一种自弹式按键开关机电路的制作方法

文档序号:13360555阅读:808来源:国知局

本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种自弹式按键开关机电路。



背景技术:

按键开关机对于目前市面上所有的产品而言都是一项必不可少的功能了,自弹式按键的开关机也已经应用的很广泛,其技术本身也已很成熟,已有的实现方式一般都要依赖于单片机或是带有计算能力的芯片来做相应的处理,此类型的方案设计复杂,成本高,对芯片的依赖性太大。



技术实现要素:

为了解决现有技术的上述问题,有必要提供一种低成本且带智能操作系统的自弹式按键开关机电路。

本实用新型解决技术问题提供的技术方案是:

一种自弹式按键开关机电路,其包括依次连接的MCU、按键控制电路、USB供电检测电路和电源控制电路,所述按键控制电路包括电阻R1、R5、R7、R8、自弹式按键开关SW1和对管共阳式封装的肖特基二极管D2,所述肖特基二极管D2的正极引脚1通过电阻R8接地,并且与所述MCU的一个I/O口相连接,所述肖特基二极管D2的正极引脚2通过电阻R5与所述MCU的另一个I/O口相连接,电阻R5与所述MCU的所述I/O口之间的连接点通过电阻R7接地,肖特基二极管D2的正极引脚2还依次通过所述自弹式按键开关SW1、电阻R1接高电平PS。

本实用新型实施例中,所述USB供电检测电路包括隔离二极管D1、电阻R4、R9和电容C4,隔离二极管D1的正极接USB供电端USB-VBus, 隔离二极管D1的负极与肖特基二极管D2的负极引脚3相连接,隔离二极管D1的负极还通过电阻R9接地,电阻R4的一端与隔离二极管D1的负极相连接,另一端通过电容C4接地。

本实用新型实施例中,所述电源控制电路包括PMOS管 Q1、NPN三极管Q2、电阻R2、R3和电容C1,NPN三极管Q2的基极通过电阻R4与肖特基二极管D2的负极引脚3相连接,NPN三极管Q2的发射极接地,NPN三极管Q2的集电极分别通过电阻R2连接至高电平PS和通过电阻R3连接至PMOS管 Q1的栅极,PMOS管 Q1的漏极接高电平PS,PMOS管 Q1的源极接电源控制端VCC-SYS,PMOS管 Q1的源极还通过电容C1接地。

与现有技术相比较,本实用新型的自弹式按键开关机电路,采用一种自弹式按键开关机的方式,可以实现低设计复杂度,实现低成本的硬开机、软关机,且系统稳定,可解决现有技术的开关机按键的成本高且掉电关机导致系统程序丢失的问题。

附图说明

图1是本实用新型一实施例的自弹式按键开关机电路的电路图。

具体实施方式

如图1所示,本实用新型一实施例的自弹式按键开关机电路包括依次连接的MCU、按键控制电路、USB供电检测电路和电源控制电路,下面进行详细说明。

所述按键控制电路包括电阻R1、R5、R7、R8、自弹式按键开关SW1和对管共阳式封装的肖特基二极管D2,所述肖特基二极管D2的正极引脚1通过电阻R8接地,并且与所述MCU的一个I/O口相连接,所述肖特基二极管D2的正极引脚2通过电阻R5与所述MCU的另一个I/O口相连接,电阻R5与所述MCU的所述I/O口之间的连接点通过电阻R7接地,肖特基二极管D2的正极引脚2还依次通过所述自弹式按键开关SW1、电阻R1接高电平PS。

需要说明的是,按键开关SW1在默认处于断开状态,当SW1按下时,肖特基二极管D2的引脚2、引脚3正向导通,输出一个与高电平PS基本持平的电压。电阻R5与电阻R7构成一个分压电路,输出一个与所述MCU的I/O口电平兼容的高电平。电阻R8做为下拉电阻保持在系统关机状态下,肖特基二极管D2的引脚1一直处于低电平,在关机状态不受与所述相连的I/O口的影响。肖特基二极管D2在此做正向导通的作用。

USB供电检测电路包括隔离二极管D1、电阻R4、R9和电容C4。隔离二极管D1的正极接USB供电端USB-VBus, 隔离二极管D1的负极与肖特基二极管D2的负极引脚3相连接。隔离二极管D1的负极通过电阻R9接地。电阻R4的一端与隔离二极管D1的负极相连接,另一端通过电容C4接地。

需要说明的是,在采用USB供电时,USB的供电通过隔离二极管D1输出一个高电平给到肖特基二极管D2的负极引脚3,将此脚拉高。下拉电阻R9主要作用是保障在没有开机的状况下将肖特基二极管D2的负极引脚3保持低电平。电阻R4与电容C4分别用来分压和存储电荷。

电源控制电路包括PMOS管 Q1、NPN三极管Q2、电阻R2、R3和电容C1。NPN三极管Q2的基极通过电阻R4与肖特基二极管D2的负极引脚3相连接,NPN三极管Q2的发射极接地,NPN三极管Q2的集电极分别通过电阻R2连接至高电平PS和通过电阻R3连接至PMOS管 Q1的栅极,PMOS管 Q1的漏极接高电平PS,PMOS管 Q1的源极接电源控制端VCC-SYS,PMOS管 Q1的源极还通过电容C1接地。

需要说明的是,NPN三极管Q2主要用来控制PMOS 管Q1的开关的,当NPN三极管Q2的引脚基极有高电平过来时,其发射极与集电极导通, PMOS 管Q1的第一脚被拉成低电平,由PMOS 管的导通特性可知,PMOS 管Q1的源极和漏极此时导通,VCC-SYS输出高电平,系统电源上电开机。电阻R2用以在NPN三极管Q2处于截止状态时拉高PMOS管Q1的栅极,从而关断PMOS管Q1的源极和漏极,系统掉电关机。

整个电路工作原理概述:

开机:当按键开关SW1按下时,NPN三极管Q2接收到一个高电平,系统上电开机,此时MCU接收到POWER-DET的高电平立马将POWER-OFF所在的IO口持续输出一个高电平,此时就算是松开按键,NPN三极管Q2的基极也一直存在一个高电平,维持系统的正常运行。

关机:当系统检测到按键开关SW1持续按下的时间超过一定是限制后(系统设置),所述MCU做一定的记录,松开按键后所述MCU立马在POWER-OFF所在的IO口发出一个低电平,NPN三极管Q2的基极接收到低电平后PMOS 管Q1关断,系统掉电关机。

与现有技术相比较,本实用新型的自弹式按键开关机电路,采用一种自弹式按键开关机的方式,可以实现低设计复杂度,实现低成本的硬开机、软关机,且系统稳定,可解决现有技术的开关机按键的成本高且掉电关机导致系统程序丢失的问题。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

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