一种光纤陀螺热电制冷驱动器的制作方法

本实用新型涉及一种温度控制系统部件，特别是一种光纤陀螺热电制冷驱动器。

背景技术：

现有的光纤陀螺的光纤光源组件由超辐射发光管、半导体热电制冷器、热敏电阻组成，当超辐射发光管内的发光芯片工作时，管芯温度会迅速上升，而输出光的功率会随着管芯温度的上升而下降，中心波长也会有所变化，所以为了获得功率恒定且中心波长不变的光源，必须控制超辐射发光管的管芯温度，使发光芯片处在恒定的温度下工作。

现有的发光管温控系统采用的光源温控电路方案一般有数字脉宽调制型和模拟线性型两种：数字脉宽调制型温控电路，由于功率管工作在开关状态,因而自身消耗的功率很低，工作效率高，但是其脉宽调制会产生电磁干扰。而模拟线性型温控电路，晶体管工作在线性区，无脉冲干扰源，电流纹波小，工作稳定可靠，而且容易与前级调制电路匹配。因此，在系统效率限制条件允许的情况下，为获得稳定纯净的功率信号，选择模拟线性型温控电路作为功率放大器能获得比较好的适用性。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了克服现有技术的上述不足之处，而提供一种对光纤陀螺制冷控制系统无脉冲干扰源，电流纹波小，工作稳定可靠，而且容易与前级调制电路匹配的光纤陀螺热电制冷驱动器。

为实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是：

一种光纤陀螺热电制冷驱动器，采用H桥式功率驱动电路，用于为热电制冷器提供制冷与加热的双向驱动电流。

进一步的方案是：所述的光纤陀螺热电制冷驱动器包括：输入放大器，输出放大器，限流电阻1，限流电阻2，限流电阻3，限流电阻4；

进一步的方案是：所述的输入放大器包括：共集极推挽射级跟随器Q1、Q2，输入限流电阻Ri；

进一步的方案是：所述输出放大器包括：共射极放大器Q4、Q3，输出限流电阻Ro；

进一步的方案是：所述限流电阻1为共集极推挽射级跟随器Q1的集电极限流电阻，所述限流电阻2为共集极推挽射级跟随器Q2的集电极限流电阻；

进一步的方案是：所述限流电阻4为共射极放大器Q4的射极限流电阻，所述的限流电阻3为共射极放大器Q3的射极限流电阻。

本实用新型由于采用以上结构，与现有技术相比优点在于：使用桥式功率驱动电路，提供热电制冷器的双向电流驱动控制，既能提供正向制冷电流又能提供反向制冷电流，使被控温度从冷端到热端的过渡没有死区；推挽射级跟随器可以增大功率驱动范围，使温控系统可工作于单电源和双电源两种供电方式；使用共射极放大器Q4、Q3组合的达林顿电路连接到推挽射级跟随器，可以增大驱动电流，同时不影响驱动电压的输入范围。

附图说明

图1是本实用新型所涉及的顶层系统拓扑结构示意图。

图2是本实用新型晶体管级逻辑结构原理示意图。

具体实施方式

以下将结合说明书附图对本实用新型做进一步详细说明：

如图1所示，一种光纤陀螺热电制冷驱动器，包括包括输入放大器（1），输出放大器（2），限流电阻１（3），限流电阻２（４），限流电阻３（５），限流电阻４（6）；

所述的输入放大器（1），接收前一级模块送来的输入电压VI12，通过限流电阻1接Vdd，又通过限流电阻2接GND；输入放大器的输出与输出放大器的输出“线与”作为电热制冷驱动器（1）的输出TEC±；

所述的输出放大器（2），接收前一级模块送来的输入电压，通过限流电阻4接Vdd，又通过限流电阻3接GND，并与输入放大器的输出与输出放大器的输出“线与”作为电热制冷驱动器（1）的输出TEC±。

如图2所示，输入放大器包括：共集极推挽射级跟随器Q1、Q2，输入限流电阻Ri，共集极推挽射级跟随器Q1的集电极限流电阻1（R1），共集极推挽射级跟随器Q2的集电极限流电阻2（R2）；

共集极推挽射级跟随器Q1、Q2的基极与输入电压VI12、输入电阻Ri的一端相连，共集极推挽射级跟随器Q1、Q2的发射极与输入电阻Ri的另一端相连，并与共射极放大器Q4、Q3的集电极进行“线与”作为电热制冷驱动器（1）的输出TEC；

共集极推挽射级跟随器Q1的集电极与限流电阻1（R1）的一端相连，并作为共射极放大器Q4的基极输入，限流电阻1（R1）的另一端与Vdd相连；

共集极推挽射级跟随器Q2的集电极与限流电阻2（R2）的一端相连，并作为共射极放大器Q3的基极输入，限流电阻2（R2）的另一端与GND相连；

输出放大器包括：共射极放大器Q4、Q3，输出限流电阻Ro，共射极放大器Q4的射极限流电阻4（R4），共射极放大器Q3的射极限流电阻3（R3）；

共射极放大器Q4、Q3的集电极与共集极推挽射级跟随器Q1、Q2的发射极相连，并连接到输出限流电阻Ro的一端，输出限流电阻Ro的另一端作为输出TEC；

共射极放大器Q4的基极与共集极推挽射级跟随器Q1的集电极相连，共射极放大器Q4的发射极与限流电阻4（R4）的一端相连，限流电阻4（R4）的另一端连接到Vdd；

共射极放大器Q3的基极与共集极推挽射级跟随器Q2集电极相连，共射极放大器Q3的发射极与限流电阻3（R3）的一端相连，限流电阻3（R3）的另一端连接到GND。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，应视为本实用新型的保护范围。