1.一种低压差调节器，其特征在于，接收输入电压vin并产生稳定的输出电压vout；该低压差调节器包括：
一参考信号；
第一反馈信号和第二反馈信号；
串联连接的第一电阻器和第二电阻器；
串联连接的第三电阻器和第四电阻器；
所述第一反馈信号连接在所述第一电阻器和所述第二电阻器之间，第二反馈信号连接在所述第三电阻器和所述第四电阻器之间；
第一晶体管；
第一放大器，其接收所述参考信号和所述第一反馈信号并生成所述第一放大器的输出信号；
第二放大器，其接收所述第二反馈信号和所述第一放大器输出信号并生成所述第二放大器的输出信号，其中：第二放大器输出信号耦合到第一晶体管的第一端。
2.根据权利要求1所述的低压差调节器，其特征是，所述的第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为n-channelfet晶体管；
所述参考信号耦合到第一放大器的一正端，所述第一反馈信号耦合到第一放大器的一负端；
所述第一放大器输出信号耦合到第二放大器的一正端；所述第二反馈信号耦合到第二放大器的一负端；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与所述输出电压vout成比例。
3.根据权利要求2所述的低压差调节器，其特征是，所述第一电阻器和第二电阻器串联连接在n-channelfet晶体管的源极与第一接地电位之间；第三电阻器和第四电阻器串联连接在n-channelfet晶体管的所述源极和第二接地电位之间。
4.根据权利要求1所述的低压差调节器，其特征是，所述第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为p-channelfet晶体管；
所述参考信号耦合到第一放大器的正端；所述第一反馈信号耦合到所述第一放大器的负端；
所述第一放大器输出信号耦合到第二放大器的负端；所述第二反馈信号耦合到所述第二放大器的正端；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与所述输出电压vout成比例。
5.根据权利要求4所述的低压差调节器，其特征是，所述第一电阻器和第二电阻器串联连接在p-channelfet晶体管的漏极和第一接地电位之间；所述第三电阻器和第四电阻器串联连接在p-channelfet晶体管的所述漏极和第二接地电位之间。
6.根据权利要求1所述的低压差调节器，其特征是，还包括：第二晶体管和第三晶体管；
其中：第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为n-channelfet晶体管；第二晶体管为第一p-channelfet晶体管；第三晶体管为第二p-channelfet晶体管；
所述n-channelfet晶体管的源极连接到第一接地电位；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与输出电压vout成比例；
所述n-channelfet晶体管、第一p-channelfet晶体管或第二p-channelfet晶体管采用场效应晶体管或双极结型晶体管晶体管。
7.根据权利要求6所述的低压差调节器，其特征是，所述第一电阻器和第二电阻器串联连接在第二p-channelfet晶体管的漏极和第二接地电位之间；第三电阻器和第四电阻器串联连接在第二p-channelfet晶体管的漏极和第三接地电位之间。
8.根据权利要求1所述的低压差调节器，其特征是，当从所述第一电阻器和所述第二电阻器生成所述第二反馈信号时，所述第三电阻器和所述第四电阻器是可选，可省略的。
9.根据权利要求1所述的低压差调节器，其特征是，所述第一晶体管采用场效应晶体管或双极结型晶体管晶体管。
10.一种用于控制电压调节器的方法，其特征在于，该电压调节器接收输入电压vin并在电压调节器的输出节点上产生调节器输出电压vout，具体步骤包括：
产生一参考信号；
通过串联在调节器输出电压vout和第一地电位之间的第一电阻器和第二电阻器产生第一反馈信号；
通过串联在调节器输出电压vout和第二地电位之间的第三电阻和第四电阻产生第二反馈信号；
操控一晶体管；
通过第一放大器接收参考信号和第一反馈信号，并产生第一放大器输出信号；
通过第二放大器接收第一放大器输出信号和第二反馈信号，并产生第二放大器输出信号，其中：第二放大器输出信号耦合到第一晶体管的第一端。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征是，所述第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为n-channelfet晶体管；
所述参考信号耦合到第一放大器的正端；所述第一反馈信号耦合到第一放大器的负端；
所述第一放大器输出信号耦合到第二放大器的正端；所述第二反馈信号耦合到第二放大器的负端；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与输出电压vout成比例；
所述第一晶体管采用场效应晶体管或双极结型晶体管晶体管。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征是，所述第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为p-channelfet晶体管；
所述p-channelfet晶体管的源极连接至输入电压vin；所述p-channelfet晶体管的漏极是输出电压vout；
所述参考信号耦合到第一放大器的正端；所述第一反馈信号耦合到第一放大器的负端；
所述第一放大器输出信号耦合到第二放大器的负端；所述第二反馈信号耦合到第二放大器的正端；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与输出电压vout成比例；
所述第一晶体管采用场效应晶体管或双极结型晶体管晶体管。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征是，还包括：
操控第一p-channelfet晶体管和第二p-channelfet晶体管；
所述第一晶体管的第一端为第一晶体管的栅极，该第一晶体管为n-channelfet晶体管；
所述n-channelfet晶体管的源极连接到第三接地电位；
所述第一反馈信号与输出电压vout成比例；所述第二反馈信号与输出电压vout成比例；
所述第一p-channelfet晶体管、第二p-channelfet晶体管或n-channelfet晶体管采用场效应晶体管或双极结型晶体管晶体管。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征是，当从所述第一电阻器和第二电阻器生成第一反馈信号和所述第二反馈信号时，第三电阻器和第四电阻器是可选，可省略的。