具体由两个并联电容C3和C4,以 及连接在电容C3和C4之间的电阻R6组成，如图12所示；
[0037] 优选地，指示灯电路中包含可选个数的指示灯，指示灯的数量可具体根据微处理 器的I/O引脚数量以及射频磁场强度范围选定，本发明不做具体限定;实际应用中，可以使 用不同的指示灯指示不同的射频磁场强度，射频电磁场强度的测试结果为被点亮的指示灯 所对应的强度;或者使用不同数量的指示灯指示不同的射频磁场强度，以被点亮的指示灯 的数量多少表示射频电磁场强度，例如被点亮的指示灯数量越多表示射频电磁场强度越强 等；
[0038] 进一步地，上述【具体实施方式】中的电压转换电路12还可以具体为分压滤波电路；
[0039] 进一步地，上述【具体实施方式】中的稳压电路中还可以包括电压保护电路，电压保 护电路连接在滤波电路的输出端和稳压器的输入引脚之间，用于为稳压器提供电压保护； 更进一步地，电压保护电路可具体由电阻R5和PNP型三极管Q1组成，R5连接在三极管Q1的基 极或发射极，如图13或14所示；
[0040] 进一步地，上述【具体实施方式】中，磁场强度指示电路中还可以包括电压调节电路， 电压调节电路连接在稳压器的输出引脚和微处理器的电源引脚之间，用于调节稳压器输出 的电信号的电压，以得到满足微处理器额定工作电压的电信号为微处理器供电；更进一步 地，电压调节电路具体可由电阻R9和电阻R10构成，电阻R9连接在稳压器的输出引脚和ADJ 弓丨脚之间，R10-端与R9相连，另一端接地，如图15所示；
[0041] 对于上述【具体实施方式】中的指示灯电路，本发明以指示灯为发光二极管为例提供 两种具体实现方式:在其中一种具体实现方式中，指示灯电路中包含若干相互并联的发光 二级管，每个发光二级管由微处理器的一个输出引脚控制，例如图16所示;在另一种具体实 现方式中，指示灯中包含若干组发光二极管，每组包含两个反相并联的发光二极管；
[0042]上述第二种具体实现方式利用微处理器I/O引脚的三种输出状态实现用少量I/O 控制多个发光二极管的明灭，相较于第一种具体实现方式，可以节省微处理器的I/O资源， 尤其适用于I/O资源有限的微处理器，以下对第二种具体实现方式进行举例进行说明：
[0043] 如图12所示，指示灯电路包含6组发光二极管，每组发光二级管由两个反相并联的 发光二极管组成，即指示灯电路共12个发光二极管:D0-5、D1、D1-5、D2、D2-5、D3、D3-5、D4、 D5、D6、D7和D7-5,这12个发光二极管由微处理器的4个I/O引脚进行控制，分别用于指示射 频电磁场强度〈ΙΑ/m、lA/m <磁场强度〈1.5A/m、1.5A/m <磁场强度<2A/m、2A/m <磁场强度〈 2.5A/m、2.5A/m < 磁场强度<3A/m、3A/m < 磁场强度〈3.5A/m、3.5A/m < 磁场强度<4A/m、4A/m <磁场强度<5A/m、5A/m <磁场强度<6A/m、6A/m <磁场强度<7A/m、7A/m <磁场强度〈7.5A/m 和磁场强度2 7.5A/m;
[0044] 优选地，本实例选用的微处理器根据ADC引脚的输入电压、参考电压和ADC位数计 算AD值，具体地，AD值=ADC引脚的输入电压/参考电压*ADC位数，计算得到AD值以后微处理 器查找预设列表，得到与计算得到的AD值对应的射频电磁场强度和I/O引脚输出状态，然后 根据得到的I/O引脚输出状态控制相应I/O引脚的输出，以点亮与得到的射频电磁场强度对 应的发光二极管，从而指示射频电磁场强度；
[0045] 例如，参考电压为1.1V，ADC位数为10,微处理器的输入引脚为ADCl，I/0引脚为 PBO、PB1、PB3和PB4，预设列表如下所示，根据ADC 1引脚的输入电压/参考电压*ADC位数得到 的AD值，在预设列表中查找AD值所属范围以及该AD值所属范围对应的射频电磁场强度范 围、发光二极管以及TOO、1? 1、引脚的输出状态，根据TOO、PB1、引脚的输出 状态控制?80、？81、？83、？84引脚的输出，以点亮与计算得到的六0值所属范围对应的发光二 极管，以指示与计算得到的AD值所属范围对应的射频电磁场强度范围。
[0046]
[
[0048] 本实用新型中，指示灯电路中的发光二极管可以采用多种连接方式，除附图6、图 8、图12和图16中采用的连接方式外，还可以采用如图17和图18所示的连接方式，本发明对 于发光二极管的连接方式不做具体限定。
[0049] 本实用新型中还可以省略电压转换电路，即装置中仅包含磁场强度采集电路和磁 场强度指示电路，其中磁场强度指示电路具体为指示灯电路，由磁场强度采集电路输出的 电?目号的电压大小影响指不灯电路中的指不灯的壳度，指不灯的壳度越尚指不射频电磁场 强度越强。
[0050]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不 局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型公开的技术范围内，可轻易想到 的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该 以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1. 一种射频电磁场强度的测试装置，其特征在于，包括:磁场强度采集电路、电压转换 电路和磁场强度指示电路； 所述磁场强度采集电路与所述电压转换电路的输入端相连，所述电压转换电路的输出 端与所述磁场强度指示电路相连;所述磁场强度采集电路通过感应射频电磁场强度的变化 产生相应大小的电信号;所述电压转换电路对所述磁场强度采集电路产生的电信号进行转 换，用转换后的电信号控制所述磁场强度指示电路做出相应的指示。2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁场强度采集电路包括LC谐振感应电路 和整流电路。3. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压转换电路包括滤波电路和压控振荡 器，或者包括分压滤波电路和压控振荡器。4. 如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述磁场强度指示电路具体为指示灯电路； 所述电压转换电路控制指示灯电路中的指示灯的闪烁频率，闪烁频率越高则射频电磁场强 度越强。5. 如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述磁场强度指示电路具体为蜂鸣器电路； 所述电压转换电路控制所述蜂鸣器电路中的蜂鸣器的发声频率，发声频率越高则射频电磁 场强度越强。6. 如权利要求4或5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括分频电路，所述分频电路 连接在所述压控振荡器和所述磁场强度指示电路之间，用于对所述电压转换电路输出的电 压信号进行分频，用分频后的电压信号控制所述磁场强度指示电路做出相应的指示。7. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压转换电路包括滤波电路和占空比调 节电路，或者包括分压滤波电路和占空比调节电路;所述磁场强度指示电路具体为指示灯 电路;所述电压转换电路控制所述指示灯电路中指示灯的明暗间隔，间隔越短则射频电磁 场强度越强。8. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压转换电路具体为滤波电路或分压滤 波电路。9. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述磁场强度指示电路具体为电压表头;所 述电压转换电路控制电压表头指示相应的示数，示数越大则射频电磁场强度越强。10. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述磁场强度指示电路具体包括微处理器、 稳压电路和指示灯电路； 所述微处理器的输入端与所述电压转换电路的输出端相连，所述微处理器的输出端与 所述指示灯电路相连，所述稳压器的输入端与所述磁场强度采集电路相连，所述稳压器的 输出端与所述微处理器的电源引脚相连； 所述微处理器用于根据电压转换电路输出的电信号控制所述指示灯电路中的指示灯 的明灭，以指示射频电磁场强度;所述稳压电路用于对所述磁场强度采集电路产生的电信 号进行稳压处理，稳压处理后的电信号用于为所述微处理器供电。11. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述指示灯电路包含若干相互并联的发光 二极管;所述微处理器控制不同的发光二极管发光以指示射频电磁场强度，或者所述微处 理器控制不同数量的发光二极管同时发光以指示射频电磁场强度。12. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述指示灯电路包含若干组发光二极管， 每一组包含两个反相并联的发光二极管;所述微处理器控制不同的发光二极管发光以指示 射频电磁场强度。13. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述稳压电路包括滤波电路和稳压器;所 述滤波电路的输入端与所述电压转换电路的输出端相连，所述滤波电路的输出端与所述稳 压器的输入引脚相连，所述稳压器的输出引脚与所述微处理器的电源引脚相连。14. 如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述稳压电路还包括电压保护电路，所述 电压保护电路连接在所述滤波电路和所述稳压器之间，用于为所述稳压器提供电压保护。15. 如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述磁场强度指示电路中还包括电压调节 电路，所述电压调节电路连接在所述稳压器与所述微处理器之间，用于将所述稳压器输出 的电压调节到所述微处理器的额定工作电压。
【专利摘要】本实用新型公开了一种射频电磁场强度测试装置，涉及非接触通信领域。装置包括磁场强度采集电路、电压转换电路和磁场强度指示电路；磁场强度采集电路与所述电压转换电路的输入端相连，电压转换电路的输出端与磁场强度指示电路相连；磁场强度采集电路通过感应射频电磁场强度的变化产生相应大小的电信号；电压转换电路对磁场强度采集电路产生的电信号进行转换，用转换后的电信号控制磁场强度指示电路做出相应的指示。本实用新型提供的装置能够对磁场强度进行定性测量，并能清楚地显示测试结果，简单易用且成本低。
【IPC分类】G01R33/02, G01R29/08
【公开号】CN205263203
【申请号】CN201521055391
【发明人】陆舟, 于华章
【申请人】飞天诚信科技股份有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月17日