婴儿培养箱温控器的制作方法

本实用新型涉及一种婴儿培养箱组件，具体涉及一种婴儿培养箱温控器。

背景技术：

婴儿培养箱，是采用”对流热调节”方式加热空气来控制特定温湿度环境，为早产儿、病弱婴儿和新生儿提供一个类似母体宫腔的环境的设备，主要由婴儿舱、温度传感器、氧浓度传感器、湿度传感器、培养箱机箱、蓝光辐照灯箱等组成。婴儿对温度的要求非常苛刻，因此婴儿培养箱内的温度需维持在一个精准范围内，这就需要借助温控装置控制培养箱内的温度。然而，现有技术中的婴儿培养箱的温控装置结构精密、能耗大，大大提高了婴儿培养箱的制造和使用成本，给使用者带来了巨大的经济压力。因此，如何为婴儿培养箱提供一种简单高效的温控装置，就成了亟待解决的问题。

技术实现要素：

本实用新型针对上述技术问题，提出一种婴儿培养箱温控器，并通过以下技术方案实现。

本实用新型的婴儿培养箱温控器包括开关K、降压变压器T、整流桥堆、电加热丝HW、接线端子A1和接线端子A2，整流桥堆包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3和整流二极管D4，还包括常开型继电器J1、常开型继电器J2、常闭型继电器J3、正温度系数热敏电阻RT1、正温度系数热敏电阻RT2、运算放大器IC1、运算放大器IC2、双向可控硅SCR1、双向可控硅SCR2、NPN型三极管VT1、NPN型三极管VT2、整流二极管D5、整流二极管D6、整流二极管D7、整流二极管D8、整流二极管D9、整流二极管D10、整流二极管D11、整流二极管D12、整流二极管D13、整流二极管D14、稳压二极管DW、电解电容C1、电解电容C2、瓷片电容C3、瓷片电容C4、瓷片电容C5、电解电容C6、电解电容C7、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12以及电阻R13；A1串联K后同时连接J2的固定触点、HW的一端以及T的一次绕组的一端，A2同时连接J3的线圈的一端、T的一次绕组的另一端、D14的阳极、SCR1的第一主电极、SCR2的第二主电极以及C5的一端；J2的动触点连接J3的线圈的另一端，HW的另一端连接J3的固定触点，T的二次绕组的一端同时连接D1的阴极和D2的阳极，T的二次绕组的另一端同时连接D3的阴极和D4的阳极，D14的阴极同时连接SCR1的门极和J1的固定触点，SCR1的第二主电极同时连接J3的动触点、D13的阳极、SCR2的第一主电极以及R12的一端，SCR2的门极同时连接R13的一端以及D13的阴极，C5的另一端连接R12的另一端；D1的阳极、D3的阳极、C1的负极、DW的阳极、RT1的一端、R4的一端、RP3的一个定值端、RP3的调节端、RT2的一端、C2的负极、C4的一端、D9的阳极、C3的一端、D10的阳极、VT1的发射极以及VT2的发射极同时接地，D2的阴极同时连接D4的阴极、C1的正极、R5的一端、R6的一端、IC2的第7脚、C7的正极、J2的线圈的一端、D12的阴极、R1的一端、R2的一端、R3的一端、IC1的第7脚、C6的正极、J1的线圈的一端以及D11的阴极；J1的动触点连接R13的另一端；DW的阴极连接R1的另一端，RT1的另一端同时连接RP1的一个定值端、RP1的调节端、D5的阴极、D6的阳极以及IC1的第3脚，R4的另一端同时连接RP2的一个定值端、RP2的调节端、D7的阴极、D8的阳极以及IC2的第3脚，RP3的另一个定值端同时连接R3的另一端、D5的阳极、D6的阴极以及IC1的第2脚，RT2的另一端同时连接R6的另一端、D7的阳极、D8的阴极以及IC2的第2脚，C2的正极串联R7后同时连接IC1的第4脚和IC2的第4脚，C4的另一端同时连接R9的一端和IC1的第5脚，D9的阴极同时连接R8的一端以及VT1的基极，C3的另一端同时连接R10的一端和IC2的第5脚，D10的阴极同时连接R11的一端和VT2的基极，VT1的集电极同时连接J1的线圈的另一端、C6的负极以及D11的阳极，VT2的集电极同时连接J2的线圈的另一端、C7的负极以及D12的阳极，R5的另一端连接RP2的另一个定值端，R2的另一端连接RP1的另一个定值端；R9的另一端同时连接IC1的第6脚和R8的另一端，R10的另一端同时连接IC2的第6脚和R11的另一端。

本实用新型还可以通过以下技术方案进一步改进。

作为优选，所述降压变压器T的一二次绕组的匝数比为55：4。

作为优选，所述D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、D12、D13以及D14均为2CP12型整流二极管；所述DW为2CW12型稳压二极管。

作为优选，所述电加热丝HW为300W~350W电加热丝，所述A1和A2均为DT型接线端子。

作为优选，所述VT1和VT2均为3DG12型三极管。

作为优选，所述J1和J2均为JRX-13F-DC24型常开继电器，所述J3为JTX-2C型常闭继电器。

作为优选，所述RT1和RT2均为MZ11-10O15RH265型PTC热敏电阻。

作为优选，所述IC1和IC2均为5G23A型运算放大器。

作为优选，所述SCR1和SCR2均为3CT5A/500V型双向可控硅。

作为优选，所述C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7的容值分别为100微法、100微法、470皮法、470皮法、0.047微法、33微法、33微法；所述RP1、RP2、RP3的最大阻值分别为10千欧、10千欧、2兆欧；所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13的阻值分别为510欧、9.1千欧、10千欧、1.3千欧、10千欧、10千欧、1.3千欧、7.5千欧、120千欧、120千欧、7.5千欧。

与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于：结构简单、运行稳定、能耗低，在保证温控精度的前提下，大大降低了婴儿培养箱的制造和使用成本。

附图说明

图1为本实用新型婴儿培养箱温控器一种实施例的电路结构示意图。

具体实施方式

为了更好的理解本实用新型，下面结合附图和实施例做具体说明。

实施例：如图1所示，本实施例的婴儿培养箱温控器包括开关K、降压变压器T、整流桥堆、电加热丝HW、接线端子A1、接线端子A2、常开型继电器J1、常开型继电器J2、常闭型继电器J3、正温度系数热敏电阻RT1、正温度系数热敏电阻RT2、运算放大器IC1、运算放大器IC2、双向可控硅SCR1、双向可控硅SCR2、NPN型三极管VT1、NPN型三极管VT2、整流二极管D5、整流二极管D6、整流二极管D7、整流二极管D8、整流二极管D9、整流二极管D10、整流二极管D11、整流二极管D12、整流二极管D13、整流二极管D14、稳压二极管DW、电解电容C1、电解电容C2、瓷片电容C3、瓷片电容C4、瓷片电容C5、电解电容C6、电解电容C7、电位器RP1、电位器RP2、电位器RP3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12以及电阻R13；整流桥堆包括整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3和整流二极管D4，A1串联K后同时连接J2的固定触点、HW的一端以及T的一次绕组的一端，A2同时连接J3的线圈的一端、T的一次绕组的另一端、D14的阳极、SCR1的第一主电极、SCR2的第二主电极以及C5的一端；J2的动触点连接J3的线圈的另一端，HW的另一端连接J3的固定触点，T的二次绕组的一端同时连接D1的阴极和D2的阳极，T的二次绕组的另一端同时连接D3的阴极和D4的阳极，D14的阴极同时连接SCR1的门极和J1的固定触点，SCR1的第二主电极同时连接J3的动触点、D13的阳极、SCR2的第一主电极以及R12的一端，SCR2的门极同时连接R13的一端以及D13的阴极，C5的另一端连接R12的另一端；D1的阳极、D3的阳极、C1的负极、DW的阳极、RT1的一端、R4的一端、RP3的一个定值端、RP3的调节端、RT2的一端、C2的负极、C4的一端、D9的阳极、C3的一端、D10的阳极、VT1的发射极以及VT2的发射极同时接地，D2的阴极同时连接D4的阴极、C1的正极、R5的一端、R6的一端、IC2的第7脚、C7的正极、J2的线圈的一端、D12的阴极、R1的一端、R2的一端、R3的一端、IC1的第7脚、C6的正极、J1的线圈的一端以及D11的阴极；J1的动触点连接R13的另一端；DW的阴极连接R1的另一端，RT1的另一端同时连接RP1的一个定值端、RP1的调节端、D5的阴极、D6的阳极以及IC1的第3脚，R4的另一端同时连接RP2的一个定值端、RP2的调节端、D7的阴极、D8的阳极以及IC2的第3脚，RP3的另一个定值端同时连接R3的另一端、D5的阳极、D6的阴极以及IC1的第2脚，RT2的另一端同时连接R6的另一端、D7的阳极、D8的阴极以及IC2的第2脚，C2的正极串联R7后同时连接IC1的第4脚和IC2的第4脚，C4的另一端同时连接R9的一端和IC1的第5脚，D9的阴极同时连接R8的一端以及VT1的基极，C3的另一端同时连接R10的一端和IC2的第5脚，D10的阴极同时连接R11的一端和VT2的基极，VT1的集电极同时连接J1的线圈的另一端、C6的负极以及D11的阳极，VT2的集电极同时连接J2的线圈的另一端、C7的负极以及D12的阳极，R5的另一端连接RP2的另一个定值端，R2的另一端连接RP1的另一个定值端；R9的另一端同时连接IC1的第6脚和R8的另一端，R10的另一端同时连接IC2的第6脚和R11的另一端。

使用时，自接线端子A1、A2之间接入220V交流市电；闭合开关K后，市电经T降压、整流桥堆整流、阻容滤波、DW稳压后，为后续电路提供相对稳定的直流电压；根据所需的培养温度，通过调节RP1接入电路的有效阻值，可以方便的预设箱内温度警戒值；热敏电阻RT1、电阻R1~R3和电位器RP1组成电桥电路，可将温度信号输入IC1；IC1的输出信号控制VT1的通断，进而控制常开型继电器J1固定触点和动触点的吸合和断开，进而经由门极控制SCR1和SCR2的通断，最终通过控制电加热丝HW供电回路的通断来控制是否对培养箱内加热；当培养箱内的温度超过预设的警戒值时，常开型继电器J2的固定触点和动触点吸合，触发常闭型继电器J3的线圈通电、J3的固定触点和动触点断开，切断HW的供电回路，从而停止对培养箱内的加热，起到过热保护作用。

所述降压变压器T的一二次绕组的匝数比可以设定为55：4。从而使220V交流市电经降压后自T的二次绕组侧输出16V的交流电。

所述D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、D12、D13以及D14均可以选用现有技术中的2CP12型整流二极管；所述DW可以选用现有技术中的2CW12型稳压二极管。

所述电加热丝HW可以选用现有技术中的300W~350W的电加热丝，所述A1和A2均可以选用现有技术中的DT型接线端子。

所述VT1和VT2均可以选用现有技术中的3DG12型三极管。

所述J1和J2均可以选用现有技术中的JRX-13F-DC24型常开继电器，所述J3可以选用现有技术中的JTX-2C型常闭继电器。

所述RT1和RT2均可以选用现有技术中的MZ11-10O15RH265型PTC热敏电阻。

所述IC1和IC2均可以选用现有技术中的5G23A型运算放大器。

所述SCR1和SCR2均可以选用现有技术中的3CT5A/500V型双向可控硅。

所述C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7的容值分别可以选择为100微法、100微法、470皮法、470皮法、0.047微法、33微法、33微法；所述RP1、RP2、RP3分别可以选用现有技术中的最大阻值为10千欧、10千欧、2兆欧的电位器；所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13的阻值分别可以选择为510欧、9.1千欧、10千欧、1.3千欧、10千欧、10千欧、1.3千欧、7.5千欧、120千欧、120千欧、7.5千欧。