有较短的持续期间和较小的幅度，故对于电源供应去耦合电路300的输 出性能亦影响较小。
[0073] 在一些实施例中，电源供应去耦合电路100、200、300的参数可如下列所述。电容 器Cl的电容值约为10pF。第一参考电位VREFl为一直流（Direct Current，DC)偏压，其 范围可约由OV至约IV。第二参考电位VREF2为另一直流偏压，其值约为0. 995V。供应电 位VDD恒为IV。相对较高供应电位VDDH恒为1.8V。第一运算放大器110的开回路增益Al 大于10。第二运算放大器140的开回路增益A2大于50。第二晶体管M2的宽高比（Aspect Ratio,亦即W/L)和第一晶体管Ml的宽高比，两者的比例关系约为10:1 (M2:M1)。本技术领 域人员应能理解，以上参数可根据不同需求调整，而本发明不仅限于此。
[0074] 本发明提出一种新颖的电源供应去耦合电路的设计，其具有一去耦合电容器。总 而言之，与现有技术相比，本发明所提的电源供应去耦合电路设计至少有下列优点：（1)缩 小由去耦合电容器所占据的晶片面积；（2)增加去耦合电容器的等效电容值；以及（3)降低 整体RC常数，并缩短每一信号抖动成分的持续期间，且降低每一信号抖动成分的振幅。
[0075] 值得注意的是，以上所述的信号电位、电流、电阻值以及其他元件参数皆非为本发 明的限制条件。设计者可以根据不同需要调整这些设定值。本发明的电路并不仅限于图1-6 所示的状态。本发明可以仅包括图1-6的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言 之，并非所有图示的特征均须同时实施于本发明的电源供应去耦合电路当中。
[0076] 在本说明书以及权利要求书中的序数，例如"第一"、"第二"、"第三"等等，彼此之 间并没有顺序上的先后关系，其仅用于标示区分两个具有相同名字的不同元件。
[0077] 以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本 项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因 此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1. 一种电源供应去耦合电路，其特征在于，包括： 一第一运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第一运算放大 器的该正输入端親接至一第一参考电位，而该第一运算放大器的该负输入端親接至一共同 供应节点； 一电容器，耦接于该共同供应节点和该第一运算放大器的该输出端之间； 一源电阻器，耦接于一供应电位和该共同供应节点之间；以及 一稳定电路，耦接于该共同供应节点和一接地电位之间，其中当该共同供应节点的一 电位电平低于一第二参考电位时，该稳定电路即用于稳定该共同供应节点的该电位电平； 其中该共同供应节点用于驱动一外部电路，并以该供应电位作为该外部电路的电源供 应。2. 根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该源电阻器由一集成电 路布局的一寄生金属电阻所形成。3. 根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路包括： 一第二运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第二运算放大 器的该正输入端耦接至该共同供应节点，而该第二运算放大器的该负输入端耦接至该第二 参考电位；以及 一第二晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第二晶体管的该控制端 耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第二晶体管的该第一端耦接至一相对较高供应电 位，而该第二晶体管的该第二端耦接至该共同供应节点。4. 根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路还包括： 一第一晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第一晶体管的该控制端 耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第一晶体管的该第一端耦接至该第二晶体管的该 控制端，而该第一晶体管的该第二端耦接至该相对较高供应电位；以及 一电流吸收器，耦接于该第一晶体管的该第一端和该接地电位之间。5. 根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二参考电位的一电 位电平低于该供应电位的一电位电平。6. 根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该相对较高供应电位的 一电位电平高于该供应电位的一电位电平。7. 根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二运算放大器以该 相对较高供应电位作为该第二运算放大器的操作电位。8. -种电源供应去耦合电路，其特征在于，包括： 一源电阻器，耦接于一供应电位和一共同供应节点之间，其中该共同供应节点用于驱 动一外部电路，并以该供应电位作为该外部电路的电源供应； 一去耦合电容器，耦接于该共同供应节点和一接地电位之间；以及 一稳定电路，其中当该共同供应节点的一电位电平低于一第二参考电位时，该稳定电 路即用于稳定该共同供应节点的该电位电平，该稳定电路包括： 一第二运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第二运算放大 器的该正输入端耦接至该共同供应节点，而该第二运算放大器的该负输入端耦接至该第二 参考电位；以及 一第二晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第二晶体管的该控制端 耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第二晶体管的该第一端耦接至一相对较高供应电 位，而该第二晶体管的该第二端耦接至该共同供应节点。9. 根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该源电阻器由一集成电 路布局的一寄生金属电阻所形成。10. 根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路还包括： 一第一晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第一晶体管的该控制端 耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第一晶体管的该第一端耦接至该第二晶体管的该 控制端，而该第一晶体管的该第二端耦接至该相对较高供应电位；以及 一电流吸收器，耦接于该第一晶体管的该第一端和该接地电位之间。11. 根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二参考电位的一电 位电平低于该供应电位的一电位电平。12. 根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该相对较高供应电位的 一电位电平高于该供应电位的一电位电平。13. 根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二运算放大器以该 相对较高供应电位作为该第二运算放大器的操作电位。
【专利摘要】一种电源供应去耦合电路，包括一运算放大器、一电容器、一源电阻器以及一稳定电路。运算放大器具有正输入端、负输入端以及输出端，其中正输入端耦接至一第一参考电位，而负输入端耦接至一共同供应节点。电容器耦接于共同供应节点和运算放大器的输出端之间。源电阻器耦接于一供应电位和共同供应节点之间。稳定电路耦接于共同供应节点和一接地电位之间。当共同供应节点的电位电平低于一第二参考电位时，稳定电路即用于稳定共同供应节点的电位电平。共同供应节点用于驱动一外部电路，并以供应电位作为外部电路的电源供应。本发明不仅能够缩小由去耦合电容器所占据的晶片面积，还能增加去耦合电容器的等效电容值等。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN105302219
【申请号】CN201510848343
【发明人】李永胜
【申请人】上海兆芯集成电路有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年11月27日