯硫醚纤维材质。本实用新型通过采用具有较强防辐射能力的聚苯硫醚纤维材质制成线圈骨架，使线圈骨架在作为线圈载体的同时还具有一定的抗辐射能力。
[0020]所述线圈8的一端连接有用于连接外部电路的引线；所述引线包括导线9和屏蔽网10;所述导线9为铅导线，其内端与线圈8相连，其外端(所述导线的外端指导线穿过外端盖，暴露在外壳外侧的部分)穿过外顶盖3放置在外壳I外侧。所述导线由多股铅导线两两缠绕、成对制成。所述屏蔽网10包裹在导线9外端，且该屏蔽网10与外顶盖3焊接相连。
[0021]以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。
【主权项】
1.一种抗辐射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈；其特征在于:所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。2.根据权利要求1所述的一种抗辐射LVDT传感器，其特征在于:所述内壳包括两端开口的圆柱形内壳腔体以及分别固定连接在圆柱形内壳腔体两端的两个内顶盖；所述内顶盖上开设有用于铁芯与被测量器件机械连接的第二通孔。3.根据权利要求1所述的一种抗辐射LVDT传感器，其特征在于:所述线圈骨架中间开设有用于铁芯移动的通孔，且该线圈骨架采用聚苯硫醚纤维材质。4.根据权利要求1所述的一种抗辐射LVDT传感器，其特征在于:所述线圈的一端连接有用于连接外部电路的引线；所述引线包括导线和屏蔽网；所述导线为铅导线，且其内端与线圈相连，其外端穿过外顶盖放置在外壳外侧；所述屏蔽网包裹在导线外端的外侧，且该屏蔽网与外顶盖焊接相连。
【专利摘要】本实用新型涉及一种抗辐射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈，所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。由以上技术方案可知，本实用新型所述的LVDT传感器，内壳采用铅、铅合金或钨合金等抗辐射材料，在线圈与内壳之间填充有采用聚苯硫醚纤维材质的填充层，使该LVDT传感器具有较高的抗辐射能力，能够在辐射环境下稳定运行。
【IPC分类】G01B7/02
【公开号】CN205175336
【申请号】CN201520825719
【发明人】张裕悝, 潘宏青, 王耀雄, 双丰
【申请人】中国科学院合肥物质科学研究院
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年10月25日