1.一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，包括壳体以及位于壳体内部的质量流量传感器和压电膜片，所述壳体包括下基板、上盖板以及由二者围成的气流通道；所述质量流量传感器设置在下基板上靠近气流通道的入口一侧；所述压电膜片设置在下基板上靠近气流通道的出口一侧；所述压电膜片两端设置于下基板上，所述压电膜片中部与下基板之间设有振动空隙；
所述压电膜片采用无机压电材料，包括钛酸钡、锆钛酸铅，或采用有机压电材料，包括聚偏氟乙烯，并通过粘接或机械夹持的方法固定在下基板上；
所述质量流量传感器包括：
衬底，设有沿上下向贯通的隔热腔体；
支撑层，形成于衬底及隔热腔体上；
加热元件，形成于支撑层的上表面，且局部位于隔热腔体的上方；
感温元件，形成于支撑层的上表面，两个感温元件对称分布在加热元件的两侧，且局部位于隔热腔体的上方；
金属层，形成于支撑层的上表面；
绝缘层，覆盖加热元件、感温元件及金属层，且绝缘层上通过局部刻蚀形成暴露出部分金属层的接触孔。
2.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述压电膜片的位置低于所述质量流量传感器的位置，所述上盖板的内侧对应压电膜片的位置处设有向下的凸起。
3.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述质量流量传感器采用mems工艺制作而成，并通过粘接的方法固定在下基板上。
4.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、锗衬底、soi衬底、geoi衬底的一种。
5.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述支撑层、绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅的一种或两种组合。
6.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述加热元件的材料为p型多晶硅、n型多晶硅、金属的一种。
7.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述感温元件为热敏电阻或热电堆；其中，热敏电阻的材料为具有正/负温度系数的金属，热电堆的材料为p型多晶硅/n型多晶硅的组合，或p型多晶硅/金属的组合，或n型多晶硅/金属的组合。
8.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，所述金属层的材料为金属钛、钨、铬、铂、铝、金中的一种或多种组合。
9.一种基于压电控制阀的mems质量流量控制方法，采用如权利要求1所述的一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器，其特征在于，气体从气流通道的入口通入壳体后，经质量流量传感器测得其质量流量，并反馈给后端处理电路与给定值进行比较，随后利用该反馈动态调节压电膜片的驱动电压，控制压电膜片的弯曲程度，即控制气流通道的大小，从而实现对气体质量流量的精确控制。