技术特征：
1.一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于：在外腔半导体激光器（2）的选模光栅上粘贴有压电陶瓷（1），外腔半导体激光器（2）的光出射方向依次设置有λ/2玻片（3）、第一凸透镜（l1）、第一格兰—泰勒棱镜（gp1），第一格兰—泰勒棱镜（gp1）光出射方向上设置有真空腔体（4），光晶格俘获的冷原子样品（5）设置于真空腔体（4）内，真空腔体（4）光出射方向上依次设置有第二格兰—泰勒棱镜（gp2）、第二凸透镜（l2）、第一声光调制器（a1）、第二声光调制器（a2）、λ/4玻片（6）、第三凸透镜（l3）、反射镜（7），多通道任意函数或者多通道任意波形发生器（8）输出三组电子学信号e1、e2和e3，电子学信号e1输入压电陶瓷（1），电子学信号e3输入第一声光调制器（a1），电子学信号e2输入第二声光调制器（a2）。2.根据权利要求1所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的第一声光调制器（a1）取+1级衍射光，第二声光调制器（a2）取-1级衍射光。3.根据权利要求2所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的电子学信号e1为频率小于2 khz的低频信号，器幅值取0～4福特任意值，且采用任意波形，电子学信号e2、电子学信号e3为正弦信号且频率和相位完全一致，分别作为第一声光调制器（a1）和第二声光调制器（a2）的输入信号。4.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的电子学信号e2或电子学信号e3的频率调制波形为三角波。5.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的电子学信号e1为多个正弦信号的叠加，实现对特定弗洛凯边带激发率的操控，当e1分别为0.065sin(ω
s
t)+0.345sin(2ω
s
t)+0.243sin(3ω
s
t)和e1= 0.005sin(ω
s
t)+0.005sin(2ω
s
t)+0.16sin(3ω
s
t)时，可使载波激发率保持一致，同时二阶边带的激发率分别为0和0.17，即单独操控二阶边带激发率。6.根据权利要求2所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的电子学信号e1设置成幅值为零的直流信号，电子学信号e2、电子学信号e3为正弦信号，分别作为第一声光调制器（a1）和第二声光调制器（a2）的输入信号，电子学信号e2或电子学信号e3的信号类型为频率调制信号，且电子学信号e2、电子学信号e3的中心频率一致。7.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的外腔半导体激光器（2）的中心波长为λ
l
=813.427 nm，电子学信号e1为正弦信号，表示为e1=w1sin(ω
s
t)，其中ω
s
=2π
×
100 hz为调制频率，w1=1.5 v为信号幅值，电子学信号e2和电子学信号e3均为正弦信号，表示为e2=e3=v
r sin(2πν
r
t)，其中v
r
=0.4 v为信号幅值，ν
r
=80 mhz为信号频率。8.根据权利要求6所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，其特征在于：所述的外腔半导体激光器（2）的中心波长为λ
l
=813.427 nm，电子学信号e1为幅值为零的直流信号或者无任何信号，电子学信号e2和电子学信号e3均为正弦信号，e2=v
r
sin(2πν
r
t)，e3=v
r
sin(2π(ν
r
+ν
m
)t)；其中v
r
=0.4 v为信号幅值，ν
r
=80 mhz为信号中心频率，ν
m
为三角波形调制信号，可表示为：
其中ν
a
为调制幅度，t
s
=1/ν
s
为调制周期，ν
s
为调制频率。
技术总结
一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置，在外腔半导体激光器的选模光栅上粘贴有压电陶瓷，外腔半导体激光器的光出射方向依次设置有λ/2玻片、第一凸透镜、第一格兰—泰勒棱镜、真空腔体、第二格兰—泰勒棱镜、第二凸透镜、第一声光调制器、第二声光调制器、λ/4玻片、第三凸透镜、反射镜，冷原子样品设置于真空腔体内，多通道任意函数或者多通道任意波形发生器输出三组电子学信号E1、E2和E3，电子学信号E1输入压电陶瓷，电子学信号E3输入第一声光调制器，电子学信号E2输入第二声光调制器。本发明通过在光晶格里面给压电陶瓷施加信号仅调制入射光频率的方式实现弗洛凯设计，或者仅通过调制声光调制器反射光频率实现对冷原子样品的弗洛凯设计。原子样品的弗洛凯设计。原子样品的弗洛凯设计。
技术研发人员：卢晓同 常宏
受保护的技术使用者：中国科学院国家授时中心
技术研发日：2022.05.30
技术公布日：2022/7/15