一种有效提高瞬态响应速度的方法与流程

文档序号:21815913发布日期:2020-08-11 21:25阅读:995来源:国知局
一种有效提高瞬态响应速度的方法与流程

本发明涉及电源管理技术领域的低压差线性稳压器的应用,尤其是涉及一种有效提高瞬态响应速度的方法。



背景技术:

随着便携式电子产品的快速发展,在笔记本电脑、数码相机、手机等便携式电子产品系统应用中,对产品的功耗、噪声、环路稳定应、瞬态响应速度和成本的要求变得越来越高。本发明着重从瞬态响应、功耗、成本三发面展开说明。当输出负载从轻载突变为重载时,输出电压就会出现下冲的情况,当下冲电压过小时,就会出现欠压的风险;当输出负载从重载突变为轻载时,输出电压就会出现上冲的情况,当上冲电压过大时,就会有芯片失效的风险。本发明通过采样输出电流的方式,有效改善了瞬态响应速度而不增加静态功耗,优化上冲和下冲电压的大小,由于电路结构简单,大大节省了成本。



技术实现要素:

本发明的目的在于:提供一种有效提高瞬态响应速度的方法。

本发明的再一目的在于:提供一种针对上述方法的电路。

本发明目的通过下述方案实现:一种有效提高瞬态响应速度的方法,通过采样输出负载电流反馈到第一级放大器的尾电流,控制第二级放大管的栅,提高瞬态响应速度和芯片输出的稳定性。

本发明提供了一种针对上述有效提高瞬态响应速度方法的电路,包括nmos管、pmos管和电阻组成运算放大器和输出分压电路,通过采样输出负载电流反馈到第一级放大器的尾电流,再控制第二级放大管的栅,提高瞬态响应速度,包括第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第五nmos管mn5、第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4、第五pmos管mp5、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4,所述的第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4和第五pmos管mp5的源极连接电源电压vdd,第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第五nmos管mn5接地端gnd,第三电阻r3、第四电阻r4提供反馈电压vfb输入到第一nmos管mn1的栅极,第三nmos管mn3接基准电压vbias,第五pmos管mp5漏极和第第二电阻r2之间为电压输出端vout,其中,至少包括:

由一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第一pmos管mp1、第二pmos管mp2构成第一部分,为运算放大器电路;以及,

由第五pmos管mp5、第三电阻r3、第四电阻r4构成第三部分,构成第二级放大和输出电压分压电路。

在上述方案基础上,电路第一部part1中,由第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3构成运算放大器,作为低压差线性稳压器环路的第一级放大器,vbg和vbias为标准电压源,通过该放大器使得反馈电压vfb和vbg相等,通过第三部分part3中第三电阻r3和第四电阻r4分压得到误差很小的输出电压。

一般情况下,对静态功耗要求不高的情况下,第一部分part1和第三部分part3再加上一些补偿足够可以输出一个稳定的输出电压,但是,对静态电流要求比较高的时候,第一级放大器尾电流比较小时,增益较小,输出到功率管第五pmos管mp5的栅上,如果输出没有大电容时,就会出现输出电压跳变较大的情况,仿真结果如图2所示。

在上述方案基础上,由第四nmos管mn4、第五nmos管mn5、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4、第一电阻r1、第二电阻r2构成第二部分,作为输出负载电流采样电路,其中,第三pmos管mp3为采样管,第一电阻r1和第四pmos管mp4起到辅助采样的作用,第二电阻r2起到保护第四pmos管mp4栅,防止其因接pad而被击穿的作用,第四nmos管mn4和第五nmos管mn5为电流镜,负责将采样电流反馈给运算放大器,当输出轻载/重载突变时,采样管第三pmos管mp3采样输出电流,通过电流镜第四nmos管mn4和第五nmos管mn5反馈到第一级放大器。

针对传统低压差线性稳压器输出轻载、重载快速切换时输出不稳定,上冲和下冲跳变严重的缺点,提出了一种提高瞬态响应速度的方法,电路中通过采样输出负载电流反馈到第一级放大器的尾电流,控制第二级放大管第五pmos管mp5的栅,提高瞬态响应速度,有效提高了芯片输出的稳定性。

本发明的有益效果为:本发明优化了输出负载轻载、重载突变时环路的响应速度,提高了瞬态响应速度以及减小了输出上冲和下冲的电压,提高了输出电压的稳定性和电路性能。

附图说明

图1为实施例的具体电路结构示意图;

图2为本发明中改善前轻载/重载突变的仿真结果图;

图3为本发明中改善后轻载/重载突变的仿真结果图。

具体实施方式

在如图1所示电路,vdd为电源电压、gnd为接地、vbg和vbias为外接标准电压、vout为输出电压,各元器件间的连接关系为:

第一pmos管mp1的源极连接电源电压vdd、第一pmos管mp1栅极连接第一pmos管mp1漏极、第二pmos管mp2栅极和第一nmos管mn1漏极、第一pmos管mp1衬底连接电源电压vdd;

第二pmos管mp2源极连接电源电压vdd,第二pmos管漏极连接第二nmos管mn2漏极、第三pmos管mp3栅极和第五pmos管mp5栅极、第二pmos管衬底连接电源电压vdd;

第三pmos管mp3的源极连接第三pmos管mp3的衬底和第一电阻r1正极,第三pmos管mp3漏极连接第四pmos管mp4的源极和第四pmos管的衬底;

第四pmos管mp4栅极连接第二电阻r2正极、第四pmos管的漏极连接第五nmos管mn5的漏极、第五nmos管的栅极和第四nmos管mn4的栅极;

第五pmos管mp5的源极和第五pmos管mp5衬底连接电源电压vdd,第五pmos管mp5的漏极连接第二电阻r2的负极、第三电阻r3的正极和输出电压vout;

第一nmos管mn1的栅极连接第三电阻r3的负极和第四电阻r4的正极,第一nmos管mn1的源极和衬底连接第三nmos管mn3的漏极、第二nmos管mn2的源极和衬底、第四nmos管mn4的漏极;

第二nmos管mn2的栅极连接外部标准电压vbg;

第三nmos管mn3的栅极连接外部标准电压vbias、第三nmos管的源极和衬底连接gnd;

第四nmos管mn4的源极和衬底连接gnd;

第五nmos管mn5的源极和衬底连接gnd;

第一电阻r1的负极连接电源电压vdd;

第四电阻r4的负极连接gnd。

第一部分中part1中,第一、二mos管mp1、mp2,第一、二、三nmos管mn1、mn2、mn3构成的运算放大器作为低压差线性稳压器环路的第一级放大器,vbg和vbias为标准电压源,通过该放大器使得反馈电压vfb和标准电压vbg相等;

由第五pmos管mp5、第三电阻r3、第四电阻r4构成第三部分part3,构成第二级放大和输出电压分压电路,通过part3中第三电阻r3和第四电阻r4分压得到客户需求的误差很小的输出电压。

本发明增加了第二部分电路part2电路,由第四nmos管mn4、第五nmos管mn5、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4、第一电阻r1、第二电阻r2构成第二部分,作为输出负载电流采样电路。该part2电路中,第三pmos管mp3为采样管,第一电阻r1和第四pmos管mp4起到辅助采样的作用,第二电阻r2起到保护第四pmos管mp4栅,防止其因接pad而被击穿的作用,第四nmos管mn4和第五nmos管mn5为电流镜,负责将采样电流反馈给运算放大器,当输出轻载/重载突变时,采样管第三pmos管mp3采样输出电流,通过电流镜第四nmos管mn4和第五nmos管mn5反馈到第一级放大器。增大放大器的尾电流,进而提高增益,控制功率管的栅,有效的提高了环路的瞬态响应速度,减小突变电压,本实施例仿真结果如图3所示。本发明提供了一种结构简单的电路,不会增加产品的静态功耗,而且很大程度的提高了瞬态响应速度。

本发明的内容和特点已揭示如上,前面叙述的电路结构仅仅是本领域的一种示例,可应用于任何电源管理类芯片瞬态响应相关的电路中。

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