18的基极和所述第八NPN管121的基极，发射极接所述第六电阻112的一端；
[0042]所述第六电阻112的一端接所述第五NPN管111的发射极，另一端接地；
[0043]所述第六NPN管113的基极接所述第五电阻110的一端和所述第五NPN管111的集电极和所述第一电容117的一端和所述第七NPN管118的基极和所述第八NPN管121的基极；集电极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管114的栅极和漏极和所述第一电容117的一端，发射极接地；
[0044]所述第二 PMOS管114的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第六NPN管113的集电极和所述第一电容117的一端，源极接所述第三PMOS管115的漏极；
[0045]所述第三PMOS管115的栅极接所述第一 PMOS管106的源极和所述第四PMOS管116的栅极和漏极，漏极接所述第二 PMOS管114的源极，源极电源电压VCC ；
[0046]所述第四PMOS管116的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管106的源极和所述第三PMOS管115的栅极，源极接电源电压VCC ；
[0047]所述第七NPN管118的基极接所述第五电阻110的一端和所述第五NPN管111的集电极和所述第一电容117的一端和所述第六NPN管113的基极和所述第八NPN管121的基极，集电极接所述第五PMOS管119的漏极和所述第六PMOS管120的栅极和所述第八PMOS管123的栅极，发射极接地；
[0048]所述第五PMOS管119的栅极接所述第七PMOS管122的栅极和漏极和所述第八NPN管121的集电极，漏极接所述第七NPN管118的集电极和所述第六PMOS管120的栅极，源极接所述第六PMOS管120的漏极；
[0049]所述第六PMOS管120的栅极接所述第七NPN管118的集电极和所述第五PMOS管119的漏极，漏极接所述第五PMOS管119的源极，源极接电源电压VCC ；
[0050]所述第八NPN管121的基极接所述第五电阻110的一端和所述第五NPN管111的集电极和所述第六NPN管113的基极和所述第一电容117的一端和所述第七NPN管118的基极，集电极接所述第五PMOS管119的栅极和所述第七PMOS管122的栅极和漏极，发射极接地；
[0051 ] 所述第七PMOS管122的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管119的栅极和所述第八NPN管121的集电极，源极接所述第八PMOS管123的漏极并作为该电流源的输出驱动端；
[0052]所述第八PMOS管123的栅极接所述第七NPN管118的集电极和所述第五PMOS管119的漏极和所述第六PMOS管120的栅极，漏极接所述第七PMOS管122的源极，源极接电源电压VCC。
[0053]所述第一电阻101、所述第一 NPN管102、所述第二 NPN管103、所述第二电阻104和所述第三NPN管105构成启动电路，从电源电压VCC依次第一电阻101、所述第一 NPN管102、所述第二 NPN管103形成电流，然后通过所述第一 NPN管102镜像给所述第三NPN管
105;所述第四电阻108、所述第四NPN管109、所述第五电阻110、所述第五NPN管111、所述第六电阻112构成基准电压源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电压基准源正常工作后，由于所述第三NPN管105的发射极电压升高，所述第三NPN管105的发射极就不会有电流流出，所述第六NPN管113和所述第二 PMOS管114构成电压基准源正常工作后反馈到基准电压源核心部分的工作电流，通过所述第二 PMOS管114镜像给所述第一 PMOS管106，同时这一工作电流通过所述第七NPN管118和所述第八NPN管121的基极和所述第六NPN管113的基极接在一起，电流1l和102可以通过调整所述第七NPN管118和所述第八NPN管121与所述第六NPN管113的发射极面积比进行调整；所述第三PMOS管115和所述第四PMOS管116是为了减少电源电压VCC分别对所述第二 PMOS管114和所述第一 PMOS管
106的影响，也即是提高了基准电压源的电源抑制比；所述第一电容117是为了调整整个电流源的频率补偿，使得环路更稳定；从所述第七PMOS管122的源极和所述第八PMOS管123的漏极进行驱动其他电路，由于电流源的输出电阻是所述第七PMOS管122的源漏间电阻和所述第八PMOS管123的源漏间电阻的并联，输出电阻很小，就能有效地提高带负载能力。
【主权项】
1.带载能力强的电流源，其特征在于:包括第一电阻、第一 NPN管、第二 NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一 PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管； 所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极； 所述第一 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二 NPN管的基极和集电极； 所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的发射极，发射极接地； 所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极； 所述第三NPN管的基极接第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第三电阻的一端和所述第一 PMOS管的漏极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端，源极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极； 所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第一 PMOS管的漏极，另一端接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端； 所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第五电阻的一端，另一端接所述第四NPN管的基极和集电极和所述第五NPN管的基极； 所述第四NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第四电阻的一端和所述第五NPN管的基极，发射极接地； 所述第五电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，另一端接所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极； 所述第五NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极和集电极，集电极接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，发射极接所述第六电阻的一端； 所述第六电阻的一端接所述第五NPN管的发射极，另一端接地； 所述第六NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极；集电极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第一电容的一端，发射极接地； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极和所述第一电容的一端，源极接所述第三PMOS管的漏极； 所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的源极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极，源极电源电压VCC ; 所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第七NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第一电容的一端和所述第六NPN管的基极和所述第八NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极，发射极接地； 所述第五PMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极和漏极和所述第八NPN管的集电极，漏极接所述第七NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第六PMOS管的漏极； 所述第六PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极，漏极接所述第五PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ; 所述第八NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第五NPN管的集电极和所述第六NPN管的基极和所述第一电容的一端和所述第七NPN管的基极，集电极接所述第五PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和漏极，发射极接地； 所述第七PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第五PMOS管的栅极和所述第八NPN管的集电极，源极接所述第八PMOS管的漏极并作为该电流源的输出驱动端； 所述第八PMOS管的栅极接所述第七NPN管的集电极和所述第五PMOS管的漏极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第七PMOS管的源极，源极接电源电压VCC。
【专利摘要】本实用新型公开了一种带载能力强的电流源。带载能力强的电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第三电阻、第四电阻、第四NPN管、第五电阻、第五NPN管、第六电阻、第六NPN管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电容、第七NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第八NPN管、第七PMOS管和第八PMOS管。利用本实用新型提供的带载能力强的电流源能够提高带载能力。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204719584
【申请号】CN201520420344
【发明人】陶霞菲
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月15日