在耦合与解耦状态之间切换的电感器的制造方法
【专利摘要】一种设备包括与第二芯间隔开的第一芯。第二芯具有有着第一绕组的第一区段、有着第二绕组的第二区段以及在第一和第二区段之间的第三区段。在第一芯与第二芯的第三区段之间包括至少一个填充物。设备的操作状态基于通过填充物的磁通量的量而改变。当通量处于不饱和水平时，第一和第二绕组作为解耦电感器进行操作。当通量处于饱和水平时，第一和第二绕组作为耦合电感器进行操作。可基于通过所述绕组中的一个或多个绕组的电流的大小和/或填充物材料的磁导率来确定通过填充物的磁通量的量。
【专利说明】在耦合与解耦状态之间切换的电感器
【技术领域】
[0001]本文所述的一个或多个实施例涉及电压/电流控制。
【背景技术】
[0002]电压调节一直是电路设计中的感兴趣领域，尤其是出于防止不必要功率消耗的目的。虽然所有系统都能够受益于电压调节的改善，但电池供电的设备是特殊焦点。提升电池功率使用的高效管理将转化成改善的性能，给予用户增强的能力。
【专利附图】
【附图说明】
[0003]图1示出了在耦合与解耦状态之间切换的电感器。
[0004]图2 (a)示出了当电感器在解耦状态下操作时产生的磁通量的示例，并且图2 (b)示出了此状态下的用降压调节器进行操作的电感器的等效图。
[0005]图3 (a)示出了当电感器在耦合状态下操作时产生的磁通量的示例，并且图3 (b)示出了此状态下的用降压调节器进行操作的电感器的等效图。
[0006]图4不出了用于一个实施例的电感与负载电流之间的关系。
[0007]图5示出了在耦合与解耦状态之间切换的另一电感器。
[0008]图6示出了可包括如本文所述的电感器的终端。
[0009]图7示出了用于使用结合了用于对终端的不同平台供电的电感器的电压调节器来产生电压的电路的示例。
[0010]图8 (a) —8 (c)示出了电感器的第一和第二芯之间的附加填充物布置。
【具体实施方式】
[0011]图1示出了在耦合与解耦状态之间切换的电感器100的第一实施例。电感器包括第一芯10、第二芯20以及填充物30。第一和第二芯可具有不同的形状并由相同或不同的材料制成。这些材料的示例包括铁磁金属(例如，铁)或合金或能够支持磁场的形成的任何其他材料。第一和第二芯可整体地形成。替换地，芯中的一个或多个可具有由组合板或其他结构形成的层压结构。
[0012]第一芯10可被配置成具有处于不同布置的多个区段。在本实施例中，第一芯具有基本上条形、线形或I形结构，并且第二芯20具有多个区段，其中的至少某些朝着第一芯延伸。在图1中所示的示例中，第二芯具有朝着第一芯延伸的三个区段，即顺次布置并从主区段24延伸的第一区段21、第二区段22以及第三区段23。以这种方式布置，第二芯基本上采取E的形状。因此，可认为第一和第二芯的组合具有“EI”结构。
[0013]如图1中所示，第二芯的每个区段与第一芯间隔开。第一区段与第一芯之间的间距包括间隙G1，第二区段与第一芯之间的间距包括间隙G2，并且第三区段与第一芯之间的间距包括间隙G3。这些间隙影响磁通量的流量和因此的不同芯区段的电感值。在一个实施例中，全部的三个间隙可以是基本上相同的。在其他实施例中，间隙中的一个或多个可根据电感器的应用和要产生的磁通量而不同。
[0014]除设置间隙间距之外或作为其替代，可设置其他电感器值以实现该电感器的期望性能水平。例如，第二芯的分别地围绕第一和第三区段的绕组40和50的数目可以不同，和/或用来形成绕组的导体的类型可以不同。基于绕组的数目、被用于绕组的导体的类型和/或间隙间距，可与第二芯的第一和第三区段相关联地产生不同的电感。用于第一区段的电感被示为LI且用于第二区段的电感被示为L2。
[0015]填充物30位于第一芯和第二芯的第二区段。根据一个实施例，第二芯22不具有任何绕组。这可帮助电感器以下面将更详细地描述的方式在耦合与解耦状态之间切换。为了促进在这些状态之间进行切换，填充物由具有预定磁导率的材料制成。
[0016]根据一个实施例，填充物由具有落在预定范围内的磁导率的材料制成。此材料可以与制成第一或第二芯之一的材料相同或不同。芯材料的一个示例是铁氧体合金。
[0017]在其他应用中，填充物材料可根据例如间隙间距和制成芯的材料而落在磁导率的不同范围内。在图1的实施例中，可以用具有低磁导率或无磁导率的材料来填充第二芯的各区段之间的区域，或者这些区域可以是空气间隙。此外，取决于给定应用，间隙Gl和G3可以是空气间隙，或者可以用无磁导率或低磁导率的材料来填充这些间隙中的一个或多个。
[0018]第一芯与第二芯的第二区段之间的填充物还可具有变化的尺寸。在一个实施例中，填充物在相应的上和下表面上接触第一芯和第二区段。替换地，第一芯和第二区段中的仅一个可接触填充物，在填充物与第一芯或第二区段中的另一个之间留下较小间距。
[0019]此外，在横向尺寸方面，在图1中将填充物的宽度示为小于第二芯的第二区段的宽度。然而，在其他实施例中，填充物可具有不同的宽度以及甚至基本上等于或大于第二区段的宽度的宽度。
[0020]包括填充物允许电感器在耦合与解耦状态之间切换。基于填充物材料的饱和水平的变化而使得此切换是可能的。更具体地，在磁路中，磁通量将遵循最小磁阻的路径。(因此可认为磁阻类似于电路中的电阻。)图1的间隙中的填充物30的饱和水平用于控制磁通量的行进路径。更具体地，在图1的电感器中，填充物的饱和水平的变化改变从围绕芯区段中的相应的一些区段的绕组产生的磁阻路径。这又促使电感器在耦合与解耦状态之间切换。
[0021]根据一个实施例，可以通过针对填充物和负载电流的大小选择的材料类型来确定填充物材料的饱和水平(和因此的状态切换)。基于填充物材料的磁导率，流过绕组的负载电流将促使芯绕组具有不同的电感，并将促使来自芯绕组的磁通线的相当一部分遵循不同的路径。
[0022]图2 (a)示出了当电感器在解耦状态下操作时产生的磁通量图案的示例。在这种状态下，围绕芯区段21的绕组40作为第一电感器进行操作，且围绕芯区段23的绕组50作为第二电感器进行操作。由于第一和第二电感器单独地操作，所以认为电感器100处于解奉禹状态。
[0023]此解耦状态基于流过电感器的负载电流的大小、与填充物材料的磁导率相关地自动发生。在本示例中，当负载电流(IL)小于预定阈值(ITH)时，填充物材料处于磁不饱和状态。结果，来自第一电感器的磁通量70沿着穿过第二芯区段22和填充物30的低磁阻路径流动，并且来自第二电感器的磁通量80沿着也穿过第二芯区段和填充物的低磁阻路径流动。[0024]此外，如所示，来自电感器的磁通量可在不同的方向上流动。这可通过在相反方向上通过电感器发送电流来实现。例如，可通过端子71向电感器LI中发送电流，并且电流可通过端子72离开此电感器。相反地，可通过端子81向电感器L2中发送电流，并且电流可通过端子82离开此电感器。
[0025]图2 (b)是对应于图2 Ca)中所示的状态的电感器的等效图。在此图中，由于通过填充物的低电感路径，第一和第二电感器LI和L2分别基于分别地流过其绕组的电流Il和12进行操作。根据一个实施例，可认为电流Il和12的和对应于负载电流。
[0026]此外，在图2 (b)中，可包括开关SWl和SW2以便将电感器选择性地切换至包括要驱动的负载的电路。可替换地将开关闭合以将电感器的相同或不同电感耦合到由电容器90说明性地示出的负载，或者可仅闭合开关中的任一个，或者可同时地闭合两个开关，这取决于负载的要求。
[0027]图3(a)示出了当电感器在耦合状态下操作时产生的磁通量的示例。在此状态下，围绕芯区段21的绕组40和围绕芯区段23的绕组50产生磁通量，其被加在一起而形成所耦合的电感器的通量(和因此的电感)。
[0028]如果来自绕组的通量在相同方向上流动，则耦合状态下的净通量(和因此的电感)将大于绕组的单独电感，例如 LCoupled State=L1-L2或者LCoupled State=L2 + L1，或者甚至在某些情况下L—d state = LI + L2。相反,如果来自绕组的通量在不同方向上流动,则来自一个绕组的某些通量将抵消来自另一绕组的通量，产生处于耦合状态的净通量(和电感)，其小于单独采取的绕组中的一者或两者。在下面将更详细地讨论的图4中示出了此后一种情况的示例。
[0029]此耦合状态基于负载电流的大小、与填充物材料的磁导率相关地自动发生。在本示例中，当负载电流(IL)大于预定阈值(ITH)时，填充物材料是磁饱和的。结果，填充物材料本质上充当非磁性材料(例如，不可透磁的材料，诸如空气)，并且来自第一和第二电感器的磁通量将流过第二芯区段22，但是此通量的相当数量将不会流过填充物30。
[0030]在操作中，可将电流切换至绕组40或50中的两者或仅一者中。如果电流仅被切换到绕组40或50中的一者中，则由接收到输入电流的电感器绕组来确定耦合状态下的电感器100的磁通量的流动方向。例如，如果绕组40接收到输入负载电流，则耦合状态下的电感器100的磁通量横穿顺时针方向路径110。如果绕组50接收到输入负载电流，则耦合状态下的电感器100的磁通量横穿逆时针方向路径120。如果电流被切换至绕组40和50两者中，则可通过针对单独绕组的通量的和来确定耦合状态下的电感器100的磁通量的流动方向。
[0031]图3 (b)示出了对应于图3 (a)的耦合状态下的电感器的等效图。在此图中，由于填充物是饱和的，所以通过填充物的电感路径过高而不能使任何相当大量的磁通量穿过。因此，如箭头130所示，电感器LI和L2在具有磁通量方向和耦合电感值(基于其，开关SWl或SW2被闭合)的耦合状态下操作。在图3 (b)中，字母M指示芯绕组之间的互感的形成，例如提供绕组之间的耦合程度的指示。
[0032]此外，在图2 (b)和3 (b)中，邻近于绕组的点表示相对于绕组的电压极性。例如，当电流进入对应于LI的绕组的点时，在L2的绕组中感生能量，并且沿着被耦合到此第二绕组的点的电路路径输出电流。[0033]根据一个实施例，可根据以下说明性材料和值来配置电感器100。在其他实施例中可使用不同材料和/或值。
[0034]用于芯10的材料:铁氧体合金 用于芯20的材料:铁氧体合金 用于填充物30的材料:铁氧体合金 用于填充物30的磁导率值:3000 μ。
芯10的宽度:10mm
芯20的宽度:10謹 间隙(G2)间距:0.32mm 阈值电流值(Ith) =IOA 负载电流(I)的范围:42 解耦状态下的单独电感器的电感值:
Ι^=371ηΗ
L2=370nH
耦合状态下的电感器的电感值:298nH。
[0035]图4示出了一个图，该图示出针对电感器以非线性方式操作的情况的电感器100的电感与负载电流之间的关系。在此图中，负载电流可落入两个范围之一中。第一范围是轻负载电流范围，其中 ，负载电流IO < ITH0在此范围内，电感器在解耦状态下操作，其中，每个芯绕组展示出Ldp的电感:亦即LI = L2 = Ldp。
[0036]第二范围是重负载电流范围，其中，负载电流IO > ITH。在此范围内，电感器在耦合状态下操作，其中，电感器100展示出Lcp的电感。在本示例中，耦合状态电感Lcp小于单独线圈绕组Ldcp的电感。这可归因于绕组40和50的极性和/或围绕芯区段21和23的绕组的数目方面的差异。因此，在本示例中，由一个绕组产生的磁通量可部分地抵消另一绕组的磁通量，以提供净互感Lcp。
[0037]在其他实施例中，可改变绕组的极性、绕组的数目、到绕组的输入端子和/或其他因数以形成不同的互感。例如，来自绕组的磁通量可以是加性的，使得Lcp > Ldcp0
[0038]图5示出了根据另一实施例的电感器200。此电感器类似于图1中的电感器，只是两个填充物230和330在芯10和20之间的间隙G2中。这些填充物可由被用于填充物30的任何材料制成，并且因此可证明相同或类似的磁导率和因此间隙G2的相同或类似的阻抗。替换地，填充物可由不同的材料和/或具有不同磁导率的材料制成。
[0039]在本实施例中，填充物230和330被示为具有预定间距且用于影响电感器的操作状态。当负载电流小于阈值电流值(I < ITH)时，由绕组40和50产生的磁通量穿过芯区段22及填充物230和330，因为这些填充物并非磁饱和的。结果，绕组充当解耦状态下的单独电感器。
[0040]根据一个实施例，当第一或第二填充物中的仅一个的磁通量水平不饱和时，绕组可在解耦状态下操作。在这些条件下，另一填充物可以是磁饱和或不饱和的。替换地，当两个填充物的磁通量水平都是不饱和的时，绕组可在解耦状态下操作。这些不同的操作模式可例如取决于穿过绕组中的一个或多个的电流的量、针对填充物所选择的材料和/或填充物之间的间距。[0041]当负载电流大于阈值电流值(I > ITH)时，两个填充物是磁饱和的。结果，来自绕组的通量穿过第二芯区段22，但是相当量的通量并未穿过填充物。结果，电感器200在耦合状态下操作，产生互感，其中Lcp可根据例如围绕每个芯区段的绕组的极性和/或数目而大于或小于Ldcp。
[0042]在图1和5的电感器中，芯20具有三个区段。在其他实施例中，此芯可具有超过三个区段，其中在相邻的缠绕芯对之间具有未缠绕的中间芯区段。在这种情况下，可将电感器形成为在耦合状态下具有比由图1和5中的那些形成的互感更大的互感。此外，可选择性地切换这些对，以便产生给定负载应用所需的电感。
[0043]在另一实施例中，可使用图1或5中的电感器来形成电压调节器。在图2 (b)和3(b)中示出了该电压调节器的示例，其中，所包括的电感器分别在解耦和耦合状态下操作。在图2 (b)中，作为电感器在解耦状态下操作的结果，输入电压Vl被转换成输出电压V2。在图3 (b )中，作为电感器在耦合状态下操作的结果，输入电压被转换成输出电压V3。
[0044]图6示出了根据上述实施例的可包括电压调节器的电子设备的示例。在本示例中，电子设备是移动终端，其例如可以是智能电话、pod型设备、笔记本或膝上型计算机或另一类型的数据终端。不要求该设备是便携式的。
[0045]图7示出了图6的设备的内部结构的一个实施例。在本实施例中，该设备包括电压源410、电压调节器42 0以及一个或多个平台4301、4302和4303，其可具有不同的电压要求以支持终端中的不同功能或操作。例如，当电子设备是移动终端时，一个平台可操作终端的通信电路，另一平台可操作终端的媒体播放器，并且第三平台可操作照相机功能。
[0046]可选择性地切换电压调节器与平台之间的耦合以改变穿过调节器的电感器的电流。该电感器可以是根据上述实施例中的任何一个的电感器。如果电压调节器具有对应于图2 Ca)中所示的那个的电感器，则可由开关SW4来切换LI以产生到平台4301的第一电压，并且可由SW5来切换L2以产生到平台4302的第二电压。两个电感器这时可处于解耦状态，即通过所述至少一个填充物的磁通量处于不饱和水平。
[0047]在耦合状态下，当开关SW6闭合时，可使用由LI和L2形成的互感来产生到平台4303的第三电压。通过所述至少一个填充物的磁通量在这时可处于饱和水平。替换地，在耦合状态下，可使所有填充物饱和。如果填充物之一未饱和，则LI和L2的通量可以不穿过彼此，而是穿过中心区段处的未饱和填充物。
[0048]根据一个实施例，Vl Φ ?2 Φ V3。如在先前的实施例中，当使用电感器的多填充物实施例时,可例如基于通过绕组中的一个或多个绕组的电流、填充物的磁导率以及填充物之间的间距来控制通过填充物的磁通量的量。
[0049]根据具有多填充物设计的一个实施例，填充物的饱和水平可以是相同或不同的。如果不同，则差可以是基于例如用以形成填充物的不同材料的使用、不同的尺寸和/或其他因素。
[0050]图8 (a) —8 (c)示出了在第一和第二芯之间包括一个或多个填充物的附加布置。在这些图中，与电感器的截面图相关地示出了第二芯的底视图。第二芯的第一和第三区段的宽度(A3)小于第二芯的第二区段的宽度(Al)。点线表示穿过至少一个填充物的磁通量。
[0051]图8 (a)示出了使用四个填充物的布置。在本实施例中，第一对填充物501和502位于第二芯的第二区段的一个侧边处，并且第二对填充物503和504位于第二芯的第二区段的相对侧边处。每对中的填充物可以间隔开基本上相同的距离。替换地，填充物501和503之间的间距可以不同于填充物502和504之间的间距和/或填充物501和502之间的间距可以不同于填充物503和504之间的间距。
[0052]图8 (b)示出了包括单个填充物505的布置，该单个填充物505具有本质上等于第二芯的第二区段的长度的长度。填充物505的宽度被示为A2，其小于第二芯的第二区段的宽度Al。
[0053]图8 (C)示出了具有位于第二芯的第二区段的各侧边处的两个填充物506和507的布置。填充物可具有基本上相同的宽度和/或长度。然而，在不同实施例中，宽度可以是不同的和/或间距可以较小，使得填充物中的一者或两者并不位于第二区段的侧边处。
[0054]在本说明书中对“实施例”的任何提及意指在本发明的至少一个实施例中包括结合实施例所述的特定特征、结构或特性。此类短语在本说明书中的各位置的出现不一定全部涉及同一实施例。此外，当结合任何实施例来描述特定特征、结构或特性时，认为结合多个实施例中的其他的一些实施例来实现该特征、结构或特性在本领域的技术人员的知识范围内。可将任何一个实施例的特征与其他实施例中的一个或多个的特征组合以形成新实施例。
[0055]此外，为了便于理解，可能已将某些功能块描述为分别的块；然而，不必然应将这些分别描述的块理解为按照在本文中对其进行讨论或以其他方式呈现的顺序。例如，可能能够按照替换排序、同时地等执行某些块。
[0056]虽然在本文中已参考许多说明性实施例描述了本发明，但应理解的是，能够由本领域的技术人员设计将落在本发明原理的精神和范围内的许多其他修改和实施例。更特别地，在不脱离本发明的精神的情况下，在前述公开内容、附图和所附权利要求的范围内，在主题组合布置的构成部分和/或布置方面可以有合理的变化和修改。除构成部分和/或布置的变化和修改之外，替换使用对于本领域的技术人员而言也将是显而易见的。
【权利要求】
1.一种设备，包括:
AA- -H-* 弟—心； 第二芯，邻近于第一芯，且具有: a)第一区段，其包括第一绕组， b)第二区段，其与第一芯间隔开， c)第三区段，其包括第二绕组，以及 具有磁导率的填充物，其中，所述第二区段在第二芯的第一和第三区段之间，并且其中，所述填充物位于第一芯与第二芯的第二区段之间的间隙中。
2.权利要求1的设备，其中: 第一电感器由第一绕组和第二区段形成， 第二电感器由第二绕组和第三区段形成，以及 设备的操作状态将基于将穿过填充物的磁通量的水平而改变。
3.权利要求2的设备，其中，所述设备将在以下状态下操作: 当将穿过填充物的磁通·量的水平处于不饱和水平时的第一状态，以及 当将穿过填充物的磁通量的水平处于饱和水平时的第二状态。
4.权利要求3的设备，其中，所述第一和第二电感器将在第一状态下作为解耦电感器进行操作，且将在第二状态下作为耦合电感器进行操作。
5.权利要求4的设备，其中，将穿过填充物的磁通量的水平是基于将输入到第一绕组或第二绕组中的至少一个中的电流的量。
6.权利要求5的设备,其中: 所述第一和第二电感器在电流落在第一范围内时将作为解耦电感器进行操作，以及 所述第一和第二电感器在电流落在第二范围内时将作为耦合电感器进行操作。
7.权利要求6的设备，其中，所述第二范围大于第一范围。
8.权利要求6的设备，其中，耦合电感器的电感将低于作为解耦电感器进行操作的第二和第一电感器中的每一个的电感。
9.权利要求1的设备，其中，填充物的磁导率不同于第一芯或第二芯的磁导率。
10.权利要求1的设备，其中，填充物的磁导率基本上等于第一芯或第二芯的磁导率。
11.权利要求1的设备，其中，所述填充物和第二芯由不同的材料制成。
12.权利要求1的设备，其中，将从第一绕组和第二绕组产生的磁通量将穿过第二芯的第二区段和填充物。
13.权利要求1的设备，其中，所述填充物接触第二芯的第二区段或第一芯中的一个。
14.权利要求1的设备，其中，所述填充物接触第一芯和第二芯的第二区段。
15.一种设备，包括:
AA- -H-* 弟—心； 第二芯，邻近于第一芯且具有: a)第一区段，其包括第一绕组， b)第二区段，其与第一芯间隔开， c)第三区段，其包括第二绕组， 第一填充物，其位于第一和第二芯之间，以及第二填充物，其位于第一和第二芯之间， 其中，所述第二区段在第二芯的第一和第三区段之间，其中，第一填充物与第二填充物间隔开，并且其中，第一和第二填充物位于第一芯与第二芯的第二区段之间的间隙中。
16.权利要求15的设备，其中，第一填充物和第二填充物由可透磁材料制成。
17.权利要求16的设备，其中，所述第一填充物和第二填充物具有基本上相等的磁导率。
18.权利要求16的设备，其中，所述第一填充物和第二填充物具有不同的磁导率。
19.权利要求15的设备，其中: 第一电感器由第一绕组和第一区段形成， 第二电感器由第二绕组和第三区段形成，以及 设备的操作状态将基于将穿过第一和第二填充物的磁通量的水平而改变。
20.权利要求19的设备，其中，所述设备将在以下状态下操作: 当第一或第二填充物中的至少一个的磁通量水平处于不饱和水平时的第一状态，以及 当第一和第二填充物的磁通量水平处于饱和水平时的第二状态。
21.权利要求20的设备，其中，当将穿过第一和第二填充物的磁通量水平处于不饱和水平时，所述设备将在第一状态下进行操作。
22.权利要求20的设备，其中，所述第一和第二电感器将在第一状态下作为解耦电感器进行操作，且在第二状态下作为耦`合电感器进行操作。
23.权利要求22的设备，其中，将穿过第一和第二填充物的磁通量水平是基于将输入到第一或第二绕组中的电流的量。
24.权利要求23的设备，其中: 所述第一和第二电感器在电流落在第一范围内时将作为解耦电感器进行操作，以及 所述第一和第二电感器在电流落在第二范围内时将作为耦合电感器进行操作。
25.—种设备,包括: 第一平台，用于在第一电压下操作； 第二平台，用于在第二电压下操作；以及 电压调节器，具有电感器以提供第一和第二电压，其中: 所述电感器包括第一芯、有着具有第一绕组的第一区段、具有第二绕组的第二区段以及在第一和第二区段之间的第三区段的第二芯、以及在第一芯与第三区段之间的间隙中的至少一个填充物， 所述至少一个填充物是可透磁的，以及 当将穿过所述至少一个填充物的磁通量处于第一水平时，电感器将控制第一电压的输出，并且当将穿过所述至少一个填充物的磁通量处于第二水平时，电感器将控制第二电压的输出。
26.权利要求25的设备，其中，所述第一水平对应于将穿过所述至少一个填充物的磁通量的不饱和水平，并且其中，所述第二水平对应于将穿过所述至少一个填充物的磁通量的饱和水平。
27.权利要求26的设备，其中: 所述第一绕组和所述第一区段形成第一电感器区段，所述第二绕组和第二区段形成第二电感器区段，以及 当将穿过所述至少一个填充物的磁通量处于第一水平时，所述第一和第二电感器区段将在解耦状态下操作，并且当将穿过所述至少一个填充物的磁通量时，所述第一和第二电感器区段将在耦合状态下操作。
28.权利要求27的设备，其中: 当通过第一绕组或第二绕组中的至少一个的电流落在第一范围内时，将穿过所述至少一个填充物的磁通量将处于第一水平，以及 当通过第一绕组或第二绕组中的至少一个的电流落在第二范围内时，将穿过所述至少一个填充物的磁通量将处于第二水平。
29.权利要求28的设备，其中，所述第二范围大于第一范围。
30.权利要求27的设备，其中，将从第一和第二绕组产生的磁通量将穿过第二芯的第三区段和所述至少一个填充物·。
【文档编号】G05F1/325GK103827765SQ201180073775
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2011年9月30日 优先权日:2011年9月30日
【发明者】X.梁 申请人:英特尔公司