一种温度任调试电热毯的制作方法

文档序号:6290892阅读:380来源:国知局
专利名称:一种温度任调试电热毯的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种日常生活用品,特别是涉及一种电热毯。
技术背景在现实生活中,睡眠是人们生活中一个重要组成部分,保证睡眠质量更是 人的提高生活质量的追求和目标,尤其是入秋以来,天气逐渐变冷,电热已经 成为人们在睡眠时不可缺少的生活用品,但普通的电热毯在高温时给人们带来 心烦、口干舌燥、食欲不振、头晕、耳鸣、眼干、难以入睡等不适症状和感觉。发明内容为了克服电热毯因高温给人们带来的不适症状和感觉,本实用新型提供一 种温度任调试电热毯。 采用的技术方案一种温度任调试电热毯,包括铺设于毯子上的电热丝、电源插头及调温器, 其特征在于所述的调温器内的电子电路包括桥式整流器A、单向可控硅VS,电 位器RP及单结晶体管VT,电阻R1、 R2、 R3、 R4及电容C;单结晶体管VT、 阻R1、 R3、 R4、电位器RP和电容C构成可控硅的同歩出发电路,单向可控硅 VS并于整流器A的输出端,整流器A输出端的正极经电阻Rl、 R4及电位器 RP接单结晶体管VT的基极,单结晶体管的集电极经电阻R2接Rl与R4之间 的G点,单结晶体管VT的基极经电容C接桥式整流器的负极,单结晶体管VT 的发射集经电阻R3直接接桥式整流器A的负极,单向可控硅的触发极接单结晶 体管VT的发射极。本实用新型与现有技术相比,其特点是电热毯可任意调节温度,具有电阻 性能稳定,绝缘性能好、耐老化、使用寿命长、安全可靠、睡眠舒适等优点。工作原理22V市电通过负载,并经过VD1-VD4桥式整流后得到正弦脉冲直流电压, 加在单向可控硅的阳极和阴极。这个电压经R2降去一部分供给触发电路。单结 晶体管VT、电阻R1、 R3、 R4、电位器、RP和电容C构成可控硅的同歩触发 电路。在桥式整流器的输出电压的每半个周期内,电容C被充电。当充电电压 达到VT的峰点电压时,VT立即导通。当管子导通后,E、 B间阻值极低,R3的电阻也较小,所以电容C上的电荷迅速通过VT发射结和R3放掉,并在 R3上形成一个正向尖脉冲去触发单向可控硅VS,使其导通。在单向可控硅VS 导通的同时,也就有电流流过,串在桥式整流器输入端的负载,单向可控硅VS 导通后,由于阳极和阴极之间的电压降很小,使VT又恢复到截止状态。当市电 压过零点时,单向可控硅VS便自动截止;当市电压下个半周到来时,电容C 又被重新充电,VT又导通,电容C又通过VT的发射结和R3放电,并在R3 上正脉冲,去触发单向可控硅VS导通,于是不断重复上述过程。调节RP的阻值可改变C的充电速度。电阻越大,输出端的脉冲就会出现的 越晚,起到调节相位的作用,从而改变了 VS在每半个周期的导通时间,也就改 变了负载上得到的电压大小,达到任意调压的目的。可用材料电热毯加热丝、开关、调压器、导线、木板、有机片等。制作过程用木板钉上一个模型,把电热线绕在木板上固定,安好调压器, 接好电源,有机片贴面装饰即可。


图1是本实用新型一种实施例的结构示意图。 图2是本实用新型电路原理图。
具体实施方式
一种温度任调试电热毯,包括铺设于毯子1上的电热丝2、电源插头3及调 温器4,其特点在于调温器内的电子电路包括桥式整流器A、单向可控硅VS, 电位器RP及单结晶体管VT,电阻R1、 R2、 R3、 R4及C;单结晶体管VT、 电阻R1、 R2、 R3、 R4、电位器RP和电容C构成可控硅的同步触发电路,单向 可控硅VS并接于整流器A的输出端,整流器A输出端的正极经电阻Rl、 R4 及电位器RP接单结晶体管VT的基极,单结晶体管VT的集电极经电阻R2接 Rl与R4之间的G点,单结晶体管VT的基极经电容C接桥式整流器A的负极, 单结晶体管VT的发射集经电阻R3直接接桥式整流器A的负极,单向可控硅 VS的触发极接单结晶体管VT的发射极。
权利要求1、一种温度任调试电热毯,包括铺设于毯子上的电热丝、电源插头及调温器,其特征在于所述的调温器内的电子电路包括桥式整流器A、单向可控硅VS,电位器RP及单结晶体管VT,电阻R1、R3、R4及电容C;单结晶体管VT、电阻R1、R2、R3、R4、电位器RP和电容C构成可控硅的同步出发电路,单向可控硅VS并于整流器A的输出端,整流器A输出端的正极经电阻R1、R4及电位器RP接单结晶体管VT的基极,单结晶体管的集电极经电阻R2接R1与R4之间的G点,单结晶体管VT的基极经电容C接桥式整流器的负极,单结晶体管VT的发射集经电阻R3直接接桥式整流器A的负极,单向可控硅的触发极接单结晶体管VT的发射极。
专利摘要一种温度任调试电热毯,包括铺设于毯子上的电热丝、电源插头及调温器,其特点在于调温器内的电子电路包括桥式整流器A、单向可控硅VS,电位器RP及单结晶体管VT,电阻R1、R2、R3、R4及电容C;单结晶体管VT、电阻R1、R2、R3、R4、电位器RP和电容C构成可控制硅的同步触发电路,单向可控硅VS并接于整流器A的输出端,整流器A输出端的正极经电阻R1、R4及电位器RP接单结晶体管VT的基极,单结晶体管VT的集电极经电阻R2接R1与R4之间的G点,单结晶体管VT的基极经电容C接桥式整流器A的负极,单结晶体管VT的发射集经电阻R3直接接桥式整流器A的负极,单向可控硅VS的触发极接单结晶体管VT的发射极。本实用新型具有电阻性能稳定、绝缘性能好、安全可靠、睡眠舒适等优点。
文档编号G05D23/19GK201126543SQ20072001672
公开日2008年10月1日 申请日期2007年12月11日 优先权日2007年12月11日
发明者张润宇 申请人:张润宇
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