本发明涉及一种婴儿培养箱组件，具体涉及一种婴儿培养箱温控器。
背景技术：
婴儿培养箱，是采用”对流热调节”方式加热空气来控制特定温湿度环境，为早产儿、病弱婴儿和新生儿提供一个类似母体宫腔的环境的设备，主要由婴儿舱、温度传感器、氧浓度传感器、湿度传感器、培养箱机箱、蓝光辐照灯箱等组成。婴儿对温度的要求非常苛刻，因此婴儿培养箱内的温度需维持在一个精准范围内，这就需要借助温控装置控制培养箱内的温度。然而，现有技术中的婴儿培养箱的温控装置结构精密、能耗大，大大提高了婴儿培养箱的制造和使用成本，给使用者带来了巨大的经济压力。因此，如何为婴儿培养箱提供一种简单高效的温控装置，就成了亟待解决的问题。
技术实现要素：
本发明针对上述技术问题，提出一种婴儿培养箱温控器，并通过以下技术方案实现。
本发明的婴儿培养箱温控器包括开关k、降压变压器t、整流桥堆、电加热丝hw、接线端子a1和接线端子a2，整流桥堆包括整流二极管d1、整流二极管d2、整流二极管d3和整流二极管d4，还包括常开型继电器j1、常开型继电器j2、常闭型继电器j3、正温度系数热敏电阻rt1、正温度系数热敏电阻rt2、运算放大器ic1、运算放大器ic2、双向可控硅scr1、双向可控硅scr2、npn型三极管vt1、npn型三极管vt2、整流二极管d5、整流二极管d6、整流二极管d7、整流二极管d8、整流二极管d9、整流二极管d10、整流二极管d11、整流二极管d12、整流二极管d13、整流二极管d14、稳压二极管dw、电解电容c1、电解电容c2、瓷片电容c3、瓷片电容c4、瓷片电容c5、电解电容c6、电解电容c7、电位器rp1、电位器rp2、电位器rp3、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9、电阻r10、电阻r11、电阻r12以及电阻r13；a1串联k后同时连接j2的固定触点、hw的一端以及t的一次绕组的一端，a2同时连接j3的线圈的一端、t的一次绕组的另一端、d14的阳极、scr1的第一主电极、scr2的第二主电极以及c5的一端；j2的动触点连接j3的线圈的另一端，hw的另一端连接j3的固定触点，t的二次绕组的一端同时连接d1的阴极和d2的阳极，t的二次绕组的另一端同时连接d3的阴极和d4的阳极，d14的阴极同时连接scr1的门极和j1的固定触点，scr1的第二主电极同时连接j3的动触点、d13的阳极、scr2的第一主电极以及r12的一端，scr2的门极同时连接r13的一端以及d13的阴极，c5的另一端连接r12的另一端；d1的阳极、d3的阳极、c1的负极、dw的阳极、rt1的一端、r4的一端、rp3的一个定值端、rp3的调节端、rt2的一端、c2的负极、c4的一端、d9的阳极、c3的一端、d10的阳极、vt1的发射极以及vt2的发射极同时接地，d2的阴极同时连接d4的阴极、c1的正极、r5的一端、r6的一端、ic2的第7脚、c7的正极、j2的线圈的一端、d12的阴极、r1的一端、r2的一端、r3的一端、ic1的第7脚、c6的正极、j1的线圈的一端以及d11的阴极；j1的动触点连接r13的另一端；dw的阴极连接r1的另一端，rt1的另一端同时连接rp1的一个定值端、rp1的调节端、d5的阴极、d6的阳极以及ic1的第3脚，r4的另一端同时连接rp2的一个定值端、rp2的调节端、d7的阴极、d8的阳极以及ic2的第3脚，rp3的另一个定值端同时连接r3的另一端、d5的阳极、d6的阴极以及ic1的第2脚，rt2的另一端同时连接r6的另一端、d7的阳极、d8的阴极以及ic2的第2脚，c2的正极串联r7后同时连接ic1的第4脚和ic2的第4脚，c4的另一端同时连接r9的一端和ic1的第5脚，d9的阴极同时连接r8的一端以及vt1的基极，c3的另一端同时连接r10的一端和ic2的第5脚，d10的阴极同时连接r11的一端和vt2的基极，vt1的集电极同时连接j1的线圈的另一端、c6的负极以及d11的阳极，vt2的集电极同时连接j2的线圈的另一端、c7的负极以及d12的阳极，r5的另一端连接rp2的另一个定值端，r2的另一端连接rp1的另一个定值端；r9的另一端同时连接ic1的第6脚和r8的另一端，r10的另一端同时连接ic2的第6脚和r11的另一端。
本发明还可以通过以下技术方案进一步改进。
作为优选，所述降压变压器t的一二次绕组的匝数比为55：4。
作为优选，所述d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10、d11、d12、d13以及d14均为2cp12型整流二极管；所述dw为2cw12型稳压二极管。
作为优选，所述电加热丝hw为300w~350w电加热丝，所述a1和a2均为dt型接线端子。
作为优选，所述vt1和vt2均为3dg12型三极管。
作为优选，所述j1和j2均为jrx-13f-dc24型常开继电器，所述j3为jtx-2c型常闭继电器。
作为优选，所述rt1和rt2均为mz11-10o15rh265型ptc热敏电阻。
作为优选，所述ic1和ic2均为5g23a型运算放大器。
作为优选，所述scr1和scr2均为3ct5a/500v型双向可控硅。
作为优选，所述c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7的容值分别为100微法、100微法、470皮法、470皮法、0.047微法、33微法、33微法；所述rp1、rp2、rp3的最大阻值分别为10千欧、10千欧、2兆欧；所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r10、r11、r12、r13的阻值分别为510欧、9.1千欧、10千欧、1.3千欧、10千欧、10千欧、1.3千欧、7.5千欧、120千欧、120千欧、7.5千欧。
与现有技术相比，本发明的优点和积极效果在于：结构简单、运行稳定、能耗低，在保证温控精度的前提下，大大降低了婴儿培养箱的制造和使用成本。
附图说明
图1为本发明婴儿培养箱温控器一种实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
为了更好的理解本发明，下面结合附图和实施例做具体说明。
实施例：如图1所示，本实施例的婴儿培养箱温控器包括开关k、降压变压器t、整流桥堆、电加热丝hw、接线端子a1、接线端子a2、常开型继电器j1、常开型继电器j2、常闭型继电器j3、正温度系数热敏电阻rt1、正温度系数热敏电阻rt2、运算放大器ic1、运算放大器ic2、双向可控硅scr1、双向可控硅scr2、npn型三极管vt1、npn型三极管vt2、整流二极管d5、整流二极管d6、整流二极管d7、整流二极管d8、整流二极管d9、整流二极管d10、整流二极管d11、整流二极管d12、整流二极管d13、整流二极管d14、稳压二极管dw、电解电容c1、电解电容c2、瓷片电容c3、瓷片电容c4、瓷片电容c5、电解电容c6、电解电容c7、电位器rp1、电位器rp2、电位器rp3、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9、电阻r10、电阻r11、电阻r12以及电阻r13；整流桥堆包括整流二极管d1、整流二极管d2、整流二极管d3和整流二极管d4，a1串联k后同时连接j2的固定触点、hw的一端以及t的一次绕组的一端，a2同时连接j3的线圈的一端、t的一次绕组的另一端、d14的阳极、scr1的第一主电极、scr2的第二主电极以及c5的一端；j2的动触点连接j3的线圈的另一端，hw的另一端连接j3的固定触点，t的二次绕组的一端同时连接d1的阴极和d2的阳极，t的二次绕组的另一端同时连接d3的阴极和d4的阳极，d14的阴极同时连接scr1的门极和j1的固定触点，scr1的第二主电极同时连接j3的动触点、d13的阳极、scr2的第一主电极以及r12的一端，scr2的门极同时连接r13的一端以及d13的阴极，c5的另一端连接r12的另一端；d1的阳极、d3的阳极、c1的负极、dw的阳极、rt1的一端、r4的一端、rp3的一个定值端、rp3的调节端、rt2的一端、c2的负极、c4的一端、d9的阳极、c3的一端、d10的阳极、vt1的发射极以及vt2的发射极同时接地，d2的阴极同时连接d4的阴极、c1的正极、r5的一端、r6的一端、ic2的第7脚、c7的正极、j2的线圈的一端、d12的阴极、r1的一端、r2的一端、r3的一端、ic1的第7脚、c6的正极、j1的线圈的一端以及d11的阴极；j1的动触点连接r13的另一端；dw的阴极连接r1的另一端，rt1的另一端同时连接rp1的一个定值端、rp1的调节端、d5的阴极、d6的阳极以及ic1的第3脚，r4的另一端同时连接rp2的一个定值端、rp2的调节端、d7的阴极、d8的阳极以及ic2的第3脚，rp3的另一个定值端同时连接r3的另一端、d5的阳极、d6的阴极以及ic1的第2脚，rt2的另一端同时连接r6的另一端、d7的阳极、d8的阴极以及ic2的第2脚，c2的正极串联r7后同时连接ic1的第4脚和ic2的第4脚，c4的另一端同时连接r9的一端和ic1的第5脚，d9的阴极同时连接r8的一端以及vt1的基极，c3的另一端同时连接r10的一端和ic2的第5脚，d10的阴极同时连接r11的一端和vt2的基极，vt1的集电极同时连接j1的线圈的另一端、c6的负极以及d11的阳极，vt2的集电极同时连接j2的线圈的另一端、c7的负极以及d12的阳极，r5的另一端连接rp2的另一个定值端，r2的另一端连接rp1的另一个定值端；r9的另一端同时连接ic1的第6脚和r8的另一端，r10的另一端同时连接ic2的第6脚和r11的另一端。
使用时，自接线端子a1、a2之间接入220v交流市电；闭合开关k后，市电经t降压、整流桥堆整流、阻容滤波、dw稳压后，为后续电路提供相对稳定的直流电压；根据所需的培养温度，通过调节rp1接入电路的有效阻值，可以方便的预设箱内温度警戒值；热敏电阻rt1、电阻r1~r3和电位器rp1组成电桥电路，可将温度信号输入ic1；ic1的输出信号控制vt1的通断，进而控制常开型继电器j1固定触点和动触点的吸合和断开，进而经由门极控制scr1和scr2的通断，最终通过控制电加热丝hw供电回路的通断来控制是否对培养箱内加热；当培养箱内的温度超过预设的警戒值时，常开型继电器j2的固定触点和动触点吸合，触发常闭型继电器j3的线圈通电、j3的固定触点和动触点断开，切断hw的供电回路，从而停止对培养箱内的加热，起到过热保护作用。
所述降压变压器t的一二次绕组的匝数比可以设定为55：4。从而使220v交流市电经降压后自t的二次绕组侧输出16v的交流电。
所述d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10、d11、d12、d13以及d14均可以选用现有技术中的2cp12型整流二极管；所述dw可以选用现有技术中的2cw12型稳压二极管。
所述电加热丝hw可以选用现有技术中的300w~350w的电加热丝，所述a1和a2均可以选用现有技术中的dt型接线端子。
所述vt1和vt2均可以选用现有技术中的3dg12型三极管。
所述j1和j2均可以选用现有技术中的jrx-13f-dc24型常开继电器，所述j3可以选用现有技术中的jtx-2c型常闭继电器。
所述rt1和rt2均可以选用现有技术中的mz11-10o15rh265型ptc热敏电阻。
所述ic1和ic2均可以选用现有技术中的5g23a型运算放大器。
所述scr1和scr2均可以选用现有技术中的3ct5a/500v型双向可控硅。
所述c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7的容值分别可以选择为100微法、100微法、470皮法、470皮法、0.047微法、33微法、33微法；所述rp1、rp2、rp3分别可以选用现有技术中的最大阻值为10千欧、10千欧、2兆欧的电位器；所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r10、r11、r12、r13的阻值分别可以选择为510欧、9.1千欧、10千欧、1.3千欧、10千欧、10千欧、1.3千欧、7.5千欧、120千欧、120千欧、7.5千欧。